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美光DDR4內(nèi)存出樣 Hsawell-E平臺先行

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月7日 Intel今年就會推出支持DDR4內(nèi)存的Haswell-E/EP處理器，目前的問題就是DDR4內(nèi)存的進(jìn)展了，4月初美光已經(jīng)宣布開始量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，現(xiàn)在已經(jīng)開始出樣給客戶測試了。

    之前普遍預(yù)測2015-2016年=DDR4內(nèi)存才會進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用階段，不過現(xiàn)在來看這個(gè)時(shí)間略有提前，Intel今年就會推出支持DDR4內(nèi)存的Haswell-E/EP處理器，消費(fèi)級及商業(yè)級都會有相應(yīng)的產(chǎn)品問世。目前的問題就是DDR4內(nèi)存的進(jìn)展了，4月初美光已經(jīng)宣布開始量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，現(xiàn)在已經(jīng)開始出樣給客戶測試了。

    美光目前生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存頻率為2133MHz，相比DDR3內(nèi)存普遍要在1.5-1.6V之間才能達(dá)到2000MHz以上的頻率，DDR4-2133MHz內(nèi)存只需要1.2V電壓，美光宣稱DDR4內(nèi)存可節(jié)能40%，帶寬高達(dá)17GB/s。未來美光還會推進(jìn)更高頻率的DDR4內(nèi)存比如DDR4-2400的開發(fā)、生產(chǎn)。

    DDR4內(nèi)存首先會應(yīng)用在今年下半年的Haswell-E/EP處理器上，服務(wù)器版的Haswell-EP系列命名為至強(qiáng)E3-2600 v3，支持DDR4內(nèi)存是理所當(dāng)然，而桌面版的Haswell-E不僅是原生8核，還會帶來XMP 2.0規(guī)范，X99芯片組也會支持DDR4內(nèi)存，這一點(diǎn)已為Intel官方確認(rèn)。

    除了美光之外，其他DRAM芯片廠商如SK Hynix、三星以及內(nèi)存廠商很早也宣布了DDR4內(nèi)存，特別是三星，去年就宣布量產(chǎn)DDR4內(nèi)存了。

    還有就是平臺支持方面，Intel首先會在Haswell-E/EP上支持DDR4內(nèi)存，不過下一代Broadwell桌面處理器還不能支持DDR4，要等明年底的Skylake系列，而AMD平臺支持DDR4內(nèi)存要等明年的Carrizo APU，Excavator（挖掘機(jī)）核心的CPU才會支持DDR4內(nèi)存。■