游戲性能提升43％！市售優(yōu)品內(nèi)存實測
內(nèi)存性能真的那么重要？為什么我們過去一直忽視了那么長一段時間，首先讓我們看看以往我們的測試結(jié)果。
不同延遲不同頻率下，內(nèi)存的影響
高頻率下，低延遲中，好內(nèi)存能讓你的游戲能快多少？
通過以上性能對比圖，不用說大家也已經(jīng)明白內(nèi)存性能的重要性了吧，就只在1024×768的分辨率下游戲FPS數(shù)值便提高了43％之多。
如何能獲得較好的內(nèi)存性能？高頻率低延遲。幾乎所有的超頻玩家都知道目前最優(yōu)秀的內(nèi)存顆粒為Samsung TCCD 和Winbond UTT BH5/CH5，各大內(nèi)存廠商都在自己的高端產(chǎn)品中使用這樣的內(nèi)存顆粒。如果你是一位非常關(guān)心內(nèi)存性能的玩家，你將會發(fā)現(xiàn)采用TCCD或者是UTT內(nèi)存顆粒的內(nèi)存PCB全部出自——Brainpower，而它的PCB編號為808或者是815?，F(xiàn)在要想擁有最好的內(nèi)存性能，一對使用Samsung TCCD 和Winbond UTT BH5顆粒的內(nèi)存一定是你的必備品。什么品牌的內(nèi)存在使用這樣的顆粒？如何購買到這樣的內(nèi)存？
記得不久前金邦科技推出了最新一代的超品玩家內(nèi)存——GeIL ONE(Double Spec DDR)，可以說是DDR超頻市場上最具震憾力的新產(chǎn)品。
此系列產(chǎn)品采用三星TCCD及華邦BH顆粒，GeIL ONE GOS產(chǎn)品，在400MHz的速度，CL值設(shè)定CAS1.5-2-2-5，或可以超頻至600MHz ( CAS 2.5-4-4-7)，并且可以超越Ultra X系列成為市場上可見的最高頻產(chǎn)品。
汗！超頻至DDR700下CL依然能穩(wěn)2.5不久前，在一次展示活動中，金邦采用三星TCCD顆粒的GeIL ONE DDR內(nèi)存竟然可以運行2.5-3-3-7的頻率，采用512MB DDR400×2構(gòu)成雙通道模式，使用的主板為DFI LANParty NForce4豪華版。測試的處理器為AMD A64 3000＋ 512KB L2 Cache，并成功的通過了測試軟件SuperPI 1M。
超頻過程在場有國內(nèi)知名網(wǎng)站編輯，共同見證了超頻的真實性，此圖并非處理的，而是真實的超頻截屏。
UTT是華邦最新推出的DDR內(nèi)存顆粒，可以說和BH-5顆粒非常相似，無論是能夠達到的極限頻率以及工作時序，和BH5不同的是UTT顆粒需要稍高的電壓才能做到這些，因此大多數(shù)超頻玩家選擇讓UTT在3.4-3.6V的電壓下工作。UTT在一點上做的要比BH-5顆粒出色，那就是UTT顆粒無論是雙面還是單面分布超頻性能幾乎相同。 過去發(fā)現(xiàn)的采用UTT顆粒的內(nèi)存產(chǎn)品 外包裝的左上角有GEIL ONE W標示，表示采用的華邦芯片 外包裝右下角有GEIL ONE字樣，表示金邦GEIL ONE系列露面的ONE系列內(nèi)存，在200MHz/DDR400下，內(nèi)存時序為CL1.5 5-2-2，250MHz/DDR500下為CL2 5-2-2，電壓范圍是2.55v-2.95v，產(chǎn)地是臺灣。這款產(chǎn)品曾在2005臺北Computex展出。
在DDR時代，低延遲帶來的性能提升更為顯著。在VR-Zone的一個測試中，Winbond BH5芯片，3.9v 266MHz/DDR533 @ CL2 2-2-2，sandra2005的內(nèi)存帶寬測試達到了8GB/s。目前DDR400/PC3200的最低延遲都是CL2.0，CL1.5內(nèi)存的到來，將更大幅度的提升內(nèi)存的帶寬，讓更多的玩家體驗高性能帶來的快感。
GOW產(chǎn)品 - GOW5123200DC (256MBX2) , GOW1GB3200DC(512MBX2)
PC3200 DDR 400 CAS 1.5-2-2-5< PC4000 DDR 500 CAS 2-2-2-5
* 雙通道512MB(256MBX2)及1GB (512MBX2 )包裝
* GeIL 篩選的BH-5 UTT 32mx8 DDR 顆粒制成
* 184pin, Non-ECC, Un-buffered DDR DIMM
* 銅鍍鎳白金條散熱片
* 零售包裝
* 終身保固
TCCD對于電壓的比較敏感，但是并不需要太高的電壓就可以完全進入高效狀態(tài)，在2.8V或者更低電壓下即可達成，幾乎適用于所有的主流主板。目前采用TCCD顆粒的內(nèi)存產(chǎn)品在沒有改造過的主板上可以輕松達到DDR600的水準，可以滿足不同需求的所有用戶的需要。TCCD和BH-5相比在高頻時候的參數(shù)不足可以通過更高的工作頻率來彌補，只是和某些主板的兼容性不是太理想（這一點和BH-5沒的比?。Ｄ壳皫缀跛械膬?nèi)存頻寬記錄都是由TCCD創(chuàng)造的，Kingston Hyper X， Corsair XMS， Patriot XBL， Mushkin Level 2， G.Skill， PQI Turbo 以及Adata等采用TCCD顆粒的產(chǎn)品已經(jīng)成為超頻玩家們追捧的對象，當然售價也是高高在上。
內(nèi)存頻率 | SPD參數(shù) | 內(nèi)存模式 | 內(nèi)存電壓 | |
200HTT | 2.0-2-2-5 | 1T | 2.6V | |
200HTT | 1.5-2-2-5 | 1T | 2.8V | |
225HTT | 1.5-2-2-5 | 1T | 2.8V | |
230HTT | 1.5-2-2-5 | 1T | 3.0V | |
265HTT | 2.5-3-3-7 | 1T | 2.6V | |
300HTT | 2.5-4-3-7 | 1T | 2.6V | |
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超頻成績GOS產(chǎn)品 –GOS5123200DC (256MBX2) , GOS1GB3200DC(512MBX2)
PC3200 DDR 400 CAS 1.5-2-2-5< PC4700 DDR 600 CAS 2.5-4-4-7 >
* 雙通道512MB(256MBX2)及1GB (512MBX2 )包裝
* GeIL 篩選的TCCD 32mx8 DDR 顆粒制成
* 184pin, Non-ECC, Un-buffered DDR DIMM
* 銅鍍鎳白金條散熱片
* 零售包裝
* 終身保固
* 2.55V-2.85V
CPU-Z官方根據(jù)近40000份超頻數(shù)據(jù)整理出來的內(nèi)存品牌所占比例
DDR600同步，內(nèi)存延遲CL=2.5，1T！ 延遲極限探索！DDR600同步，內(nèi)存參數(shù)5－3－3－2.5優(yōu)點：
·漂亮的鉑材質(zhì)散熱片
·對主板電壓要求不高
·2.8V電壓可以穩(wěn)定運行CAS 1.5
·2.6V電壓可以穩(wěn)定運行300 HTT 2.5-4-3-7
·所用顆粒全部為精心挑選的30%優(yōu)品
缺點：
·價格會非常貴
同時玩家也提供了其網(wǎng)絡購買地址，也就是知名網(wǎng)絡硬件交易商“新蛋”，有興趣的朋友可以看看：http://www.newegg.com.cn/Products/ProductDetail.aspx?sysno=12641
1、CL（CAS Latency）
中文名稱為“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”，在BIOS中的選項可能為：2、2.5和3。隨著DFI NF4主板的出現(xiàn)，還增加了1.5這個極限選項。這個參數(shù)很重要，內(nèi)存條銘牌上一般都有推薦參數(shù)。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運行操作系統(tǒng)，我們應當盡量把CAS參數(shù)調(diào)低。反過來，如果內(nèi)存運行不穩(wěn)定，可以將此參數(shù)設(shè)大，以提高穩(wěn)定性。
2、tRCD（RAS-to-CAS Delay）
中文為“行尋址至列尋址延遲時間”，一般選項有2、3、4、5，別名有Active to CMD等。對于延遲時間，當然是數(shù)值越小，性能越好。
3、tRP（RAS Precharge Time）
“內(nèi)存行地址控制器預充電時間”一般只有2、3、4三個選項。這個參數(shù)的名稱也比較多，一般有RAS Precharge、Precharge to active幾種。tRP值越低，預充電參數(shù)越小，則內(nèi)存讀寫速度就越快。
4、tRAS（RAS Active Time）
“內(nèi)存行有效至預充電的最短周期”nForce系列主板對它的調(diào)節(jié)幅度最大，從1到15都可選擇。別名也是最多的： Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。調(diào)整這個參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，推薦參數(shù)選項有5，6或者7這3個。大多數(shù)情況還要結(jié)合主板和CPU情況，并不是說越大或越小就越好。
這個選項就是K8平臺超頻時所稱的“1T、2T”，全名“首命令延遲”，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。
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