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    其實世界上真正能有實力生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠商卻并不是非常多，我們國內(nèi)比較常見的也只有三星(SAMSUNG)、現(xiàn)代(Hynix)、英飛凌(Infineon)、美光(Micron)、南亞(NANYA)、華邦(Winbond)等等，這些都是世界上優(yōu)秀的內(nèi)存廠商，他們的說生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒不僅在默認下讓內(nèi)存達到非常好的化設(shè)置，而且其驚人的超頻能力，他們中大部分的內(nèi)存顆粒都有從DDR400超頻至DDR500的能力，有的還會更高，這些都是也是我們花錢去購買的大廠內(nèi)存一個理由。

 現(xiàn)代(Hynix)D43顆粒－金士頓DDR400

 英飛凌(Infineon)BT-5顆粒－宇瞻DDR400

 華邦(Winbond)BH-5顆粒－勤茂DDR400

 鎂光(Micron)-5B C顆粒－鎂光DDR400

 三星(SAMSUNG)TCCD顆粒－G.SKILL芝奇DDR400

    你可以設(shè)想一下，如果你花費了一條DDR400內(nèi)存的錢，而內(nèi)存卻又能超頻至DDR600，是不是你所花費的錢又增值了呢。至于內(nèi)存的選購和對整機性能的影響，大家可以參考文章《1MB僅6毛！市售內(nèi)存六大采購火辣寶典》。

● 如果你購買到一條不好的內(nèi)存，那么你將可能遇到這樣的情況：

 買到內(nèi)存不好，開機死機！玩到一般死機！超頻更死！

    1、兼容性不好，導(dǎo)致系統(tǒng)無法啟動

    2、質(zhì)量不好，導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁死機

    3、性能不好，導(dǎo)致性能下降，成為系統(tǒng)瓶頸

    4、超頻性不好，導(dǎo)致超頻后不能與CPU同步，異步后性能下降

● 市場上真的還能夠買得到優(yōu)品內(nèi)存嗎？

    談到優(yōu)品內(nèi)存，想必大家肯定會覺得那是及其希罕的事物，怎么可能被普通的用戶購買得到，其實不然，只要你善于發(fā)現(xiàn)，還是非常之多的，今天小編就發(fā)現(xiàn)了一種內(nèi)存，可能一說品牌很多不是玩家的用戶肯定會很陌生，但是肯定性能是最為重要的，看文章標(biāo)題大家應(yīng)該能知道，它能在從DDR400超頻至DD600下，而且能擁有非常好的化的1T設(shè)置，5-3-3-2.5的延遲，真的是這樣嗎？太強了吧？到底什么顆粒那么厲害？我們帶著問題，下面看我們接下來的測試● 如何選購內(nèi)存：“顆粒”論！用料、做工不能忽略的因素

    內(nèi)存對于最終得分的影響主要取決于工作頻率以及SPD設(shè)置。由于，我們本次測試中的內(nèi)存均是工作在默認頻率下，所以對得分有影響的只有內(nèi)存的SPD信息設(shè)置。選購技巧：

    一、 DDR內(nèi)存選購技巧

    1、顆粒介紹

　　這兩三年來，內(nèi)存條的品牌漸漸多了起來，不過能夠生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的還是那么幾家半導(dǎo)體大廠。三星(SAMSUNG)、現(xiàn)代(Hynix)、英飛凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亞(NANYA)、華邦(Winbond)、茂矽(MOSEL)、ELPIDA等等。而某些顆粒廠商通常只用在顯存上，比如EliteMT，就不多介紹了。應(yīng)該說這些內(nèi)存顆粒廠商都具有相當(dāng)實力，不過最具有實力還屬三星、現(xiàn)代以及美光。

● 現(xiàn)代D43顆粒

　　有些內(nèi)存顆粒上出現(xiàn)不是這些顆粒廠商的LOGO，比如Kingston的部分顆粒、GeIL、KINGMAX等等，這些都是內(nèi)存制造廠商自己打磨的，這個屬于正常的打磨范圍。而某些JS就通過打磨各種各樣的LOGO來冒充正規(guī)產(chǎn)品，以次充好或者以低檔充高檔等等，這個就是俗稱的“打磨條”。打磨條“涉及”的范圍非常之廣，一向假貨極少的金邦內(nèi)存都不能幸免，因此購買內(nèi)存務(wù)必到正規(guī)代理商處購買。

    現(xiàn)代應(yīng)該是大家都非常熟悉的內(nèi)存顆粒品牌了，從SD時代到DDR時代，現(xiàn)代內(nèi)存顆粒在國內(nèi)的占有量絕對是首屈一指的。目前大家在市場中常見的現(xiàn)代內(nèi)存規(guī)格主要分DDR400和DDR500兩種規(guī)格。

 

 

 同為現(xiàn)代D43顆粒，CTP-D43比BT-D43超頻性能稍弱

 

    在很多玩家心目中，HY D43芯片顆粒有著兼容性好、超頻性出色的特點，而采用HY D43芯片的產(chǎn)品更是被眾多玩家所追捧，有部分玩家還專門對HY D43芯片進行研究，例如HY D43 DT芯片的超頻能力就比HY D43 BT突出。一直采用各種芯片作為內(nèi)存的Kingston在近期就推出部分采用HY D43芯片的產(chǎn)品

 

    現(xiàn)代的D43顆粒應(yīng)該是目前市場上非常流行，同時也是大家公認性價比非常好的內(nèi)存顆粒。除了能在現(xiàn)代自有品牌上看到這種內(nèi)存顆粒外，包括其他比較知名的內(nèi)存廠商也都曾經(jīng)采用過它。如果我們將它細分的話，D43內(nèi)存顆粒又根據(jù)生產(chǎn)批次的不同，在編號上分為AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。其中又以BT-D43和DT-D43最為常見，口碑也是最好。

 

● 三星TCCC顆粒

 

    三星（SAMSUNG）不愧為DDR時代的終結(jié)者，在512MB容量有TCCD和TCC5稱雄，到了海量1GB的今天，又力推UCCC新君登基。

 

 

    UCCC顆粒首現(xiàn)于2004年4月，早期專供服務(wù)器高端ECC內(nèi)存使用；幾經(jīng)調(diào)整，最終于2005年1月進入民用領(lǐng)域。前期產(chǎn)品依舊保持著服務(wù)器內(nèi)存的特點，只以穩(wěn)定性見長，超頻性能一般。但三星為了重奪高頻內(nèi)存之王的寶座，于今年6月對UCCC做了進一步制程優(yōu)化。兩條1GB組成雙通道，僅用2.8v電壓就實現(xiàn)了1T DDR600。高頻與海量兼得，穩(wěn)定性較好，這就是DDR時代的最終王者――三星UCCC。

 

     三星（SAMSUNG）UCCC顆粒一定要選520周期以后的，只有這些周期生產(chǎn)的才是優(yōu)化顆粒，之前的則“服務(wù)器”風(fēng)格較重。

 

● 三星TCCC顆粒

 

    TCCD顆粒固然是好，不過其高昂的價格也是另人難以接受的。然而大家在過于關(guān)注TCCD的同時卻忘記了它的同門師兄—TCCC，TCCC其實也是一款非常好的內(nèi)存顆粒，最早我們是在三星原廠的“金條”中認識它。

 

 

    TCCC的顆粒品質(zhì)基本上和現(xiàn)代D43比較相近，DDR400下可以優(yōu)化到2-3-3-5的延時參數(shù)，部分TCCC顆粒也可以達到DDR500的水平。不過TCCC仍然對內(nèi)存電壓不感冒，如果你手中的TCCC顆粒內(nèi)存無法達到DDR500下工作，那么你如何狂加電壓也是于事無補。很可惜，三星TCCC內(nèi)存顆粒除了在三星自有品牌內(nèi)存上可以看到外，很少在其他品牌內(nèi)存上出現(xiàn)過。不過三星金條的做工確實很優(yōu)秀，兼容性也很好，但是價格方面也比普通內(nèi)存高了一些。

 

● 英飛凌（infineon）BT5、CE5和BE5顆粒

 

    來自德國的英飛凌科技前身為西門子半導(dǎo)體公司，在2000正式上市以后同樣受到業(yè)界的廣泛關(guān)注。英飛凌非常重視國內(nèi)的代理渠道，我們在國內(nèi)看到的英飛凌正品內(nèi)存全部為：香港銳科集團有限公司所代理的——星河（Galaxy）系列內(nèi)存。

 

 

 英飛凌（infineon）BT5顆粒

 

    目前市場上流行的英飛凌DDR400顆粒編號主要有：BT5、CE5和BE5這3種，其中BT5顆粒最早曾經(jīng)在宇瞻高端的“黑豹”內(nèi)存上出現(xiàn)過。CE5和BE5是英飛凌隨后生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒，超頻性能均在BT5之上。而關(guān)于CE5和BE5究竟誰更強的說法大家眾說紛紜，不過可以確定的是它們的標(biāo)準(zhǔn)時序都可以在2-3-2-5下穩(wěn)定工作，一些品質(zhì)好的CE5和BE5顆粒內(nèi)存還可以工作在更高的DDR500上，性能非常強勁。另外，英飛凌原廠內(nèi)存的做工也是同類產(chǎn)品中屬一屬二的。

 

    PCPOP小常識：有些人看到芯片編號中有“HYB”字樣，便誤以為是現(xiàn)代（HYUNHAI）的內(nèi)存芯片，而現(xiàn)代內(nèi)存芯片編號是以“HY”開頭的，這也難怪會有人認錯，實際上HYB”是英飛凌進入DDR和DDR-2時代后進行統(tǒng)一編號所選用的代碼，Infineon（英飛凌）內(nèi)存顆粒，有人將Infineon稱為西門子（Siemens），事實上英飛凌的前身就是西門子半導(dǎo)體公司，在SDRAM時代，我們經(jīng)常看到Siemens字樣的內(nèi)存，但如今Infineon早已獨立，所以不再叫它西門子內(nèi)存。

 

● 鎂光MT-5BC和MT-5BG

 

    鎂光（Micron）身為世界第二大內(nèi)存顆粒制造商，其產(chǎn)品卻在國內(nèi)極少現(xiàn)身。這是因為鎂光很少將自己的優(yōu)質(zhì)顆粒賣給其他內(nèi)存品牌，其優(yōu)品顆粒一直是專供自家DIY品牌Crucial使用。

 

 

 注意看內(nèi)存參數(shù)

 

    或許是由于國內(nèi)代理渠道的問題，我們在國內(nèi)很少能夠看到鎂光品牌的原廠內(nèi)存，不過你卻可以在一些知名品牌內(nèi)存上見到鎂光顆粒。目前市場上主要流通的有MT-5BC和MT-5BG兩個型號的DDR400規(guī)格內(nèi)存顆粒，其中根絕國內(nèi)大部分的網(wǎng)友反映，MT-5BC的超頻性能還會更優(yōu)秀一些。

 

    鎂光的MT內(nèi)存顆粒非常有特點，芯片的兩端分別有個半圓形的缺角很容易就讓人一眼辨認出來它的來自鎂光。與大多數(shù)DDR400內(nèi)存不同的是，鎂光MT顆?？梢栽贒DR400規(guī)格下達到極低的TRD和TRP延時，默認電壓下可以達到2.5-2-2-5這樣一個非常不錯參數(shù)。其實際效能甚至可以和TCCD在DDR400的環(huán)境下的表現(xiàn)相媲美，略微加電壓則可以達到DDR500的標(biāo)準(zhǔn)甚至更高，如果你在市場中看到了這個系列的內(nèi)存可千萬不要放過！

 

● 華邦新BH5顆粒

 

    提起華邦BH5內(nèi)存顆粒的大名，我相信無人不知無人不曉。這款內(nèi)存顆粒的最大特點就是耐高電壓。在3V甚至更高以上的電壓下，它的超頻幅度是十分驚人的，因此也有很多人戲稱它為DFI專用內(nèi)存。

 

 

 Winbond華邦 （W942598BH-5）5納秒顆

 

    BH5顆粒真可謂是來也匆匆去也匆匆，剛剛名聲大震后，它也基本在市場上銷聲匿跡了。隨后而來的TCCD蓋過了它的鋒芒，成為新一代超頻王者，但世界上卻再也沒有一款能像BH5那樣性價比出色的內(nèi)存了……

    在超頻玩家選擇內(nèi)存的時候，有一些內(nèi)存顆粒的編號是相當(dāng)重要的。比如三星的TCCD和TCCC、還有現(xiàn)代的BT-D43、還有英飛凌的-5-C等等。這些代表內(nèi)存批次的編號通常都有不錯的超頻能力或者上低延遲能力。其中又以三星的TCCC和TCCD顆粒最為著名，海盜船出品的優(yōu)品內(nèi)存通常都采用這種顆粒，能夠在5-2-2-2時序下超頻在DDR500以上，在發(fā)燒界中口碑極好。

    2、如何看內(nèi)存的用料及做工好壞

　　我們可以從下面幾個方面來判斷內(nèi)存條的好壞：金手指、用料、設(shè)計、工藝。

 

 金手指部分

    金手指：內(nèi)存的金手指通常有兩種制造方法，電鍍和化學(xué)鍍(以下簡稱：化鍍)?；兊慕鹗种笗入婂兊谋?0微米左右，不過肉眼很難看得出來，電鍍的金手指耐磨度和電氣性能更好。但是鑒別起來很簡單，電鍍的金手指在末端會有一個“小辮子”，這個是生產(chǎn)工藝造成了，沒有辦法避免，如圖所示。這兩種工藝成本差價大概在10元左右，相對于目前內(nèi)存的價格，還是比較可觀的。另外，好的金手指通?？雌饋砗忘S金差不多，黃顏色很有質(zhì)感；差的金手指看起來泛白。

    用料：要看一根內(nèi)存的用料水準(zhǔn)很簡單：如果內(nèi)存上面的小貼片元件多，那么這根內(nèi)存用料應(yīng)該說不錯。用在內(nèi)存上面的小元件主要有兩種，一種上面有數(shù)字的，叫做排阻；一種更小的方塊，叫做電容，通常用作耦合。一般在內(nèi)存顆粒和金手指之間，會有很多的排阻，而內(nèi)存顆粒周圍則會有很多電容。用料差的內(nèi)存，在整個PCB板面上都是“光禿禿”的。

    設(shè)計：內(nèi)存的PCB板通常為四層板或者六層板，尤其對于DDR內(nèi)存，由于工作頻率較高，采用六層板為佳。

    不過為了控制成本，廠商通常有更加折中的辦法 ：采用四層板，然后使用單面；或者采用六層板，雙面都使用。不過仍然有很多廠商采用六層板單面設(shè)計，這樣就不惜工本。

    工藝：拿起一根內(nèi)存，看看PCB板的四邊是否有毛邊，是否摸起來光滑。如果是，那么這根內(nèi)存的PCB板邊還是處理的不錯的。

    其次，看看內(nèi)存上顆粒、排阻、電容的焊接工藝，如果焊點圓滑飽滿富有光澤，那么這根內(nèi)存所使用的焊錫和焊接機是比較好的    DDR（Double Data Rate）內(nèi)存是雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率同步動態(tài)隨機存儲器的簡稱，DDR內(nèi)存是SDRAM向前進化的產(chǎn)物，本質(zhì)上和SDRAM完全相同。DDR內(nèi)存可以在時鐘周期的上升或下降階段傳輸數(shù)據(jù)，所以理論上與同頻運行的SDRAM內(nèi)存相比，DDR內(nèi)存具有雙倍于SDRAM內(nèi)存的帶寬。

    DDR內(nèi)存也好像它們的前輩那樣，經(jīng)歷過FPDRAM、EDORAM、SDRAM到今天的DDRRAM變遷之后，隨著技術(shù)進步而被逐步淘汰。

     DDR內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)除了中國臺灣的威盛VIA，矽統(tǒng)SIS，揚智ALI三大芯片廠商的支持以外，DDR AMI2 聯(lián)盟內(nèi)的NEC，MICYON，三星，現(xiàn)代，日立，東芝，三菱，富士通(有些已轉(zhuǎn)RDRAM陣營)等等無一不是世界上有影響力的業(yè)界大廠，在當(dāng)時同時以AMD 760芯片組、VIA KT266芯片組、ALi的MAGIK1芯片組等DDR主板的面市，DDR的聲勢日漸浩大，甚至英特爾也不得不接受DDR的各種優(yōu)勢，在845芯片組中使用DDR，其服務(wù)器芯片i870也支持DDR SDRAM內(nèi)存。其它的電腦廠商如IBM，NEC等更已經(jīng)被DDR SDRAM深深吸引住。

    過去DDR內(nèi)存規(guī)格出現(xiàn)了4種：目前DDR內(nèi)存已經(jīng)有三種規(guī)格，分別是PC1600（帶寬為1.6GB/s）DDR200、PC2100（帶寬為2.1GB/s）DDR266、PC2700（帶寬為2.7GB/s）DDR333，PC3200（帶寬為3.2GB/s）DDR400。

    由于生產(chǎn)成本上同傳統(tǒng)的SDRAM相比只是略有提高，而且只需對原有的SDRAM生產(chǎn)線進行小范圍的改造就能轉(zhuǎn)入DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，再加之不存在任何專利等方面的問題，所以DDR內(nèi)存成為今天乃至今后很長一段時間內(nèi)的主流產(chǎn)品已經(jīng)成為一個不爭的事實。

● DDR內(nèi)存神話：三星TCCD內(nèi)存為什么這么牛？   

    三星是目前世界上最大的半導(dǎo)體公司，也是排名前三名的內(nèi)存廠商，其生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒為各內(nèi)存廠商廣泛采用，編號為TC系列的DDR內(nèi)存顆粒更是得到了超頻玩家們的熱愛，當(dāng)然其中最著名的就是TCCD顆粒。

     繼華邦的BH-5之后，三星的TCCD是第二款應(yīng)該被大家記住并懷念的顆粒；TCCD被稱之為“BH-5的代替者”，某些人贊同這一說法，當(dāng)然也有人反對。TCCD可以稱得上最全面的內(nèi)存芯片，要高參有高參，要高頻有高頻，TCCD可以在2-2-2-X的時序下穩(wěn)定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的時序下以超過300MHz的頻率穩(wěn)定運行，是目前工作頻率最高的DDR內(nèi)存芯片。由于三星早已宣布停產(chǎn)TCCD顆粒，所以市場上采用該顆粒的內(nèi)存越來越少，有點如當(dāng)年的BH-5的引退之勢，當(dāng)然小編還是找到了這樣的內(nèi)存，立即推薦給大家。

    在很多超頻玩家心目中，諸如：海盜、OCZ等內(nèi)存產(chǎn)品都是這些超頻玩家的首選產(chǎn)品，甚至采用D43顆粒的KingStone都被玩家們津津樂道。但是在很長時間里，玩家們都忽略了這樣一個品牌：G.Skill，G.Skill（芝奇）是我國臺灣省臺北市一家內(nèi)存模塊專業(yè)制造商。和其他廠商不同的是G.Skill（芝奇）是由一群計算機狂熱玩家組合成立的，所以其產(chǎn)品充滿了最新最狂熱的理念，那就是‘超頻’。

    極致效能內(nèi)存的制造商 - G.SKILL芝奇發(fā)了他們最新的DDR400 2-2-2-5 一對 1GB 的FX 系列，國內(nèi)市場也已經(jīng)全面到貨，玩家已不用擔(dān)心這只是“非賣品”。 FX 系列是使用三星科技最著名的高效能內(nèi)存顆粒 – TCCD。FX 系列同時兼容于Intel 以及AMD 平臺。

 強悍的默認參數(shù)DDR400 ，5-2-2-2

 芝奇 G.SKILL 1GBFX，512×2雙通道套裝

 官方提供的內(nèi)存技術(shù)參數(shù)