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1200MHz大挑戰(zhàn) 金邦DDR2-800超頻測試

測試標題1200MHz大挑戰(zhàn) 金邦DDR2-800超頻測試
2006年10月16日 00:05作者：郭闖編輯：郭闖文章出處：泡泡網(wǎng)原創(chuàng)
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    繼定位主流“千禧系列”以及面向高端“白金系列”內(nèi)存在國內(nèi)市場被廣大消費者家喻戶曉后，全球專業(yè)的內(nèi)存模塊制造商之一，金邦科技再度發(fā)力高端DIY玩家市場，推出了頻率更高而延時更低的“Ultra Low Latency”系列內(nèi)存。這也是繼當年DDR時代金邦“ONE”系列內(nèi)存后，金邦在DDR2時代的推出的超頻力作，相信其性能一定不會令廣大超頻愛好者失望。

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    金邦DDR2-800 Ultra版內(nèi)存采用了當前流行的雙通道套裝，事實上，金邦也是業(yè)界最早倡導“雙通道套裝”的內(nèi)存品牌。內(nèi)存包裝整體采用灰、黑相間的色調(diào)，正面“DDR2”的字樣十分搶眼，“Ultra Low Latency”代表該系列內(nèi)存為“超低延時版”右側特別采用了一個“儀表盤”圖案，給人以“疾速”、“鋒芒”的視覺沖擊。
 
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    包裝盒特別注明了該內(nèi)存為華碩AM2交火主板——M2R32-MVP的首選推薦，通過內(nèi)存條形碼可以核對兩根內(nèi)存是否為雙通道套裝。目前，金邦Ultra版DDR2內(nèi)存共有533/667/800/1000/1066/1200幾個規(guī)格，該系列產(chǎn)品完全定位于高端DIY市場。
 
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    我們拿到這款DDR2-800 Ultra內(nèi)存為512MB×2版，單面8顆封裝設計，標稱規(guī)格為PC2-6400，產(chǎn)地為臺灣，默認CL值為5，不過特殊強調(diào)了在電壓2.4V條件下，該內(nèi)存可以達成DDR2-800 CL=3-3-3-8的參數(shù)，這也是金邦“Ultra Low Latency”重要賣點。內(nèi)存表面采用了搶眼的橘紅色鋁制散熱片，而且并沒有采用任何扣具，而是通過特殊的導熱隔離膠緊緊將內(nèi)存顆粒與散熱片貼在一起。
 
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    或許是由于金邦Ultra版系列內(nèi)存外形設計太過“嫵媚”，同時又采用“雙通道套裝”（Twins ）的形式，因此也被國內(nèi)超頻圈內(nèi)眾多玩家戲稱它為“阿嬌”。
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 金邦DDR2-800 Ultra所采用的Micron D9顆粒
 
    一款內(nèi)存超頻能力如何，我們首先會關注它所采用的何種內(nèi)存顆粒。小心翼翼的拆掉散熱片，金邦DDR2-800 Ultra內(nèi)存赤裸裸的呈現(xiàn)在人們眼前。熟悉的品牌LOGO，其顆粒第二行的起始編號為D9xxx，沒錯，它就是采用大名鼎鼎的Micron D9顆粒！與DDR時代有口皆碑的的“三星TCCD”、“華邦BH5”一樣，Micron D9正是在DDR2時代涌現(xiàn)出的新一代超頻明星！
 
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 Micron原廠內(nèi)存——Crucial Ballistix系列
 
    我們最早認識Micron D9顆粒應該是從Crucial旗下產(chǎn)品開始，對于國內(nèi)大多數(shù)電腦玩家來說這個品牌并不是很熟悉，甚至很容易將“Crucial”與“Corsair（海盜船）”所混淆。事實上，Crucial正是Micron科技旗下的一家子公司，相當于Micron的自有內(nèi)存品牌，其產(chǎn)品定位與高端用戶市場。
 
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 DDR2時代的超頻明星——Micron fatty D9顆粒
 
    也正是由于Crucial與Micron之間的緊密關系，Crucial最早推出的Ballistix DDR2系列內(nèi)存所采用的“fatty D9顆粒（俗稱”大D9）”，向人們展示Micron DDR2內(nèi)存顆粒強大的超頻潛力，從而在國外各大超頻論壇一炮走紅。大D9顆粒從外觀方面很容易判斷，相對我們常見的DDR2內(nèi)存顆粒身材明顯要長一些。由于采用110nm制程工藝等諸多因素，大D9顆粒本身最大的特點就是十分耐高壓，往往在2.6V甚至更高DIMM電壓的促進下，可以將DDR2內(nèi)存頻率以及參數(shù)發(fā)揮到極限，這點似乎很容易讓我們聯(lián)想起在DDR時代大紅大紫的華邦BH-5顆粒。
 
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 90nm制程工藝后的改良版——Micron 小D9顆粒
 
    隨著DRAM生產(chǎn)制程的改良，目前我們在市場中常見的Micron D9顆粒內(nèi)存均采用90nm工藝，其內(nèi)存顆粒外觀明顯縮小，因此也被廣大電腦發(fā)燒友俗稱為“小D9”。小D9顆粒依然繼承了之前Micron DDR2內(nèi)存強大的超頻特性，不過對于電壓的敏感性稍弱，通常在2.4V電壓附近就可以得出該內(nèi)存顆粒的極限，當然這也與不同內(nèi)存品牌所采用的PCB設計有較大關系。
 
    目前我們常見的小D9顆粒編號有：“D9GMH”、“D9GCT”、“D9GMG、“D9GKX”等?？傮w來說，各個編號D9顆粒的超頻體質相差并不多，通常都可以超頻到DDR2-1000 4-4-4-12這樣的優(yōu)化參數(shù)。
 
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    最后我們不得不說的是，盡管超頻性能強勁的Micron D9顆粒被當前多家知名內(nèi)存品牌所采用，不過Micron D9顆粒的官方標稱參數(shù)確非常保守。以本次測試的“D9GCT”來說，Micron的出廠設定竟然是267MHz等效于DDR2-533，而金邦卻宣稱這款內(nèi)存可以運行DDR2-800 3-3-3-8，難道Micron D9顆粒真的竟然這么神奇嗎？下面讓我們來一起走進本次測試……
● 測試平臺：
 

硬件系統(tǒng)配置

處理器

Intel Core 2 Duo Conroe E6300

主板

技嘉GA-965-DS4 (BIOS：F6)

內(nèi)存

金邦DDR2-800 Ultra 512MB×2

硬盤

希捷Seagate ST380011AS

顯卡

NVIDIA GeForce 7900 GT

電源

七盟Seventeam ST-55EAJ-05A

 
    測試平臺方面，處理器選用了當前超頻圈里呼聲甚高的“扣肉E6300”，主板選用技嘉965P芯片組的經(jīng)典代表作——GA-965-DS4。為了測試好這款內(nèi)存，小編在主板選擇方面可以說煞費苦心，中途幾經(jīng)更換不同品牌的965/975主板，最終敲定GA-965-DS4來完成本次這次，在超外頻以及內(nèi)存頻率異步的情況下表現(xiàn)尤為令人滿意！
 
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    這里說點題外話，小編拿到這款GA-965-DS4出廠BIOS為“F3版”，起初的超頻過程中只能達到350外頻，同時在內(nèi)存異步的情況下無法開機，最終通過刷新F6版BIOS完美解決以上問題，CPU輕松超至400×7，推薦所有使用GA-965-DS4主板的朋友更新技嘉官方最新的F6版BIOS。
 

測試軟件

CPU-Z 1.36

處理器、內(nèi)存參數(shù)檢測

技嘉EasyTune5

處理器、內(nèi)存參數(shù)檢測、動態(tài)超頻

Super PI V1.2

超頻穩(wěn)定性測試、性能測試

MemTest V3.5

超頻穩(wěn)定性測試

 
    測試軟件方面，通過技嘉EasyTune5除了對處理器、內(nèi)存頻率、電壓檢測外，還能系統(tǒng)環(huán)境下提供動態(tài)超頻功能，十分方便。超頻穩(wěn)定性方面，主要通過Super PI以及MemTest來實現(xiàn)，其中后者更具有說服力，通常穩(wěn)定通過MemTest 100%運算的內(nèi)存均可以宣告超頻成功。
 
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    首先我們在一切默認參數(shù)的情況下開機，通過CPU-Z 1.36版獲取E6300的默認運行頻率為266×7=1866MHz，而金邦DDR2-800 Ultra的默認運行頻率為533MHz，F(xiàn)SB:DRAM比值為1:1，默認運行時序為3-4-4-10，與我們在Micron官網(wǎng)獲得的“D9GCT”顆粒參數(shù)相符。
 
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    金邦DDR2-800 Ultra的SPD信息比較完整，單條容量為512MB，規(guī)格為PC2-6400（400MHz），品牌為：GEIL（金邦），出廠時間為06年第33周。盡管下表列出了幾個不同頻率下的時序參數(shù)，不過我們注意到在Part Number（顆粒編號）一欄中清楚的注明了：“CL=3-3-3 DDR2 800+”的字樣，也證明了這是一款超頻內(nèi)存的身份。
 
    OK，接下來我們進行超頻測試……
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 800MHz 5-5-5-15 1.8V
 
    首先，我們在默認參數(shù)情況下將CPU外頻至400×7，DIMM電壓為默認1.8V不變的情況下FSB:DRAM比值為1:1，此時的內(nèi)存頻率為800MHz，默認運行時序為5-5-5-15，穩(wěn)定通過Super PI 1M測試以及MemTest 100%測試。
 
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 800MHz 3-3-3-8 2.4V
 
    接下來對這款內(nèi)存參數(shù)進行優(yōu)化，在主板BIOS中將DIMM電壓提升至2.4V，“Tcl-Trcd-Trp-Tras”幾項參數(shù)依次調(diào)節(jié)為“3-3-3-8”，開機后CPU-Z 1.35的識別信息略有偏差。如上圖所示，這里檢測Tras值為9，不過對于內(nèi)存性能測試并不會造成絲毫影響。金邦DDR2-800 Ultra內(nèi)存不負眾望，高頻、低延時下穩(wěn)定通過測試。不過小編隨后嘗試將DIMM電壓降低0.1V，也就是2.3V，發(fā)現(xiàn)無法通過穩(wěn)定性測試，而2.2V的情況下則無法開機。果不其然，Micron D9顆粒在超頻時對電壓還是非常依賴的。
 
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 1000MHz 4-4-4-8 2.4V
 
    鎖定CPU頻率，通過異步的方式繼續(xù)摸索該內(nèi)存的頻率極限，這里同樣對主板的超頻性能是一個嚴格的考驗，小編之前嘗試用過其它幾塊965/975主板，在高頻率異步情況下均無法開機。電壓依然為2.4V，內(nèi)存頻率提升至1000MHz，F(xiàn)SB:DRAM比值為4:5，運行時序為3-3-3-8時的表現(xiàn)為無法開機。嘗試降低參數(shù)要求，運行時序為4-4-4-8時可以進入系統(tǒng)并通過穩(wěn)定性測試。
 
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 1066MHz 5-4-4-8 2.4V
 
    繼續(xù)進行“爬高”測試，DIMM電壓依然為2.4V，內(nèi)存頻率提升至1066MHz，F(xiàn)SB:DRAM比值為3:4，運行時序為4-4-4-8時可以進入系統(tǒng)卻無法通過穩(wěn)定性測試，嘗試降低參數(shù)要求，運行時序為5-4-4-8時測試全部通過。
 
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 1200MHz 6-6-6-8 2.4V
 
    經(jīng)過了突破了1GHz大關后的欣喜，我們繼續(xù)尋找這款內(nèi)存的極限頻率，DIMM電壓保持為2.4V，根據(jù)主板BIOS的分頻設計，我們硬著頭皮嘗試了1200MHz是否可行，此時的FSB:DRAM比值為2:3。測試發(fā)現(xiàn)運行時序為5-4-4-8時無法開機，調(diào)整6-5-5-8后可以進入系統(tǒng)不過卻無法通過MemTest測試，最終在6-6-6-8這樣的“高延時”參數(shù)下完成了測試，而此時主板BIOS中的內(nèi)存CL值已經(jīng)調(diào)到了極限。
 
● 總結：
 
金邦DDR2-800 Ultra超頻參數(shù)表
頻率電壓FSB:DRAM運行時序進入系統(tǒng)Super PI 1MMemTest 100%
800MHz1.8V1:15-5-5-15√√√
800MHz2.2V1:13-3-3-8×××
800MHz2.3V1:13-3-3-8√××
800MHz2.4V1:13-3-3-8√√√
1000MHz2.4V4:53-3-3-8×××
1000MHz2.4V4:54-3-3-8√××
1000MHz2.4V4:54-4-4-8√√√
1066MHz2.4V3:44-4-4-8√××
1066MHz2.4V3:45-4-4-8√√√
1200MHz2.4V2:35-4-4-8×××
1200MHz2.4V2:36-5-5-8√√×
1200MHz2.4V2:36-6-6-8√√√
 
    在最后的超頻過程中，當處理器外頻鎖定在400FSB時，由于主板BIOS FSB:DRAM比值固定的關系，無論我們?nèi)绾握{(diào)整內(nèi)存參數(shù)以及電壓均無法突破1333MHz大關，不過這樣的超頻成績依然令我們十分滿意！
 
    測試中我們也發(fā)現(xiàn)，隨著二級緩存容量的提升，如今的“扣肉”處理器對內(nèi)存時序并不敏感，而且在內(nèi)存異步高外頻條件下的性能提升也不明顯，不過金邦DDR2-800 Ultra內(nèi)存的搶眼表現(xiàn)依然無法掩蓋。當前可以在雙通道條件下穩(wěn)定運行在1200MHz頻率下的DDR2內(nèi)存屈指可數(shù)，這里我們特別強調(diào)雙通道內(nèi)存，有經(jīng)驗的超頻玩家都知道，不同內(nèi)存、甚至同一根內(nèi)存不同顆粒的超頻體質差異往往決定了是否可以創(chuàng)造出好的成績。這也是諸如：Corsair、G.SKILL、OCZ等知名超頻內(nèi)存品牌都喜歡將特選顆粒的特選條，在經(jīng)過人工測試、篩選匹配到一起，以雙通道套裝的形式發(fā)售的重要原因。
 
    之前我們一篇《PCPOP破世界外頻紀錄 超頻第一人專訪》文章相信大家都有印象，為了追求同步600外頻也僅采用了單條512MB的內(nèi)存設置。對于追求極限CPU、內(nèi)存同步高外頻的超頻玩家來說，金邦DDR2-800 Ultra雙通道套裝非常值得推薦！
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