三星蟬聯(lián)! 06年全球NAND市占排名出爐
據(jù)市調機構iSuppli報告指出，2006年第三季NAND型閃存銷售額達31億美元，較第二季27億美元成長11.8%，其中日本大廠東芝（Toshiba）因位產(chǎn)能（bit production）順利提升，銷售表現(xiàn)尤其亮眼，市占率向上推升至27.8%，與龍頭大廠三星電子（Samsung Electronics）之間的距離頓時拉近不少。值得注意的是，受到終端產(chǎn)品需求不如預期所影響，iSuppli表示，近期可能會縮減第四季NAND型閃存銷售預估。
東芝繼續(xù)表現(xiàn)出色，第三季銷售額達8.49億美元，和前一季的6.73億美元相較增長了26.2%，市占率亦由24.6%推升至27.8%，同期間身為NAND型閃存龍頭的三星電子，市占率則反而由第二季的46.2%降至43.1%，使得東芝與三星市占差距頓時縮小，并且拉開與排名第三的海力士（Hynix）之間的距離。海力士第三季市占率延續(xù)第二季18.5%的成績，與東芝相差了9.3個百分點。
iSuppli表示，位產(chǎn)能迅速成長，是東芝第三季強勁表現(xiàn)的一大助力，數(shù)據(jù)顯示東芝該季位產(chǎn)能較上1季勁揚70%，遠高于整體產(chǎn)業(yè)平均成長幅度44%。
另一方面，甫加入NAND型閃存市場不久的英特爾（Intel）以及近期積極投入的美光（Micron），2業(yè)者合資成立IM 閃存主攻NAND型閃存，雖銷售規(guī)模仍小，但亦展現(xiàn)高度成長動能，季增率分別高達127.8%、35.3%。
iSuppli特別指出，廠商快速提高MLC（Multi-Level-Cell）技術產(chǎn)能，可大幅提升NAND型閃存芯片容量，為產(chǎn)業(yè)正面發(fā)展，三星和海力士第三季MLC芯片即分別占整體產(chǎn)能40%、50%，iSuppli預測，若以位計算，2007年第一季MLC技術制程將占市場整體產(chǎn)能的8成。
泡泡網(wǎng)視點：NAND規(guī)格晶片多應用在小型記憶卡，以儲存資料為主。當07年MLC（Multi-Level-Cell）技術制程成熟時，NAND型閃存芯片容量就能大幅度提升，到時以小容量NAND型閃存芯片的記憶卡價格必定會再次下調。
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