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富士通:2010年筆記本硬盤容量達(dá)到1TB

    富士通早期宣稱已經(jīng)制造出一種“晶格介質(zhì)”設(shè)備，利用單向陣列納米管介質(zhì)將磁軌寬度減小到了驚人的25納米，從而可以將存儲密度提高到每平方英寸1TB，是現(xiàn)有實際硬盤水平的5倍。

    近期，應(yīng)用這個技術(shù)，富士通計劃最早在2010年推出1.2TB容量的雙碟裝筆記本硬盤。聲稱已經(jīng)制造出了理想、整齊的納米孔氧化鋁膜，并演示了新材料基本的讀寫操作能力，從而為實現(xiàn)晶格介質(zhì)存儲和更大的硬盤容量奠定了堅實的基礎(chǔ)。

    富士通的納米孔氧化鋁膜介質(zhì)也是通過垂直記錄技術(shù)實現(xiàn)的，涉及納米壓引光刻、陽極氧化、鈷電沉積等尖端技術(shù)，納米孔垂直間隙約100納米，適合現(xiàn)有的磁頭技術(shù)。與垂直記錄技術(shù)類似，富士通的新方法不會改變硬盤的基本模式，只是在技術(shù)細(xì)節(jié)上進(jìn)行更新，外觀看起來仍是由旋轉(zhuǎn)的碟片和飛行的磁頭組成。