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三星發(fā)布60nm制程 2Gb DDR2 Dram顆粒

    三星電子今天發(fā)布其第一款60nm  2Gb DDR2 DRAM,并將在下半年開始量產(chǎn)。  

    與80nm 2Gb DDR2相比較而言, 60nm 的速度提高了20%，達(dá)到了800Mbps 。而且,新2Gb DDR2的生產(chǎn)效率更是提高了40%，Samsung同時還提供給2Gb DDR2 四種類型模塊，包括 8GB 充分緩沖, 雙重軸向記憶模塊(FBDIMMs); 8GB 注冊雙重軸向記憶模塊(RDIMMs)，4GB無緩沖，雙重軸向記憶模塊(UDIMMs)，和4GB 小概述，雙重軸向記憶模塊(SODIMMs) 。

    此外，相比同樣容量的模塊，新模塊消耗大約減少30% 電力，可以讓發(fā)熱量降低。