自主研發(fā)+自主建廠國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片廠開(kāi)工
全球最主要的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能都掌握在美國(guó)、日本與韓國(guó)公司手中，DRAM內(nèi)存是三星、美光及SK Hynix，NAND閃存領(lǐng)域則是三星、SK Hynix、東芝/閃迪、美光/Intel等四大豪門(mén)，國(guó)內(nèi)所用的內(nèi)存及閃存基本上都是進(jìn)口的。在這種情況下，國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體扶植基金把存儲(chǔ)芯片作為突破口，將耗資240億美元在武漢建設(shè)國(guó)內(nèi)最大、非常先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片基地，現(xiàn)在這個(gè)項(xiàng)目就要開(kāi)始實(shí)施了——武漢新芯公司28日就會(huì)正式開(kāi)工建設(shè)自主研發(fā)的晶圓廠。
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片這個(gè)項(xiàng)目曾經(jīng)吸引了國(guó)內(nèi)多個(gè)城市競(jìng)爭(zhēng)，去年確定落戶武漢市，由武漢新芯公司負(fù)責(zé)建設(shè)、運(yùn)營(yíng)。值得一提的是，在競(jìng)爭(zhēng)中落敗的合肥市并沒(méi)有放棄，他們聯(lián)合了前爾必達(dá)董事長(zhǎng)坂本幸雄設(shè)立的兆基科技公司投資8000億日元在合肥建造另外的存儲(chǔ)芯片廠，國(guó)內(nèi)一下子要造出兩個(gè)存儲(chǔ)芯片基地了。
合肥的項(xiàng)目還沒(méi)有最終成行，相比之下武漢的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片建設(shè)已經(jīng)踏上正軌了，本月28日就會(huì)舉行首座12英寸晶圓廠動(dòng)工儀式。他們的最終目標(biāo)是籌資240億美元，至少會(huì)有2座12英寸晶圓廠，月產(chǎn)能高達(dá)30萬(wàn)片晶圓，日后將成為中國(guó)最大、非常先進(jìn)的存儲(chǔ)器研發(fā)與生產(chǎn)制造基地。
武漢新芯公司成立于2006年，是湖北武漢市的重大戰(zhàn)略投資項(xiàng)目，2008年12寸晶圓廠投產(chǎn)，原本是中芯國(guó)際旗下的晶圓廠，2013年中芯國(guó)際推出運(yùn)營(yíng)，武漢新芯成為獨(dú)立公司，由武漢市政府負(fù)責(zé)。目前武漢新芯戰(zhàn)地面積531畝，現(xiàn)有一座12寸晶圓廠，主產(chǎn)NOR閃存。
相比NAND閃存及3D閃存，NOR閃存目前來(lái)說(shuō)已經(jīng)不是主流了，這意味著新芯公司與國(guó)際公司存在的技術(shù)代溝。此前該公司也曾尋求與三星、SK Hynix及美光等公司技術(shù)合作，但最終都沒(méi)有結(jié)果，因此武漢新芯公司將采用自主研發(fā)、自主建廠的方式運(yùn)營(yíng)。
根據(jù)之前的消息，新芯公司之前跟Spansion飛索半導(dǎo)體合作開(kāi)發(fā)3D NAND閃存，這應(yīng)該是他們的閃存技術(shù)來(lái)源了，但是不確定這種3D閃存的技術(shù)水平到底如何。
武漢新芯公司官網(wǎng)上今年的新聞只有一條，不過(guò)最新的幾條新聞都是圍繞3D NAND閃存的，看起來(lái)他們也確實(shí)把3D閃存作為攻堅(jiān)重點(diǎn)。
目前存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，隨著新工藝及投入的增大，三星、SK Hynix等公司的產(chǎn)能都在迅速提升，下半年內(nèi)存價(jià)格都有可能暴跌40%，NAND閃存市場(chǎng)同樣也會(huì)降價(jià)的壓力，這對(duì)國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片公司來(lái)說(shuō)是個(gè)考驗(yàn)。綜觀國(guó)內(nèi)液晶及LED產(chǎn)業(yè)的崛起，國(guó)內(nèi)公司都是靠著政府支持及補(bǔ)貼大打價(jià)格戰(zhàn)來(lái)占領(lǐng)市場(chǎng)的，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域同樣難逃這個(gè)命運(yùn)。我們?cè)谥С謬?guó)內(nèi)公司做大做強(qiáng)的同時(shí)，也希望這些公司能以技術(shù)優(yōu)勢(shì)立足而不是一味拼低價(jià)，國(guó)內(nèi)的鋼鐵產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在就是個(gè)“榜樣”。■
關(guān)注我們
