借力群聯(lián) 影馳布局3D架構閃存優(yōu)勢詳解
自2007年全球首次出現(xiàn) 3D堆疊式結構閃存以來，東芝一直致力于優(yōu)化大批量生產的研發(fā)。為更好地滿足快速增長的閃存市場需求，東芝將瞄準大容量、小型化的應用領域，積極推動3D堆疊式結構閃存，2014年起東芝就已經量產15nm工藝2D NAND閃存。但在提升閃存的性能和降低成本上，15nm已經是極限。下一代存儲技術開始向3D架構發(fā)展。在3D時代，閃存的架構就顯得格外重要。
由于2D NAND閃存簡單堆棧是可以作出3D NAND閃存的，但制造工藝復雜，要求很高，而東芝的BiCS閃存是Bit Cost Scaling，強調的就是隨NAND規(guī)模而降低成本，號稱在所有3D NAND閃存中BiCS技術的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。
此次研制成功的64層堆疊閃存，是去年48層堆疊3D 閃存的換代產品，單 Die 容量比老產品擴大了將近1.4倍，但是其單位面積卻縮小了，使得整片閃存的封裝尺寸也跟著一塊兒“縮水”，結果就是空間占用率和制造成本隨之下降。新一代BiCS閃存是64層堆棧的，核心容量256Gb(32GB)，未來還會推出容量高達512Gb的產品。東芝表示64層堆棧的3D NAND閃存單位面積容量增加了40%，每片晶圓所能生產的NAND容量也變大了，成本隨之降低。
東芝 BICS 3D閃存特點
高容量
在同樣的晶片面積, 以垂直堆疊的方式, 記憶體單元 (memory cell)集成更多。
高可靠度
閃存單元空間獨立,單元內電核擾動影降低, 可靠度提升。
高速度 – 采用一次完成編程演算法(1-Pass Program Algorithm) ，寫入速度更快。
高效節(jié)能 –通過一次完成編程演算法(1-Pass Program Algorithm)能同時多多重分頁寫入資料,降低閃存寫入次數(shù), 功耗更低。
未來走勢
展望2017年, 東芝預計以低于2D的15nm閃存價格,量產64層堆棧 3D NAND，與此同時各大閃存廠商亦將會在2017年在64層閃存市場上角逐江湖。 3D NAND ,從2016年開始應用在SSD產品， 估計在2019-20年, 將會主導NANDFlash市場, SSD 與電子產品將會是主要應用產品。目前，東芝最大合作伙伴，群聯(lián)針對3D閃存進行相應的調試和布局。眾所周知影馳作為群聯(lián)在大陸唯一合作伙伴。憑借良好的上游資源傾斜，也將加入3D 閃存 SSD的第一陣營。據(jù)其產品相關負責人介紹，影馳亦將于2017年, 推出搭載東芝 BICS 3D閃存的 SATA 與 PCIE接口SSD?！?/p>
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