想當經紀人？先讀懂3D 閃存結構再說
在NAND Flash普及的進程中，隨著2D平面閃存工藝進步，到達15nm的水平后，相關問題隨之出現(xiàn)。每個閃存儲存單元儲存的電子越來越少，能抗磨損(每次寫入、擦除，需要高電壓，材料對電子控制能力隨之變弱)的冗余電子減少，嚴重影響閃存耐久度。因此，3D NAND目前已經成為閃存界的新寵。那么如果在跟人討論3D閃存的時候裝逼呢?
一、行業(yè)背景
首先要對當前生產3D NAND的廠商了如指掌，張口就來。比如Intel的3D Xpoint，那就是未來型的，高效的交叉陣列結構。儲存裝置的速度和耐用度可達到當前NAND Flash的1,000倍。定位是在DRAM與SSD之間充當新的存儲層，走在技術的最前端。
還有三星的 V-NAND，采用的進度最快的堆棧方式。放棄了傳統(tǒng)的浮柵極MOSFET，改用自家的電荷擷取閃存(charge trap flash，簡稱CTF)設計。P/E擦寫次數(shù)可達35000次。
然后再提到東芝的BICS 3，是所有3D NAND閃存中BiCS技術的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。采用3-bit-per-cell技術和一次完成編程演算法(1-Pass Program Algorithm) 。也就是性價比型的，那么從成本的角度考慮，產品只有性價比占據(jù)了優(yōu)勢，才能引領新的閃存完成更替。
二、專有術語
講完背景就要用專業(yè)術語來提升逼格，比如說我們講SSD就會比講固態(tài)硬盤要顯得6。
那么關于3D NAND的關鍵制造工藝如下，也給你們準備好了。
(3D制造工藝)
High aspect ratio trenches(高深寬比的溝開挖)
No doping on source or drain(在源與漏中不摻雜)
Perfectly parallel walls(完全平行的側壁)
Tens of stairsteps(眾多級的樓梯(臺階))
Uniform layer across wafer(在整個硅片面上均勻的淀積層)
Single-Litho stairstep(一步光刻樓梯成形)
Hard mask etching(硬掩模付蝕)
Processing inside of hole(通孔工藝)
Deposition on hole sides(孔內壁淀積工藝)
Polysilicon channels(多晶硅溝道)
Charge trap storage(電荷俘獲型存儲)
Etch through varying materials(各種不同材料的付蝕)
Deposition of tens of layers(淀積眾多層材料)
三、行業(yè)前景
最后，就得談點行業(yè)前景作為收尾。要是有人說現(xiàn)在都有SSD用上3D閃存了，你就得義正言辭的看著他說，“這個我懂，但是那是48層堆棧的，性價比不高。”真正大規(guī)模進入市場的時間是2016年Q4-2017年Q1季度，7月27日，東芝率先推出64層堆棧的3D NAND。標志著新一代3D NAND吹響了進入存儲行業(yè)的號角。作為直系供應鏈的群聯(lián)已經拿到內部工程樣品，目前正進行緊張有序的VL 測試。而作為群聯(lián)大陸唯一合作伙伴的影馳已經做好相關產線規(guī)劃布局，成為行業(yè)領導地位有力角逐者。
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