性能不錯，價格也不錯，利屏PC3200
正如我們在上一次的《OCZ PC3200白金雙通道套裝內存評測紀實》中所談到的，借助DDR400和雙通道技術的支持，低延遲設定的品牌DDR400雙通道內存套裝正開始在市場上紛紛出現(xiàn)。
今天，我們要為大家介紹的來自深圳利屏科技的LPT256—3200W，就是這樣的一款內存套裝產(chǎn)品。
利屏LPT256—3200W雙通道套裝（點擊放大）
低延遲參數(shù)的品牌雙通道內存套裝，其優(yōu)越性在我們上一次的文章中已經(jīng)作出了相關解說。然而，面對這些紛紛出現(xiàn)在市場上的內存雙通道套裝，DIYer們在實際選購時仍不免產(chǎn)生以下的一些疑問：
◎ 基本規(guī)格相近，但價格、品牌不同的低延遲雙通道內存套裝在性能表現(xiàn)上，相互之間的差異會有多大？
◎ 這些品牌雙通道套裝內存條，在打開雙通道功能時的性能表現(xiàn)與大家已經(jīng)熟悉的，以Kingston DDR333 ValueRAM為代表的，普通非套裝品牌內存條性能差別有多大；單通道情況下表現(xiàn)又會如何？
這些問題，其實也是編輯比較關注的一些問題。而本次測試，我們也將通過組織利屏科技LPT256-3200W、OCZ PC3200白金雙通道套裝以及Kingston ValueRAM DDR333內存的默認狀態(tài)以及超頻性能的對比測試，圍繞以上兩個大家關心的問題，為用戶提供一些選購的參考信息。<
在數(shù)據(jù)測試開始之前，還是先來熟悉一下本次我們收到的LPT256-3200W吧！
近距離觀察利屏DDR400雙通道組件（點擊放大）
與OCZ等國際知名品牌類似，本次送測的利屏科技LPT256-3200W DDR400內存套裝使用了散熱性能優(yōu)良的銅質散熱片，拿在手里感覺份量較沉。同時為了保證產(chǎn)品的整體外觀持久耐用，防止銅片日久氧化，利屏科技還對銅質散熱片進行了表面處理。
除此以外，從底部也可以看出該內存模組使用了8顆芯片，顆粒采用雙面布置結構。
利屏DDR400雙通道組件底部（點擊放大）
從外觀上看，利屏科技LPT256-3200W DDR400內存套裝的確透出一股不凡的氣質，各方面的做工品質確實很不錯。如果能在品牌LOGO的設計和印制上再作些改進，無疑將更加吸引買家的眼球。
利屏DDR400雙通道組件標貼
而基本性能指標方面，正如其標貼所展示的，這款來自利屏科技的雙通道內存套裝詳細參數(shù)如下：
| 利屏LPT256-3200W雙通道套裝內存條默認參數(shù) | |
| 參數(shù)名稱 | 數(shù)值 |
| 峰值帶寬 | 3.2GB/s [PC3200] |
| Tras | 6 |
| Trcd | 3 |
| Trp | 2 |
| CL | 2 |
| 核心電壓 | 2.6v |
| 最高電壓 | 無廠方資料 |
不過，與顯卡類似，內存條硬件方面的品質除了外殼散熱與屏蔽設計以外，我們認為仍將由以下的因素來決定：
◎ 所用的內存芯片型號。無疑，內存條所使用的內存芯片型號將對內存品質起最主要的影響作用。
◎ 顆粒周邊，保障信號穩(wěn)定性的元件及其布置狀況。
◎ PCB布線、層數(shù)等參數(shù)。
以下，我們就去除外部散熱片，圍繞以上幾點來看看這套利屏DDR400內存套裝和參測的OCZ、Kingston內存的內部情況對比。
從上到下依次為利屏、OCZ和金士頓的內存內部揭秘（點擊放大）
以上可見，利屏科技送測的此套內存模組，使用了備受好評的華邦科技W942508CH-5的32M×8規(guī)格顆粒，而其余方面的設計和用料相比之下也可說是中規(guī)中矩。請各位特別注意，參測普通品牌內存條使用的是英飛凌HYB25D256800BT-6芯片。該芯片的可超性在DIY群中也是有口皆碑的。然而眾所周知，普通品牌的低規(guī)格內存條經(jīng)常更換所使用的芯片顆粒，因此本次測試的結果很難準確反映該型號內存條的普遍性能，具備一定的局限性。
為了便于讀者比較，我們搜集了相關資料，并結合3種內存的SPD信息，列出對比測試中我們所使用的3種內存條的參數(shù)、規(guī)格對比如下，以供各位參考：
<
當然，盡管通過前面的分析，我們對于利屏DDR400內存套裝的情況已經(jīng)有相當?shù)牧私猓欢搩却嫣籽b的實際性能，最終仍需通過實際的測試來檢測，否則不免落入紙上談兵的俗套之中。同上一次的OCZ PC3200內存套裝測試相同，本次測試也安排了標準狀態(tài)以及超頻測試兩大塊。
以下就是本次測試時所使用的測試配置：
| 硬件配置、設置部分 | |||
| 處 理 器 | P4 3GHz [FSB 800MHz，超頻測試倍頻調節(jié)為11] | ||
| 內 存 | OCZ EL DDR PC-3200 Dual Channel Platinum | ||
| 利屏科技LPT256-3200W雙通道套裝 | |||
| 金士頓ValueRAM KVR333X64C25/512 [DDR333] | |||
| 主 版 | ASUS P4P800S [Intel865PE芯片組] | ||
| BIOS 設 置 | 內 存 處 理 器 相 關 | 內存/前端總線頻率比 | 1:1 |
| AGP/PCI頻率 | 66.66/33.33 | ||
| 內存電壓 | 2.6/2.75 [相間測試說明] | ||
| Performance | Turbo/Auto [相間測試說明] | ||
| 超線程 | 關閉 | ||
| CL | 詳見具體測試說明 | ||
| Trp | |||
| Trcd | |||
| Tras | |||
| 突發(fā)長度 | 4 | ||
| Acceleration Mode | 開啟/AUTO [相間測試說明] | ||
| 其余相關 | Auto | ||
| AGP相關 | AGP Aperturesize：256MB，快寫 ON，AGP8× ON | ||
| 其余設置 | Spread Spectrum | | |
| ICH Delay Transport | OFF | ||
| 附件 | 內置聲卡、網(wǎng)卡 OFF | ||
| 顯 卡 | Inno3D GeforceFX 5950Ultra [475/950MHz] | ||
| 硬 盤 | 西捷酷魚Ⅴ 60GB | ||
| 軟件設置部分 | |||
| 操作系統(tǒng) | 英文版WinXP SP1 with DirectX 9.0b | ||
| 主板驅動 | Inf 5.10.1008 | ||
| 顯卡驅動 | NVIDIA Forceware 53.03 WHQL [Sync OFF] | ||
| 桌面設置 | 1024×768×85MHz×32bit | ||
| 測試項目詳表 | |||
| 處 理 器 內 存 單項性能 測 試 | SiSoft Sandra 2004 | ||
| ScienceMark 2 | |||
| Super π英文版 | |||
| 綜合測試 | PCMark 2004 | ||
| 游戲單項 性能測試 | UT2003 | ||
| Q3 v1.17 | |||
眾所周知，內存子系統(tǒng)的性能表現(xiàn)與主板BIOS中的設置關系十分密切，這種情況在ASUS P4P800這類需要通過適當?shù)腂IOS設置，方能正常開啟PAT功能的865PE主板上顯得尤為突出。而我們所謂的標準狀態(tài)，指的就是測試時我們使用如下表所示的主板BIOS設置。簡明起見，編輯只列出關鍵設置的部分，完整設置請結合測試配置說明中所列表項。
| BIOS父項目 | 選項 | 設置值 | ||
| ADVANCED-JUMP FREE | CPU倍頻 | 15 | ||
| 內存/FSB頻率 | 400MHz/400MHz | |||
| PERFORMANCE | 利屏 | OCZ | 金士頓 | |
| A | T [A] | A | ||
| 內存核心電壓 [V] | 2.6 | 2.6(2.6) | 2.6(2.75) | |
| ADVANCED-CHIPSET | 時序參數(shù)設置 | 利屏 | OCZ | 金士頓 |
| CL | 2 | 2 (2) | 2.5 (2.5) | |
| TRP | 2 | 2 (3) | 4 (3) | |
| TRCD | 3 | 2 (2) | 4 (3) | |
| PRECHARGE (TRAS) | 6 | 5 (5) | 8 (6) | |
| BURST LENGTH | 4 | |||
| ACCERLERATION MODE | AUTO | |||
| 其余內存相關 | AUTO | |||
注：表中“A”=AUTO，“T”=TURBO
正如Xbitlabs.com上這篇文章中所提及的，在ASUS P4P800主板上，只有在PERFORMANCE選項設為 TURBO；同時將ACCERLERATION MODE設為“AUTO”或“ENABLE”時，才能獲得最高的內存子系統(tǒng)性能。
◎ OCZ：上文這兩個選項都設定為打開時，BIOS將強制內存時序設置為5-2-2-2。經(jīng)過測試，只有OCZ的PC3200套裝，才能在以上3個條件都滿足的情況下，在2.6V的DDR核心電壓下正常工作。因此我們選擇了此種狀態(tài)為標準狀態(tài)。此外為了便于比較，我們還把PERFORMANCE選項設為“AUTO”，同時將時序設置為標稱的5-2-3-2進行了追加測試。
◎ LPT：利屏科技送測的LPT256-3200W套裝，不論在2.6V或是2.75V的DDR核心電壓下測試時，都只能在廠方標稱時序6-3-2-2，PERFORMANCE選項設為“AUTO”，同時將ACCERLERATION MODE設為“AUTO”或“ENABLE”時正常工作，因此我們選擇此種狀態(tài)為其標準狀態(tài)。由于無法在400MHz下達到5-2-2-2的極高延遲指標，因此無法滿足P4P800上完全開啟PAT功能的高要求，這將對性能造成了一定的影響。
◎ Kingston：金士頓的DDR333普通內存條，也出現(xiàn)LPT256-3200W套裝同樣的問題。只有將PERFORMANCE選項設為“AUTO”，并選擇8-4-4-2.5為工作時序時，才能夠保持較為穩(wěn)定的工作狀態(tài)，因此我們選擇此種狀態(tài)為其標準狀態(tài)。此外為了便于比較，我們還通過提升內存電壓為2.75V，將時序調節(jié)為6-3-3-2.5進行了追加測試。
以下是按照標準（追加）狀態(tài)進行的性能測試詳細結果。
首先是用于測試參考的CPU的性能測試，這一部分主要使用SiSoftware Sandra 2004來進行：
通過上面的參考測試，可見各次測試中CPU的性能表現(xiàn)是十分接近的（差距均在1％以內），排除了CPU對后面測試中內存得分可能造成的影響。這樣我們就可以放心使用不同內存進行進一步的測試了。首先仍然是考核內存子系統(tǒng)持續(xù)帶寬以及延遲的參數(shù)性測試部分，此部分我們主要使用SiSoftware Sandra 2004以及ScienceMark 2.0進行。
| ScienceMark2.0 內存參數(shù)性能測試 | OCZ 5-2-2-2 | OCZ 5-2-3-2 | 6-3-3-2.5 | 8-4-4-2.5 | LPT 6-3-2-2 |
| 內存持續(xù)帶寬 | 4473.53 | 4105.95 | 3978.70 | 3814.06 | 4022.59 |
| 內存延遲周期 [256Byte Stride] | 214cycle | 214 | 260 | 270 | 243cycle |
| 內存延遲數(shù) [256Byte Stride] | 71.17ns | 71.17 ns | 86.47 ns | 89.15 ns | 80.82ns |
|
|
內存實際性能測試的第二部分是大家十分感興趣的游戲測試部分，此部分我們主要使用大家已經(jīng)十分熟悉的“虛幻競技場”和“雷神之錘”這兩個游戲來進行考核：
最后，是考驗系統(tǒng)綜合性能的測試部分，此部分我們主要使用較新的PCMark 2004進行測試：
由這一部分的各項測試結果來看，在各項參數(shù)測試軟件中，各內存得分基本按照由高至低的售價檔次進行排列。在標準狀態(tài)的測試中，利屏LPT325-PC3200W在前面的參數(shù)測試中，體現(xiàn)出相比普通品牌內存較為明顯的優(yōu)勢，但并沒有在后面的實際游戲測試以及PCMark 2004綜合性能測試中體現(xiàn)出明顯的優(yōu)勢來。<
與標準狀態(tài)測試時類似，為了充分排除處理器、北橋等的限制因素，我們規(guī)定了超頻測試時的系統(tǒng)BIOS設置，現(xiàn)將主要部分列出如下：
| BIOS父項目 | 選項 | 設置值 | ||
| ADVANCED-JUMP FREE | CPU倍頻 | 11 | ||
| 內存/FSB頻率 | 1:1 | |||
| PERFORMANCE | 利屏 | OCZ | 金士頓 | |
| AUTO | ||||
| 內存核心電壓 (V) | 2.75 | |||
| ADVANCED-CHIPSET | 時序參數(shù)設置 | 利屏 | OCZ | 金士頓 |
| CL | 詳見測試結果 | |||
| TRP | ||||
| TRCD | ||||
| PRECHARGE (TRAS) | ||||
| BURST LENGTH | 4 | |||
| ACCERLERATION MODE | AUTO | |||
| 其余內存相關 | AUTO | |||
以下為本單元詳細的超頻測試結果列表：
超頻測試結果列表（點擊放大）◎ 一分錢一分貨。價格和品牌不同的低延遲雙通道內存套裝，在標準狀態(tài)下的性能表現(xiàn)相互之間的差異還是比較大的。盡管利屏LPT256-3200W雙通道套裝能夠達到6-3-2-2的時序已屬出色，同時此款內存相比OCZ同類產(chǎn)品具備相當大的性價比優(yōu)勢。但在延遲參數(shù)更低的5-2-2-2面前仍然顯露出一些不足。當然，在可超性方面該款內存套裝的性能顯然是十分出色的，如果您希望在雙通道配置下進行超頻，或想達到較高的延遲參數(shù)，該款利屏雙通道套裝內存條顯然是很不錯的選擇。
◎ 好鋼要用在刀刃上。本次測試中我們可已發(fā)現(xiàn)，在雙通道狀態(tài)下運行時，利屏LPT256-3200W雙通道套裝比較普通品牌內存，不論是在標準狀態(tài)測試還是在超頻性能測試中，都顯示出了較強的優(yōu)勢。這種情況在此款內存套裝主攻的雙通道超頻性能上尤甚。但到了單條運行的情況下，并沒有顯現(xiàn)出特別明顯的優(yōu)勢。
◎ 對普通品牌DDR333內存，在本次測試中的部分成績出色而欣喜的用戶應注意，盡管本次測試中低規(guī)格普通品牌內存通過加壓超頻至DDR400使用時，在部分項目上表現(xiàn)不錯。但正如我們前面提到的，此類內存條經(jīng)常更換所使用的芯片顆粒型號，且由于成本因素，高品質顆粒的使用頻度必然較少。由于失去了廠家的參數(shù)保證，希望通過超頻來使用此類內存的人們，常常需要花費大量的精力來熟記性能優(yōu)良的內存顆粒編號，并在市場上苦苦找尋。因此您不能以本次測試的結果代表低規(guī)格普通品牌內存的普遍表現(xiàn)。
◎ 最后非常遺憾的是，由于時間關系，本次測試未能包含內存在各平臺的兼容性測試。所幸各品牌內存廠商多數(shù)都在其主頁上提供各型號內存的兼容性測試結果供大家參考，而我們將在以后的測試中，加入此部分的測試，與大家共同關注不斷出現(xiàn)的品牌內存產(chǎn)品性能。
[咨詢電話]：利屏科技（深圳）有限公司 電話 0755-26983566 羅志明
[媒體報價]：256MB/440元<
關注我們
