極限2133MHz！OCZ強悍三通道內(nèi)存測試
隨著Intel Core i7 975的上市，全球知名內(nèi)存品牌OCZ發(fā)布了其新的DDR3-2133 Blade 6GB內(nèi)存套裝。該內(nèi)存套裝為OCZ Blade系列規(guī)格不凡產(chǎn)品，在Intel Core i7 975 + X58平臺上可工作在DDR3-2133（1067MHz），時序8-9-8-24，工作電壓為1.65V。
這套OCZ Blade優(yōu)異的DDR3-2133內(nèi)存套裝的型號為OCZ3B2133LV6GK，采用爾必達Hyper J1108BASE-MNH-E內(nèi)存顆粒，這種顆?？梢怨ぷ髟诔偷?.2V/1.35V，遠低于目前JEDEC標準的1.5V，其中的主要原因是該內(nèi)存顆粒使用了銅互聯(lián)技術(shù)，而不是一般顆粒常用的鋁。
可以想象，這套OCZ Blade DDR3-2133的主要競爭對手將是Corsair和G.Skill最新上市的DDR3-2000 CL=7 6GB套裝，不過經(jīng)過我們測試，OCZ Blade套裝DDR3-2133的頻率下，同樣可以將CL值超頻到7。
近日，我們收到了這套DDR3-2133 Blade 6GB內(nèi)存套裝，但由于我們手上的i7 975 ES版處理器在測試時出現(xiàn)了一些莫名其妙的問題，因此，我們決定采用Core i7 920 DO和EVGA X58 Classified (E759)主板來搭建我們的測試平臺。
下面來看看我們的測試平臺：
電壓設(shè)置：
測試項目包括Prime95、FarCry 2、Sony Vegas Pro 9.0、以及蘋果iTunes格式轉(zhuǎn)換測試。
在我們的超頻測試中，由于采用空冷散熱，所以只將Core i7 920 DO超頻到4.2GHz（21*200），核心電壓為1.22V（滿載1.20V），在ASUS Rampage II GEME主板上，空載電壓為0.975V，內(nèi)存電壓控制在1.65V，VTT電壓為1.40V。
在穩(wěn)定性測試中，我們先進行MemTest測試，之后是Prime95混合測試以及Super-pi 32M測試，最后再進行Sony Vegas Pro 9.0 64-bit和Photoshop CS4 64-bit等應(yīng)用測試。
應(yīng)用測試結(jié)果：
在PCMark Vantage X64測試中，我們發(fā)現(xiàn)對內(nèi)存延遲敏感的子項目DDR3-1333 CL=5取得了領(lǐng)先，而在對內(nèi)存帶寬敏感的子項目中，DDR3-2133 CL=8更占優(yōu)勢，在生產(chǎn)力測試中，DDR3-1600 CL=6這種更為平衡的組合表現(xiàn)最好。
通過我們的超頻測試，可以發(fā)現(xiàn)，低延時的DDR3-1600 CL=6模式在總體性能上要略優(yōu)于高帶寬的DDR3-2133 CL=8模式。
一些其它的測試：
在游戲及編碼轉(zhuǎn)換測試中，DDR3-1600 6-7-6-18這種組合再次取得了領(lǐng)先，只有在Super-pi 32M測試中高頻的DDR3-2133表現(xiàn)最好。
Everest頻寬測試：
最后，我們又在EVGA X58 Classified主板上又進行了極限頻率測試，發(fā)現(xiàn)這套OCZ Blade內(nèi)存最高可以穩(wěn)定在DDR3-2154的頻率上，此時時序為7-8-7-24 1N，內(nèi)存電壓為1.73V，核心電壓為1.3625V，VTT電壓為1.425V。此時Super-pi成績?yōu)?''06.7"，由于我們所采用的Windows 7 64bit并沒有進行優(yōu)化，這個成績并不算高，如果采用精簡版Windows XP SP2并優(yōu)化系統(tǒng)的話，這個成績可達到7''45"。
總結(jié)：
我們有限的測試并沒有充分發(fā)揮OCZ Blade DDR3-2133內(nèi)存套裝的實力，而我們也將完善測試環(huán)境，更好的體現(xiàn)內(nèi)存的實際能力。通過我們的初步測試，與Corsair Dominator GT套裝相比，還是有一定差距，不過售價相對便宜一些，相信會對Corsair Dominator GT產(chǎn)生一定沖擊，相信新一輪的優(yōu)品內(nèi)存巔峰對決又將上揚！<
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