英特爾工藝展望：2022年邁向4nm制程
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其中有關(guān)半導(dǎo)體制造工藝的展望引起了我們的特別關(guān)注。近十幾年來，Intel以每兩年升級(jí)一次的速度從0.25微米(um)一路走到了45納米(nm)，中間歷經(jīng)了0.18微米、0.13微米、90納米、65nm等四個(gè)世代，并帶來了多種技術(shù)革新，比如晶圓尺寸從200毫米到300毫米、內(nèi)部互聯(lián)材料從鋁到銅、通道從硅到應(yīng)變硅、柵極電介質(zhì)從二氧化硅到高K材料、柵極電極從多晶硅到金屬……
等到2010年初，32納米就將成為現(xiàn)實(shí)(也就是Westmere家族的Clarkdale和Arrandale雙核心處理器)，再往后仍然是兩年一次升級(jí)，相繼經(jīng)過22納米、16納米、11納米、8納米、6納米，直到13年后的2022年達(dá)到4納米。當(dāng)然了，這一過程仍會(huì)涉及大量技術(shù)進(jìn)步，而且更加復(fù)雜、先進(jìn)，比如晶體管會(huì)從平面型轉(zhuǎn)向FinFET三維型。
很顯然，Intel對(duì)延續(xù)摩爾定律充滿了信心，不過這更像是一種愿景，具體發(fā)展進(jìn)程還要邊走邊看了，畢竟半導(dǎo)體行業(yè)面臨的挑戰(zhàn)會(huì)越來越大?！?/FONT>
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