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海力士推出降低30%功耗的1G DDR3顆粒

    泡泡網(wǎng)移動(dòng)U盤(pán)頻道10月16日 海力士半導(dǎo)體（HYnix semiconductor）最新發(fā)布了第二代54納米制程的1G bit DDR3內(nèi)存芯片顆粒新產(chǎn)品。新顆粒雖然繼續(xù)沿襲JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.5v電壓數(shù)值，不過(guò)功耗相比上一代芯片產(chǎn)品卻降低30%。

    海力士的新顆粒設(shè)計(jì)對(duì)象包括高端虛擬應(yīng)用領(lǐng)域，諸如數(shù)據(jù)中心，服務(wù)器和超級(jí)電腦，以及移動(dòng)領(lǐng)域。海力士還表示，將會(huì)采用同樣技術(shù)應(yīng)用到40納米制程版本的1G bti DDR3顆粒產(chǎn)品方面。■