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40納米2G DDR3內存獲得Intel認證通過

    泡泡網內存頻道11月21日 海力士最新發(fā)布消息顯示，該公司采用40納米制程生產的2GB DDR3內存模組第一通過英特爾公司認證。

    目前已經通過英特爾核準認證的內存產品包括4GB DDR3 SO-DIMM，2GB DDR3 UDIMM，兩款內存頻率都是1333MHz，電壓1.5v。相比之下，海力士40納米2G bit DRAM顆粒能耗比50納米版本DDR3 DRAM顆粒要降低40%，產能提升60%?！?/P>