臺(tái)積電3nm晶圓廠(chǎng)環(huán)差方案通過(guò) 2020年動(dòng)工，2022年量產(chǎn)
在10nm開(kāi)鋪生產(chǎn)線(xiàn)這個(gè)節(jié)點(diǎn)的時(shí)候，全球有能力研發(fā)更先進(jìn)工藝的半導(dǎo)體制造公司就剩下英特爾、臺(tái)積電及三星了，其中臺(tái)積電在7nm及以后的節(jié)點(diǎn)工藝上進(jìn)度是最快的，目前幾乎壟斷了7nm芯片代工訂單。
臺(tái)積電的5nm工藝最快明年也會(huì)試產(chǎn)，在此之后還有3nm工藝，臺(tái)積電目前還在準(zhǔn)備階段。昨天臺(tái)積電主管部門(mén)通過(guò)了臺(tái)積電3nm工廠(chǎng)環(huán)差案，預(yù)計(jì)總投資不低于6000億新臺(tái)幣，也就是折合人民幣1380億，2020年開(kāi)工建設(shè)，2022年底量產(chǎn)3nm工藝。
對(duì)于3nm晶圓廠(chǎng)來(lái)說(shuō)，除了技術(shù)研發(fā)之外，它對(duì)水電的消耗也不容忽視，特別是大量使用的EUV工藝。其實(shí)EUV工藝極其耗電，因?yàn)?3.5nm的紫外光容易被吸收，導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率非常低，據(jù)研究表明只有0.02%，目前ASML的EUV光刻機(jī)輸出功率是250W，工作一天就要耗電3萬(wàn)度，所以晶圓廠(chǎng)耗電量極其驚人，臺(tái)積電公布的2016社會(huì)責(zé)任報(bào)告中提到耗電量總計(jì)88.5億度。
除了耗電之外，晶圓廠(chǎng)在制造芯片的過(guò)程中還需要大量水源，大型晶圓廠(chǎng)每日用水量高達(dá)5萬(wàn)噸，盡管現(xiàn)在已經(jīng)做到了80%以上的循環(huán)用水，但是總量依然驚人，所以建設(shè)半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)對(duì)環(huán)境方面的壓力還是很大的，工藝越先進(jìn)，資源問(wèn)題就越明顯。
根據(jù)臺(tái)積電的資料，他們的3nm項(xiàng)目投資超過(guò)6000億新臺(tái)幣，約1347億人民幣，2020年開(kāi)始建廠(chǎng)，2021年完成設(shè)備安裝，預(yù)計(jì)2022年底到2023年初量產(chǎn)。
本文編輯：尹走召
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