硬盤革命！存儲密度每平方英寸10太位
泡泡網(wǎng)硬盤頻道5月12日 據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)報道，發(fā)表在最新一期《自然·光子學(xué)》雜志上的研究報告顯示，研究人員展示了一種可結(jié)合兩種硬盤寫入方式的新型數(shù)據(jù)存儲方法，其可將目前硬盤約為每平方英寸數(shù)百吉字節(jié)(1吉字節(jié)相當(dāng)于1000兆字節(jié))的存儲密度提升至1太位(1太字節(jié)相當(dāng)于100萬兆字節(jié))，并有望將介質(zhì)的存儲容量最高提升到每平方英寸10太位左右，可被應(yīng)用于光刻、生物傳感器和納米操控等諸多領(lǐng)域。
兩種寫入方式之一的“熱輔助磁記錄技術(shù)”(TAR)通過激光照射寫入點對盤片微粒進(jìn)行加熱的方式，加以輔助磁頭寫入來改變記錄單元的屬性。即硬盤介質(zhì)受熱后，會使磁盤微粒按一定方向被磁化，數(shù)據(jù)位就形成了“1”和“0”的表示。熱量的產(chǎn)生能更容易地將數(shù)據(jù)記錄在盤片上，之后隨著快速冷卻，又可使已寫入的數(shù)據(jù)變得穩(wěn)定，從而達(dá)到永久存儲的目的，而寫入時間也可小幅縮短。
事實上，當(dāng)硬盤上的存儲單元彼此距離極小時，便會產(chǎn)生所謂的超順磁性現(xiàn)象。硬盤讀寫頭在向存儲單元中寫入數(shù)據(jù)時產(chǎn)生的熱量會致使該存儲單元周圍的數(shù)據(jù)損壞，而隨著硬盤存儲密度的提升，避免超順磁現(xiàn)象發(fā)生也變得越來越有難度。而此時，另一種名為“位式記錄技術(shù)”(BPR)的寫入方式會對記錄介質(zhì)表面進(jìn)行光刻處理，利用磁島分隔每個獨立的寫入事件，從而使“超順磁效應(yīng)”不會對周圍的存儲單元造成影響。
研究人員表示，單獨使用這兩種寫入技術(shù)之一時，數(shù)據(jù)的存儲密度并不會有太大的提升，最多可提升到每平方英寸200吉字節(jié)至300吉字節(jié)左右。而將兩種技術(shù)結(jié)合使用，“位式記錄技術(shù)”的磁島可使“熱輔助磁記錄技術(shù)”因存儲介質(zhì)顆粒偏小造成的不穩(wěn)定性不再棘手，而“熱輔助磁記錄技術(shù)”則可放寬“位式記錄技術(shù)”對讀寫頭尺寸的苛刻要求，彌補兩種技術(shù)各自的缺陷，從而實現(xiàn)存儲密度的極大提升。而隨著單位存儲密度的提升，硬盤容量也有望提升數(shù)十倍，令傳統(tǒng)硬盤重獲新生。
對于“1+1”這個算式，任何計算機(jī)都不會給出“2”以外的答案。但在計算機(jī)存儲領(lǐng)域，今天卻實實在在地顯現(xiàn)了一個“1+1>2”的結(jié)果。兩種硬盤寫入手段結(jié)合后相得益彰，創(chuàng)造出新的數(shù)據(jù)存儲方式，或?qū)延脖P容量擴(kuò)大幾十倍。說實話，計算機(jī)某項性能這種量級的提高并不稀罕，其意義更在于給我們提了一個醒：即便硅芯片技術(shù)真的已經(jīng)接近極限，那個微觀世界里依然有大量未竟的事業(yè)等待人類完成。挖潛革新改造，路漫漫其修遠(yuǎn)兮，萬不能輕言到頂而忘記上下求索?！?/P>
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