QLC閃存差勁？壽命更短的PLC閃存來(lái)了
在過(guò)去6個(gè)季度里，NAND閃存芯片價(jià)格不斷下跌，上游廠商痛苦不堪，不過(guò)眾多消費(fèi)者總算可以用上便宜容量還大的SSD了，目前大容量的SSD已經(jīng)基本可以取代HDD成為主流的裝機(jī)硬件了，不過(guò)將來(lái)NAND閃存如何繼續(xù)發(fā)展仍然是一個(gè)問(wèn)題。
目前已知提高3D NAND閃存容量的方法主要是提高隊(duì)棧層數(shù)和提高閃存容量、降低成本，就前者而言，今年有多家NAND公司已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)96層堆棧的3D閃存，而且最近三星還發(fā)布了136層堆棧、256Gb（32GB）的第六代V-NAND TLC閃存，其他廠商應(yīng)該也會(huì)跟進(jìn)堆棧層數(shù)，推出更新的產(chǎn)品。
另一個(gè)提高閃存容量、降低成本的方式主要是通過(guò)提高閃存cell單元的bit位元，所以在產(chǎn)品類別上有SLC、MLC、TLC和QLC閃存之分，它們每個(gè)單元分別可儲(chǔ)存1bit、2bit、3bit、4bit位元，主控則需控制2組、4組、8組、16組不同的電壓，結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，寫入性能和可靠性也在下降。
QLC閃存自問(wèn)世以來(lái)，就以很快的速度進(jìn)入了存儲(chǔ)市場(chǎng)，而且產(chǎn)品的性能指標(biāo)也很好，不過(guò)大部分消費(fèi)者QLC閃存的評(píng)價(jià)并不高，主要因?yàn)闆](méi)有SLC緩存和DRAM緩存來(lái)提高性能，導(dǎo)致QLC閃存的原始寫入性能甚至連機(jī)械硬盤都不如；除此之外，壽命也是一個(gè)比較大的問(wèn)題，目前主流的TLC固態(tài)硬盤能夠在常規(guī)使用下保持10年以上的壽命，而QLC的壽命就比較不靠譜了，當(dāng)然QLC的硬盤容量足夠大也能一定程度解決壽命不足的問(wèn)題。
而除了QLC閃存，壽命更短的PLC閃存也即將到來(lái)。在最近的2019 FMS國(guó)際閃存會(huì)議上，東芝就已經(jīng)開(kāi)始討論P(yáng)LC閃存，雖然還沒(méi)有表明實(shí)際的規(guī)格和性能，但應(yīng)該會(huì)比QLC性能更差，更不耐用，不過(guò)之后固態(tài)硬盤的價(jià)格應(yīng)該和容量也終于有機(jī)會(huì)趕超機(jī)械硬盤了。
本文編輯：王稀仕
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