那些年來，內(nèi)存的容量都發(fā)生了哪些變化？
單條16GB甚至單條32GB內(nèi)存的到來，讓我們可以在有限的內(nèi)存插槽上運(yùn)行更多的容量，也意味著內(nèi)存容量不足的時(shí)代正逐漸離我們遠(yuǎn)去。
但回顧內(nèi)存容量的發(fā)展，從最初KB到GB的躍進(jìn)，從單條1GB到如今單條16GB或者32GB的進(jìn)化，經(jīng)歷了漫長的過程。
講到這里，大家或許已經(jīng)知道接下來的內(nèi)容要講什么，不過為了讓大家更好理解，我們先來認(rèn)識(shí)一下內(nèi)存的構(gòu)造。
我們目前所認(rèn)識(shí)的內(nèi)存條，基本由顆粒、金手指、散熱器、防呆口四個(gè)部分組成。其中散熱器是在近兩代才逐漸流行起來，到目前可謂是高性能內(nèi)存的標(biāo)配。
在內(nèi)存演變的過程中，伴隨著容量的變化，金手指和防呆口的位置也隨之發(fā)生變化。但這里不對(duì)后兩者展開細(xì)講，不過大家還是可以在下文通過圖片對(duì)比出變化。
接下來我們就來好好聊聊內(nèi)存容量的變化。
前DDR時(shí)代：從KB到MB
在最初的個(gè)人電腦上，內(nèi)存條不像現(xiàn)在是獨(dú)立的，它直接焊接在主板上，容量只有64KB到256KB。
固定式的缺點(diǎn)顯而易見，由于無法擴(kuò)展，其越來越難以滿足硬件與軟件對(duì)更大內(nèi)存的需求，于是獨(dú)立內(nèi)存條應(yīng)運(yùn)而生。
期間，內(nèi)存條經(jīng)歷了SIMM、FPM DRAM、EDO DRAM、SDR SDRAM、Rambus DRAM等時(shí)代，由于年代久遠(yuǎn)，就不深究其演進(jìn)過程，在這里我們統(tǒng)一稱它們?yōu)榍癉DR時(shí)代。
前DDR時(shí)代，內(nèi)存容量最高只停留在MB階段，加上固有的局限性，內(nèi)存迫切需要新的升級(jí)。
DDR時(shí)代：從MB到GB
既然有前DDR時(shí)代，那接下來就是DDR時(shí)代了。
DDR內(nèi)存全稱是DDR SDRAM（Dual Date Rate SDRAM），翻譯過來就是雙倍速率SDRAM，顧名思義，它是SDR SDRAM的升級(jí)版。
DDR SDRAM在時(shí)鐘周期的上升沿與下降沿各傳輸一次信號(hào)，使得它的數(shù)據(jù)傳輸速度是SDR SDRAM的兩倍，而且還能控制功耗，較好地平衡了當(dāng)時(shí)內(nèi)存控制器的兼容性與性能。
DDR初代的頻率只有200MHz，后來慢慢誕生DDR-266、DDR-333、DDR-400，容量上提供了128MB到1GB可選。
從DDR時(shí)代開始，內(nèi)存容量正式跨入了GB階段。但這一過程前前后后大概花了三十年。
DDR2時(shí)代：單條2GB盛行
跨過DDR時(shí)代，自然就來到了DDR2時(shí)代。
2004年，DDR2內(nèi)存隨Intel915/925主板一同誕生，其頻率從400MHz到1200MHz不等，主流的是DDR2-800。
容量則從256MB起步，最高4GB，不過基本以單條2GB為主。
DDR3時(shí)代 ：4GB、8GB成主流
2007年，Intel3系列芯片組的到來，宣告內(nèi)存進(jìn)入了DDR3時(shí)代。
和上一代DDR2內(nèi)存相比，DDR3的電壓由1.8V降低到了1.5V。其中最具關(guān)鍵的升級(jí)，是預(yù)取從4-bit變成了8-bit，意味著同樣的頻率，DDR3能夠提供兩倍于DDR2的帶寬。
DDR3與DDR2內(nèi)存金手指的針腳都是240Pin，區(qū)別在于兩者的防呆口的位置不一樣，意味著它們無法在同一主板上使用。
在DDR3時(shí)代，內(nèi)存頻率一般是1066MHz、1333MHz、1600MHz三種，而2133MHz和2400MHz基本屬于高頻。
容量從512MB到8GB不等，不過基本以4GB為主。
DDR4時(shí)代：真正的大容量時(shí)代
2014年，又是Intel，發(fā)布的x99平臺(tái)使DDR4內(nèi)存來到了臺(tái)前。
DDR4內(nèi)存相比DDR3內(nèi)存在結(jié)構(gòu)上做了大幅改變，首先金手指的針腳從DDR3的240個(gè)增加到了284個(gè)，防呆缺口的位置也有所不同，還有一點(diǎn)就是DDR4的金手指是中間高兩側(cè)低有輕微的曲線（DDR3為直線），這樣的好處是保持內(nèi)存與插槽有足夠的信號(hào)接觸面積，同時(shí)方便用戶插拔。
DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)電壓進(jìn)一步降到1.2V，頻率從2133MHz起步，高頻可達(dá)4400MHz、4600MHz，影馳HOF OC Lab 全球限量版水冷內(nèi)存就屬于我們所說的高頻系列。
容量方面，基本8GB單條起步，目前逐步向單條16GB甚至32GB演進(jìn)。影馳的星曜系列內(nèi)存就已經(jīng)推出了單條16GB，并且單條32GB也在準(zhǔn)備中。一根頂過去4根，一根就能讓系統(tǒng)暢行無阻。
按照內(nèi)存的發(fā)展，DDR5時(shí)代，毋庸置疑內(nèi)存的頻率將會(huì)更高，容量會(huì)更大。目前相關(guān)的樣品就已經(jīng)展示出來，但投入應(yīng)用預(yù)估還需要一段時(shí)間。
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