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國(guó)產(chǎn)內(nèi)存來(lái)了:長(zhǎng)鑫發(fā)布DDR4/LPDDR4X內(nèi)存

  一直以來(lái),全球有能力生產(chǎn)DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的品牌就那么幾家,這其中是沒(méi)有中國(guó)廠商的。不過(guò)好消息是,首顆國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片已經(jīng)由長(zhǎng)鑫正式發(fā)布了。

  此次長(zhǎng)鑫推出了78ball和96ball FBGA兩種封裝的DDR4 DRAM顆粒,均采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm工藝制造,單顆芯片容量1GB,頻率為2666MHz,電壓1.2V。同時(shí)長(zhǎng)鑫也推出了基于這些顆粒的DDR4內(nèi)存條,包括UDIMM桌面內(nèi)存條和SO-DIMM的筆記本內(nèi)存條,容量均為單條8GB,頻率2666MHz。

  此外,現(xiàn)在的輕薄筆記本和智能手機(jī)中常用焊接內(nèi)存,長(zhǎng)鑫此次也同樣帶來(lái)了LPDDR4X內(nèi)存顆粒,單顆容量2GB\4GB,頻率3733MHz,采用200ball FBGA封裝。

  長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM內(nèi)存項(xiàng)目于2016年在安徽合肥啟動(dòng),總投資1500億元。根據(jù)此前的報(bào)道,到2020年底,長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的DRAM芯片產(chǎn)能可以達(dá)到4萬(wàn)片晶圓。目前,長(zhǎng)鑫已開始接受上述產(chǎn)品的技術(shù)和銷售咨詢,預(yù)計(jì)這些產(chǎn)品很快就能和消費(fèi)者見面了。

  本文編輯:NJNR105

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