內存時序是什么？它對內存性能影響有多大？
內存時序和內存頻率一樣，都代表了一款內存性能的高低。
內存時序由4個數(shù)字組成，中間用破折號隔開，例如16-18-18-38
這些數(shù)字表示延遲，也就是內存的反應時間。當內存接收到CPU發(fā)來的指令后，通常需要幾個時鐘周期來處理它，比如訪問某一塊數(shù)據(jù)。所以，時間越短，內存性能越好。
頻率和時序一起，共同決定了內存可以跑得多快。不過相比頻率，時序由四位數(shù)字組成，每一個數(shù)字都代表不同的含義，在理解上自然更加復雜一些。
內存時序分別對應的參數(shù)為“CL-tRCD-tRP-tRAS”，單位為時間周期，它們的含義依次為：
CL（CAS Latency）：列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數(shù)。
tRCD（RAS to CAS Delay）：內存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間;
tRP（RAS Precharge Time）：內存行地址選通脈沖預充電時間;
tRAS（RAS Active Time）：行地址激活的時間。
看完它們的含義是不是很懵圈？沒關系，給你舉個例子。
我們可以把內存存儲數(shù)據(jù)的地方想象成上面這樣，每個方格都存儲著不同的數(shù)據(jù)。CPU需要什么數(shù)據(jù)，就向內存發(fā)來指令，比如想要的位置是C4。
接下來內存就要先確定數(shù)據(jù)具體在哪一行，所以時序的第二個參數(shù)tRCD就是代表這個時間，意思就是內存控制器接收到行的指令后，需要等待多長時間才能訪問這一行。
由于這一行含有多個數(shù)據(jù)，內存并不能哪一個才是CPU需要找的，所以tRCD的值是一個估值。這就是為什么小幅改動這個值并不會影響內存的性能表現(xiàn)。
內存確定了行之后，要想找出數(shù)據(jù)，還得確定列。那么時序的領先個數(shù)字，也就是CL（CAS），表示內存確定了行數(shù)之后，還得等待多長時間才能訪問具體列數(shù)的時間（時間周期）。
行列必然產生交點，也就是說確定了行數(shù)和列數(shù)之后，就能準確找到目標數(shù)據(jù)，所以CL是一個準確的值，任何改動都會影響目標數(shù)據(jù)的位置，所以它在時序當中是最關鍵的一個參數(shù)，對內存性能的發(fā)揮著舉足輕重的作用。
內存時序的第三個參數(shù)tRP，就是如果我們已經確定了一行，還要再確定另外一行所需要等待的時間（時間周期）。
然后第四個參數(shù)tRAS，可以簡單理解成是留個內存寫入或者讀取數(shù)據(jù)的一個時間，它一般接近于前三個參數(shù)的總和。
所以，在保障穩(wěn)定性的前提下，內存時序越低越好。
那么，時序對內存性能影響有多大呢？
我們做了一個測試，在保持內存頻率不變的情況下，內存性能隨著時序的變小而不斷變強。
不過相比之下，時序改變后，內存延遲的變化比內存讀寫速度的變化更加明顯，這也說明了時序的影響側重在延遲方面。
現(xiàn)在，關于時序，你搞懂了嗎？
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