發(fā)展了64年，硬盤都經歷了什么
硬盤作為存儲數據的載體，是電腦無法舍棄的一部分。它從誕生到現在，已經經歷了漫長的64年。回顧其發(fā)展歷程，我們可以用“從大到小又從小到大”來總結，也就是體積越來越小，而容量越來越大。
今天就為你科普一下，在這64年時間里，硬盤是如何一步步演變的。
誕生初期
1956年，IBM發(fā)明了世界上領先塊硬盤，名為350RAMAC。這塊硬盤由50片直徑達到24英寸的盤片構成，擁有兩個冰箱大小的體積并且重量達到了上百公斤，不過它只能提供5MB的容量，幾乎一張高清照片的大小。雖然臃腫龐大，但350RAMAC的誕生，卻是人類科技的一大進步。
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1973年，同樣是IBM，推出了“溫徹斯特”硬盤，也稱溫盤。這塊名叫3340的硬盤，開始涂磁性材料，擁有兩個30MB的存儲單元，并且在同一個軸上裝了幾片盤片，使得硬盤的體積大大縮小，成為現代機械硬盤的雛形。
（IBM 3340硬盤）
不過在這個時期之前，硬盤還只是應用于工業(yè)領域。
同時期，薄膜磁頭技術誕生，它不僅能顯著減少磁頭和磁片的距離，讓硬盤體積進一步縮小，還能增加存儲密度，提高硬盤容量。IBM的3370便是世界上領先款采用薄膜磁頭技術的硬盤，它最多能存儲571MB的數據，高可擴展到4個存儲單元并能和IBM System/30中型電腦搭配。
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光輝時刻
1980年，世界上領先款GB級容量的硬盤誕生，但由于它的重量過重，想要民用還是不太現實。
同年，由前IBM員工創(chuàng)立的希捷（SEAGATE）公司開發(fā)出5.25英寸規(guī)格、容量5MB的硬盤，這是先進面向臺式機的產品。它的出現推動了整個PC界的變革，世界從此發(fā)生了巨大的變化，象征著家用硬盤的時代已經到來。
1984年，東芝超大規(guī)模集成電路研究所工程師舛岡富士雄博士基于浮柵晶體管技術，在IEDM1984會議上首先提出了閃存（Flash Memory）的概念，為SSD的誕生和發(fā)展奠定了堅實基礎。
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基于此，英特爾在1986年成立了SSD（固態(tài)硬盤）研發(fā)部門。90年代，Flash SSD誕生，并在90年代末逐漸取代RAM SSD（世界上領先個固態(tài)硬盤驅動器），成為了SSD市場的主流。由于它的特點是斷電后數據還在，就此Flash SSD正式成為HDD真正意義上的對手。
革新時代
1997年，GMR巨磁阻效應磁頭問世，它相比舊的MR磁頭更加靈敏，存儲密度可達10～40Gb/inch2，提高了8倍之多，為機械硬盤的大容量發(fā)展提供了必要條件。采用該技術的3.5英寸硬盤規(guī)格也由此成為現代計算機硬盤的標準規(guī)格。
（GMR巨磁阻效應磁頭）
2005年，日立環(huán)儲和希捷開始大量采用磁盤垂直寫入技術，該技術能夠將平行于盤片的磁場方向改變?yōu)榇怪?0度，能夠讓存儲空間得到更加充分的利用。時隔2年，世界領先款突破TB級容量的機械硬盤由日立推出。
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不過相比容量上的大幅增長，機械硬盤受限于機械構造，速度上難以取得突破。于是從2009開始，SSD開始逐漸取代機械硬盤成為市場的主流。
同年，領先款1TB容量的2.5英寸SSD誕生，連續(xù)讀寫速度達到了240/215MB/s的，隨機讀寫50/10K iops，遠超機械硬盤。不過當時候高昂的售價讓SSD難以廣泛普及。
3D NAND技術的發(fā)展為SSD的大容量化和普及提供了全新方向。2014年3D NAND開始量產，此后48層、96層、128層的3D NAND顆粒不斷推出，加速SSD朝著大容量、小體積的方向進化，如今1TB以上的消費級SSD已經屢見不鮮。
影馳HOF PRO M.2 SSD全系采用了高規(guī)格的3D NAND 顆粒，提供500G，1TB和2TB三種超大容量，能夠滿足絕大部分用戶的數據存儲需求。
除此之外，作為目前為數不多的PCIe4.0 SSD，HOF PRO M.2的連續(xù)讀寫高達5000/4400MB/s，隨機讀寫達到760/700K iops，可以為用戶帶來閃電般的程序加載、數據傳輸體驗。
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