直落谷底！NAND閃存今年至少跌四成
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閃存市場的硝煙依然濃烈。在各大廠商紛紛進駐，產(chǎn)能擴大，市場消耗能力不夠，價格下跌的窘境下，日前該市場又傳出消息，內(nèi)存廠商為降低成本，紛紛應用納米制程，致使產(chǎn)能再次增大，預計2005年NAND芯片將再跌40％！
市場龍頭大廠三星宣布已成功開發(fā)出63納米的8Gb NAND Flash生產(chǎn)技術(shù)。而因每片晶圓產(chǎn)出量將因制程微縮而增多二成至三成以上，將再進一步壓低芯片價格。與此同時，東芝、美光、Hynix、英飛凌、瑞薩（Renesas）等供貨商，本季起也全面性以90納米投產(chǎn)NAND Flash。
這必將導致閃存在納米制程中再次掀起腥風血雨，市場競爭將進一步惡化。
其實，在內(nèi)存市場競爭日趨白熱化的時候，廠商為降低成本而采取納米制程的做法對廠商個體來說，也許不失為一個好辦法。但是對于整個閃存市場來說，多出來的產(chǎn)能如何消化？這成為市場更大的難題，似乎跌價是唯一出路，相信隨著投入廠商的增多與制程微縮帶來的產(chǎn)能提升，在市場需求成長速度不如供給量成長速度的壓力下，NAND Flash價格進一步大跌為時不遠。
盡管對閃存價格下跌已經(jīng)有了相當?shù)男睦餃蕚?，但對于此波納米制成應用帶來的產(chǎn)品價格大跌，現(xiàn)貨市場經(jīng)銷商也需要有相當?shù)某惺苣芰Α?/FONT>
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