2013年普及？Hynix開發(fā)DDR4 2400內(nèi)存
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泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月6日 根據(jù)各大存儲廠商宣布的最新消息來看，DDR4不會在短期內(nèi)進(jìn)入市場，最早也要在2012年才能看到產(chǎn)品上市。不過在這一切的背后，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)定工作已經(jīng)悄悄展開。Hynix、Samsung在未來的一年中，將著手在DDR4 2400MHz內(nèi)存的開發(fā)和生產(chǎn)中。
DDR4 SDRAM在增加頻率的同時將會降低電壓，Hynix公司生產(chǎn)的內(nèi)存預(yù)計為1.2V。根據(jù)此前的官方說法，新內(nèi)存有望比目前DDR3-1333內(nèi)存高達(dá)80%的數(shù)據(jù)吞吐量，并且在功耗上將會有一定的降低。
Hynix將采用30nm技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存，預(yù)計2012年在市場中初見成品，但要等到大規(guī)模量產(chǎn)和市場普及，還需要等到2013年。
根據(jù)目前的市場和預(yù)測情況來看，2012-2013年DDR3內(nèi)存的市場占有率將升至71%或更高，但從2013年開始開始下滑。在2013年，支持DDR4的平臺將誕生，預(yù)計2015年即可達(dá)到50%的市場份額?！?/P>
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