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爾必達(dá)發(fā)布30nm 4Gb DDR2 Mobile RAM

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月7日 盡管受到地震影響,一些工廠出現(xiàn)停工現(xiàn)象，但日本存儲(chǔ)芯片大廠爾必達(dá)的新品發(fā)布進(jìn)程并未受到影響。今天，他們發(fā)布了針對(duì)智能手機(jī)、平板機(jī)的新款移動(dòng)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品，基于30nm工藝的DDR2 Mobile-RAM。

    新款Mobile-RAM單顆容量為4Gb（512MB），頻率DDR2 1066MHz，電壓1.2V。相比40nm 2Gb產(chǎn)品，新品30nm 4Gb顆粒的功耗下降了30%，占用PCB空間也隨之下降。

    新品4Gb 30nm DDR2 Mobile-RAM將使用PoP或FBGA封裝，也可向客戶提供裸版芯片用于MCP多芯片封裝。MCP形式下可提供4Gb、8Gb、16Gb容量。預(yù)計(jì)該芯片本月內(nèi)可出貨樣品，6月份投入量產(chǎn)。■