更大更快！回顧DDR內存的前世今生，一代更比一代強
如果你問你身邊的親朋好友有關電腦的硬件知識時，他們或許會不熟悉顯卡的各類型號，又或者在看到CPU的各種數字型號時一頭霧水，問起機械硬盤和固態(tài)硬盤的區(qū)別時可能也說不上什么。但是有關內存，大家或多或少都聽過一點點，至少知道這個東西肯定是越大越好的。
可能由于內存這個概念不止出現(xiàn)在電腦中，各種的數碼設備在硬件參數上都能看到它的身影。在生活里，往往經常能聽到那些不了解電腦的人，在裝電腦時會要求“我的電腦內存給我裝大一點”這樣的說法。直到今天，內存和硬盤這兩個存儲設備在電腦中都有著非常重要的地方。
與大容量的硬盤不同，內存在存取速度上有著非常驚人的表現(xiàn)，不過由于斷電后不能保存存入信息的特點。在電腦長期發(fā)展的歷史長河中，內存一直扮演著資源中轉站的角色。從最遠古的SIMM到如今的DDR，再到現(xiàn)在以DDR為基礎進行迭代，內存的標準以及規(guī)格也發(fā)生了很大的變化。太過久遠的內存歷史我們就不深入回顧了，這次我們來了解下DDR內存的發(fā)展歷程。
最初的電腦是沒有內存條的，內存是直接以DIP芯片的形式安裝在主板的DRAM插座上的。盡管在當時可以滿足電腦的需求，但這樣的方式擴展相當的困難。于是，內存條就應運而生了。
中間內存條經歷過幾次迭代置換，中間的歷史我們就不詳細講了，隨著CPU的升級，內存技術也發(fā)生了大革命，內存也迎來了經典的SDR SDRAM時代。一條SDRAM就能夠讓電腦正常運行，這樣大大降低了內存的購買成本，在傳輸速度上相比以往也是大幅提升。
后來，“膨脹”的Intel聯(lián)合Rambus共同定制了Rambus DRAM內存規(guī)范，希望創(chuàng)造出市面上更高速的內存產品。然而Rambus DRAM并沒有獲得市場的認可，被價格更低的SDRAM踩在腳下。彼時的市場SDR SDRAM已經盡顯老態(tài)，急需新的標準才能繼續(xù)前進，于是我們也看到了故事的主人公：DDR SDRAM。
DDR
DDR SDRAM，中文名為雙倍數據率同步動態(tài)隨機存取存儲器。作為SDR SDRAM的升級版，它的數據傳輸速度是SDR SDRAM的兩倍，且在功耗上沒有增加。采用了184Pin的DIMM插槽，防呆缺口從SDR SDRAM時的兩個變成一個。
初代DDR內存的頻率是200MHz，隨后慢慢誕生了DDR-266、DDR-333和那個時代主流的DDR-400，當然后面還有更高的超頻條。DDR內存剛出來的時候只有單通道，后來出現(xiàn)了支持雙通道的芯片組，讓內存的帶寬直接翻倍，容量則是從128MB增加到1GB。
DDR2
DDR2（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）進行開發(fā)的新生代內存技術標準。它與上一代DDR內存技術標準最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/下降沿同時進行數據傳輸的基本方式，但DDR2內存卻擁有兩倍以上于上一代DDR內存預讀取能力。
DDR2內存技術最大的突破點其實不在于用戶們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標準DDR的400MHZ限制。DDR2的頻率從400MHz到1200MHz，當時的主流的是DDR2-800，更高頻率其實都是超頻條，容量從256MB起步到最大4GB。
DDR3
DDR3提供了相較于DDR2 SDRAM更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2 SDRAM的后繼者。和上一代相比，DDR3在許多方面作了新的規(guī)范，核心電壓降低到1.5V，預取從4-bit變成了8-bit。這也是DDR3提升帶寬的關鍵，同樣的核心頻率DDR3能夠提供兩倍于DDR2的帶寬。
DDR3內存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過兩者的防呆缺口位置是不同的，不能混插。容量上從512MB到8GB，當然也有單條16GB的內存條。頻率方面從800MHz起步，一般能買到的最高頻率為2400MHz，也有廠商推出了特挑3100MHz的DDR3內存。
DDR4
相比DDR3最大的區(qū)別有三點：16bit預取機制（DDR3為8bit），同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數據可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。
DDR4內存的針腳從DDR3的240個提高到了288個，防呆缺口與DDR3的位置也不同。此外，還有一點與眾不同的改變，就是DDR4的金手指是中間高兩側低并且有輕微的曲線，此前的內存金手指都是平直的。DDR4在保持與DIMM插槽有足夠的信號接觸面積的同時，也能在移除內存的時候比DDR3更加輕松。頻率方面從2133MHz起步，最高可以達到4200MHz，單條容量有4GB、8GB和16GB。
DDR5
作為DDR內存的最新標準，大部分廠商在2018年開始就研發(fā)相關DDR5產品。首款推出的DDR5內存產品在起跳頻率上就是4800MHz，對比DDR4可是作了相當大的提升。
全新DDR5標準將提供兩倍于上代的性能并大大提高電源效率。在全新DDR5內存標準下，最高內存?zhèn)鬏斔俣饶苓_到6.4Gbps，而在DDR4內存標準下最高內存?zhèn)鬏斔俣戎荒苓_到3.2Gbps。DDR5也改善了DIMM的工作電壓，將電壓從DDR4的1.2V降至1.1V，能夠進一步提升內存的能效表現(xiàn)。
在內存密度方面，DDR5內存標準將允許單個內存芯片的密度達到64Gbit，這比DDR4內存標準的16Gbit密度高出4倍。如此高的內存密度，再結合多芯片封裝技術，可以實現(xiàn)最高40個單元的堆疊，可以期待未來的DDR5內存在單條容量上就將會非常可觀。
即將推出的英特爾13代酷睿以及AMD 7000系列CPU，都開始聚焦于DDR5內存。在未來DDR5內存也會逐步普及并漸漸取代DDR4內存的存在。影馳為此也提前布局未來，為用戶帶來性能更強的DDR5內存條。
GAMER RGB DDR5內存，影馳優(yōu)選高頻內存之一。性能強勁的它，非常值得入手。最高頻率版本可達6200MHz，CL僅為32-38-38-76，容量為16G*2，屬于目前市面上性能非常優(yōu)秀的內存型號之一。紅藍撞色設計，積木元素加持，完美打造可玩性極強的個性化內存。附帶可拼建積木孔設計，帶來更多個性玩法。
新的技術最終將會取代老舊的技術，當有一天還未普及DDR5內存無法更好的滿足用戶時，或許新的規(guī)劃將會出現(xiàn)，引領著內存走向新的標準規(guī)范。
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