三星官宣2025年量產(chǎn)2nm芯片，2027年量產(chǎn)1.4nm
在最近于加利福尼亞州圣何塞召開(kāi)的2024三星晶圓代工論壇博覽會(huì)上，三星公開(kāi)了接下來(lái)半導(dǎo)體芯片技術(shù)發(fā)展計(jì)劃，確認(rèn)將于2025年起實(shí)現(xiàn)2nm芯片的量產(chǎn)，并計(jì)劃到2027年量產(chǎn)1.4nm工藝。
三星的2nm工藝路線(xiàn)涵蓋了多個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，首推SF2，隨后將依次推出SF2P、SF2X、SF2A及SF2Z等優(yōu)化版本，每一步都代表了技術(shù)的深化和效能的提升。
特別強(qiáng)調(diào)的是，三星的第 一代2nm技術(shù)SF2預(yù)計(jì)將于明年完成所有籌備工作，為其商業(yè)化鋪平道路。更先進(jìn)的SF2Z節(jié)點(diǎn)將于2027年投入市場(chǎng)使用，該技術(shù)整合了創(chuàng)新的后端供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)，旨在極大提升能源利用效率。
三星在2nm技術(shù)上的突破不僅體現(xiàn)在工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，更在于其對(duì)多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MBCFET)架構(gòu)的深度優(yōu)化。這種架構(gòu)通過(guò)采用先進(jìn)的外延技術(shù)和集成方案，相較于傳統(tǒng)的FinFET結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了11%至46%的晶體管性能躍升，同時(shí)降低了26%的性能波動(dòng)和大約50%的漏電流。
此外，三星在今年早些時(shí)候與Arm達(dá)成了戰(zhàn)略協(xié)作，攜手優(yōu)化基于最前沿GAA晶體管技術(shù)的下一代Arm Cortex-X和Cortex-A CPU內(nèi)核，進(jìn)一步鞏固了三星在半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)賽中的領(lǐng)先地位。
關(guān)注我們
