長鑫存儲IEDM論文入選，國產(chǎn)芯片研發(fā)邁上新臺階
近日，清華大學(xué)吳華強教授團隊宣布將在IEDM 2025上首次公開基于Hf?.?Zr?.?O? (HZO)的 2TnF鐵電增益單元（Fe-GC）單片三維（Monolithic 3D, M3D）芯片技術(shù)。該結(jié)構(gòu)由2個垂直晶體管和n個可堆疊HZO基鐵電存儲器組成，實現(xiàn)了并行操作。利用鐵電薄膜在側(cè)壁上構(gòu)建的高密度多比特存儲節(jié)點能夠高效地對大規(guī)模Q矩陣進行一次性緩存。
IEDM作為半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的頂級會議，其論文錄用情況反映了各研究機構(gòu)在前沿技術(shù)領(lǐng)域的布局與實力。企業(yè)方面，DRAM制造商長鑫存儲憑借3D鐵電存儲器（FeRAM）與后端工藝集成的新型多層堆疊DRAM架構(gòu)兩項創(chuàng)新成果也成功入選，論文入選數(shù)量位居國內(nèi)企業(yè)之首。
長鑫存儲展示的3D FeRAM方案，創(chuàng)新性地采用了單片集成的堆疊式鐵電電容結(jié)構(gòu)。該方案充分發(fā)揮了鐵電材料的非易失特性，首次在單元層面實現(xiàn)了數(shù)據(jù)斷電保存，同時借助三維堆疊工藝顯著提升了存儲密度。由于鐵電存儲器具備讀寫速度接近DRAM、功耗與NAND閃存相當(dāng)?shù)木C合優(yōu)勢，被業(yè)界廣泛視為下一代新型存儲的有力競爭者。
在更具顛覆性的DRAM技術(shù)方向上，長鑫存儲提出了可在后端工藝線（BEOL）直接集成的多層堆疊DRAM架構(gòu)。這項技術(shù)打破了傳統(tǒng)DRAM必須在前道工藝制造的固有局限，將存儲單元的構(gòu)建移至后道工序，從而在三維空間上實現(xiàn)了存儲陣列與邏輯電路的高效集成。這一技術(shù)路徑一旦走向成熟，將為未來存算一體架構(gòu)與先進異構(gòu)集成方案奠定全新的硬件基礎(chǔ)。
長鑫存儲的技術(shù)突破已直接轉(zhuǎn)化為具有市場競爭力的產(chǎn)品。據(jù)官網(wǎng)最新信息，長鑫存儲已正式推出LPDDR5X產(chǎn)品，最高速率達(dá)到10667Mbps實現(xiàn)國內(nèi)首次技術(shù)突破。其首創(chuàng)的uPoP?小型封裝，能夠滿足移動旗艦手機更輕更薄的需求。此外，長鑫正在研發(fā)一款厚度僅為0.58mm的LPDDR5X，如果這款產(chǎn)品成功量產(chǎn)，將成為業(yè)內(nèi)最薄的LPDDR5X產(chǎn)品。
扎實的產(chǎn)品力贏得了主流市場的積極反饋。目前，長鑫存儲不僅穩(wěn)定供貨于小米、OPPO、vivo、傳音等頭部手機品牌，也正加速向服務(wù)器、物聯(lián)網(wǎng)等高增長領(lǐng)域拓展，展現(xiàn)出強勁的業(yè)務(wù)延展能力?；趯RAM這一具有大宗屬性產(chǎn)品的有力把握，疊加本土化服務(wù)與顯著的先發(fā)優(yōu)勢，長鑫存儲已構(gòu)建起持續(xù)增長的核心動能，為其在快速變化的全球存儲格局中取得領(lǐng)航地位奠定堅實基礎(chǔ)。
長鑫存儲的創(chuàng)新實力正通過其資本化進程展現(xiàn)出清晰的投資價值。據(jù)公開信息，公司已于今年10月順利完成上市輔導(dǎo)驗收，正式進入IPO沖刺階段。摩根士丹利研究指出，在AI算力需求推動下，存儲行業(yè)正開啟新一輪“超級周期”，預(yù)計2027年全球市場規(guī)模將突破3000億美元。在此機遇下，長鑫此次上市不僅為A股半導(dǎo)體板塊注入強心劑，也將提振整個國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈的信心。
從IEDM頂會前沿論文的集中亮相，到IPO進程的穩(wěn)步推進，長鑫存儲正在向全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展示著中國創(chuàng)新的深度與速度。
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