能耗降40% 三星啟動(dòng)20nm DRAM生產(chǎn)線
分享
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道9月23日 三星電子今天正式宣布20nm DDR3 DRAM生產(chǎn)線，這也是三星首個(gè)20nm DRAM產(chǎn)品線，相比30nm芯片，新的20nm芯片功耗可降低40%。
三星表示新的20nm生產(chǎn)線早期將會(huì)使得芯片的成本提升50%以上，不過(guò)由于工藝得到提升，芯片面積、價(jià)格和效能都將得到改善。
目前三星主要推出2Gb DRAM顆粒，到年底三星還打算推出4Gb DRAM芯片，16GB、32GB的內(nèi)存模組將成為可能（標(biāo)準(zhǔn)PCB版）。
據(jù)悉三星Line-16位于韓國(guó)南部華城，工廠占地198000平方米，截至到目前為止三星共投資了多達(dá)100億美元，旨在保持DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位?！?/P>
0人已贊
關(guān)注我們
