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三星成功研制出4Gb LPDDR3內(nèi)存顆粒!

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道9月30日 在近日的Mobile Solutions Forum論壇大會(huì)上,三星電子宣布了一項(xiàng)新的成果, 基于低壓版的4Gb LPDDR3已經(jīng)成功研發(fā),于此同時(shí)三星還宣布了容量高達(dá)64GB的embedded multimedia card(e-MMC)。

能耗降40% 三星啟動(dòng)20nm DRAM生產(chǎn)線

    據(jù)悉三星新的4Gb LPDDR3內(nèi)存采用了30nm工藝制造,相對(duì)前任產(chǎn)品節(jié)能20%,頻率可以達(dá)到1600Mbps,另外產(chǎn)品還可以堆疊成8Gb或16Gb,單條標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存就可以實(shí)現(xiàn)32GB的容量。產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于Q4季度進(jìn)入樣品階段。

    而新的64GB e-MMC NAND則采用了三星最新的e20nm工藝,采用了toggle DDR 2.0接口,讀寫速度分別可以達(dá)到80MB/s和40MB/s,產(chǎn)品的質(zhì)量僅有0.6克,另外厚度也只有1.4mm,非常適合高容量智能手機(jī)或平板電腦。■

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