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A卡顯存:美光發(fā)30nm 2/4Gb DDR3-2133

    泡泡網(wǎng)顯卡頻道6月14日 美光今天宣布推出新型2Gb、4Gb DDR3內(nèi)存顆粒,時鐘頻率1066MHz,等效數(shù)據(jù)率2133MHz,非常適合高性能網(wǎng)絡(luò)和獨(dú)立顯卡使用。

    這種新型顆粒采用采用30nm工藝制造,96-ball或者78-ball FBGA封裝,容量配置有128Mb×16、256Mb×8、256Mb×16、512Mb×8等四種方式,核心電壓僅為1.5V,循環(huán)時間938皮秒,時序CL=14。

A卡顯存:美光發(fā)30nm 2/4Gb DDR3-2133

    美光表示,該顆粒主要有兩種用途,一是面向高性能網(wǎng)絡(luò),以低功耗滿足互聯(lián)網(wǎng)視頻、云遷移、較多用戶對系統(tǒng)帶寬的需求。這方面美光與LSI進(jìn)行了合作,并且會專為網(wǎng)絡(luò)用途提供2GB ECC UDIMM內(nèi)存條。

    另外一種用途就是在顯卡上做顯存使用,可為主流和低端顯卡提供成本優(yōu)化的方案,比DDR3-1600多出三分之一的帶寬。這里美光的合作伙伴是AMD,相信AMD顯卡不久后就會用上這種新顯存。

    美光的這批新顆粒已經(jīng)開始試產(chǎn),并會在今夏投入量產(chǎn)?!?/P>

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