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AMD高端不給力！Intel IVB-E明年發(fā)布

    泡泡網(wǎng)CPU頻道8月31日 我們之前已經(jīng)報(bào)道過(guò)，Intel下一代旗艦產(chǎn)品Ivy Bridge E要到明年這個(gè)時(shí)候才會(huì)發(fā)布。今天，我們獲得了更多關(guān)于新旗艦的資訊，一起來(lái)了解一下。

    Intel Ivy Bridge E將會(huì)基于22nm Hi K+ metal gate制程工藝，起始頻率有望達(dá)到3.5GHz，運(yùn)算性能將會(huì)大幅提升，同時(shí)將會(huì)引入Turbo Boost Technology 2.0自動(dòng)睿頻技術(shù)和優(yōu)異的超線程技術(shù)。當(dāng)然了，最為新旗艦，Ivy Bridge E將會(huì)不鎖倍頻，同時(shí)還會(huì)沿用X79平臺(tái)的LGA 2011接口，熱設(shè)計(jì)功耗為130W。

    不過(guò)，和目前的X79平臺(tái)相比，Ivy Bridge E將會(huì)支持40-lane PCI Express 3.0帶寬，也即是說(shuō)，全新的Ivy Bridge E平臺(tái)至少可以支持3塊以上的顯卡并聯(lián)，這對(duì)于發(fā)燒級(jí)游戲玩家而言無(wú)疑是個(gè)利好消息，而且還可以支持4通道DDR3 1866MHz內(nèi)存規(guī)格，非常適合超頻。

    我們不知道為何Intel要到明年Q3才會(huì)發(fā)布新旗艦來(lái)取代當(dāng)前的旗艦Sandy Bridge E，也許是AMD在高端領(lǐng)域不太給力吧！■