千項數(shù)據(jù)達成！DDR3內(nèi)存深度對比測試
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道11月7日 1982年Intel發(fā)布了8086的繼任者80286處理器，首款可插拔的SIMM（Single In-lineMemory Modules）內(nèi)存（RAM，Random Access Memory）也相繼誕生，雖然產(chǎn)品容量只有區(qū)區(qū)256KB-2MB，但對于當時的處理器已經(jīng)完全可以滿足計算的需求，時隔30年內(nèi)存已經(jīng)發(fā)展到DDR3，桌面消費級已經(jīng)達到了單條8GB的容量，而服務器版本單條最高可達32GB。
內(nèi)存容量和頻率成千上萬倍的擴展，使得其很難對CPU的性能發(fā)揮構(gòu)成瓶頸，而內(nèi)存也漸漸退居DIY二線。在內(nèi)存容量飽和的今天，人們的關注點逐漸向內(nèi)存頻率傾斜。回到目前Intel和AMD的桌面CPU，Intel最新Ivy Bridge官方支持頻率為DDR3 1600，而AMD的FX打樁機和Trinity APU都稍高一些為DDR3 1866，這基本都代表了DDR3內(nèi)存的基本盤，而現(xiàn)在DDR3 2133也基本降到了合理價位，成為市場的新主流。
在容量飽和后，對于用戶來說追求更高的內(nèi)存頻率，一直是中高端DIY用戶的出發(fā)點。其實一直以來我們對內(nèi)存的認識都存在一定的誤區(qū)，首先影響內(nèi)存性能的不僅僅是內(nèi)存的頻率，例如內(nèi)存時序；另外更高的內(nèi)存頻率相對于目前已經(jīng)飽和的內(nèi)存帶寬來說并不會帶來實質(zhì)的性能提升，而本文將著眼于內(nèi)存頻率、內(nèi)存時序、內(nèi)存帶寬以及應用程序和游戲性能的表現(xiàn)來探討用戶的實際內(nèi)存需求。
在測試內(nèi)存頻率、內(nèi)存時序、內(nèi)存帶寬以及應用程序和游戲性能的表現(xiàn)之前，我們還是來簡要的介紹下內(nèi)存的性能與規(guī)格表現(xiàn)，對于熟知的內(nèi)存頻率我們就不再這里贅述了，畢竟更高的內(nèi)存頻率可以獲得更高的理論數(shù)據(jù)帶寬。
那么影響內(nèi)存的性能的就剩下了內(nèi)存時序，當然主板以及CPU也會對內(nèi)存的性能發(fā)揮產(chǎn)生一定的影響。內(nèi)存在與CPU建立通訊和數(shù)據(jù)傳輸時，為了保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)呐鋵π枰粋€響應時序，根據(jù)JEDEC（Joint Electron Device Engineering Council，固態(tài)技術(shù)協(xié)會）的DDR3內(nèi)存規(guī)范，影響這個響應時序的參數(shù)包括CL、tRCD、tRP、tRAS四個參數(shù)，它們的響應時間都是以整數(shù)周期來計算的。當然影響上述四個參數(shù)，其余的tRC、tRFC、tRRD、tWR等參數(shù)也會影響到內(nèi)存性能發(fā)揮。
● tCL（CAS Latency Control）
tCL是內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間，也就是說CAS控制器從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間，很顯然tCL周期數(shù)越短，那么對于傳輸前的時間效率利用率更高，不過這會引發(fā)一個問題就是會加大數(shù)據(jù)的丟失的幾率，所以tCL并不允許工作在超低的時序下。
● tRCD（RAS to CAS Delay）
tRCD代表行尋址到列尋址的延遲時間，當然也是數(shù)值越小越好。對內(nèi)存進行讀、寫或刷新操作時，需要在這兩種脈沖信號之間插入延遲時鐘周期。在 JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時，可以提高系統(tǒng)性能。如果該值設置太低，同樣會導致系統(tǒng)不穩(wěn)定。
● tRP（Row Precharge Timing）
tRP代表內(nèi)存行地址控制器預充電時間，同樣預充電時間越短，內(nèi)存性能越好，tRP用來設定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時間。tRP參數(shù)設置太長會導致所有的行激活延遲過長，較短的時鐘周期可以更快地激活下一行。然而想要把tRP設置在較低的時鐘周期對于大多數(shù)內(nèi)存都有很高的要求，并且會造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作。
● tRAS（Min RAS Active Timing）
tRAS代表內(nèi)存行有效至預充電的最短周期，如果tRAS的周期太長，系統(tǒng)會因為無謂的等待而降低性能。降低tRAS周期會導致已被激活的行地址會更早的進入非激活狀態(tài)。而tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。DDR3內(nèi)存tRAS時序一般在：24-33個周期左右。
和主板、顯卡一樣，內(nèi)存也有BIOS，我們習慣稱之為SPD（Serial Presence Detect）信息，它是一顆8針的EEPROM芯片，容量只有256Byte，其中128Byte用于存儲JEDEC規(guī)定的標準信息，其余部分留給廠商自定義數(shù)據(jù)，包括產(chǎn)品廠商產(chǎn)品型號等信息，另外著名的Intel X.M.P信息也被存儲在這里。除了以上信息，內(nèi)存SPD里面還記錄著內(nèi)存工作頻率、工作電壓、速度、容量、電壓與行、列地址帶寬等參數(shù)。
在平時使用時，盡管內(nèi)存沒有SPD芯片不會影響的正常工作，但如果內(nèi)存有了SPD芯片，在啟動計算機后，主板BIOS會讀取內(nèi)存SPD芯片中的信息，內(nèi)存控制器會根據(jù)SPD芯片中的信息自動配置相應的內(nèi)存工作時序與控制寄存器，從而可以充分發(fā)揮內(nèi)存條的性能。
用于存儲內(nèi)存信息的SPD芯片
而說起內(nèi)存頻率不得不說起Intel X.M.P（Extreme Memory Profile），由于JEDEC規(guī)范定義的內(nèi)存頻率無法滿足高階處理器用戶的需求，早期內(nèi)存超頻需要手動設置頻率、時序、電壓等規(guī)格參數(shù)，比較麻煩，為了解決這一問題Intel通過在主板BIOS和內(nèi)存SPD中授權(quán)一組更高的內(nèi)存頻率時序配置，只需在主板中開啟X.M.P就可以獲得想要的頻率，當然X.M.P定義的頻率都是經(jīng)過內(nèi)存廠商和主板廠商嚴格測試驗證的。
在通過XMP認證的內(nèi)存會在內(nèi)存地址176--254Byte位置中記錄內(nèi)存的速度設定，最多可以保存2組設定值。顯然如需要得到XMP的認證，廠商就必須把內(nèi)存及該設定送交Intel測試，通過后就會給予認證。
當然對于發(fā)燒DIY玩家來說，Intel X.M.P技術(shù)沒有多大的意義，畢竟這些設置在主板中完全通過手動設置，X.M.P技術(shù)并不會有任何的內(nèi)存增加性能，不過對于普通高階用戶，簡化的設置能夠讓其更加容易上手，并且少去了一些繁瑣的超頻驗證過程。
除了Intel的X.M.P技術(shù)，AMD也將在未來推出兼容AMD芯片組主板的A.M.P（AMD Memory Profile）技術(shù)，原理基本和Intel相類似。
簡要看完DDR3內(nèi)存的時序和SPD信息后，接下來就開始正式的測試，我們知道JEDEC官方的DDR3內(nèi)存頻率只有DDR3 1066、1333和1600MHz，現(xiàn)在的內(nèi)存基本都是1333MHz起，隨著工藝的進步，內(nèi)存廠商為了增強產(chǎn)品的傳輸性能和市場號召率紛紛推出了超頻版內(nèi)存，DDR3 2133、DDR3 2400、DDR3 2666、DDR3 2800等規(guī)格的內(nèi)存已經(jīng)是屢見不鮮了。
為最大限度發(fā)揮內(nèi)存的性能，測試使用了Intel新一代22nm Ivy Bridge處理器Core i7 3770K，Intel官方指導內(nèi)存支持頻率為DDR3 1600。搭配的微星Z77A-GD80主板，產(chǎn)品超頻最高可以支持雙通道DDR3 2800內(nèi)存，最大容量為32GB，當然主板支持Intel的X.M.P技術(shù)。
而顯卡方面選擇了技嘉N680OC-4GD，產(chǎn)品基于NVIDIA Kepler GK104核心，采用28nm工藝，擁有1536個流處理器，核心默認頻率1072MHz，BOOST頻率1137MHz，并配備4GB GDDR5顯存，相比公版有不小的提升。
內(nèi)存方面自然是本次測試的重點，選用了美光鉑勝智能探索者BLT2CP4G3D1869DT2TXRG（以后全部用美光DDR3 1866代替），產(chǎn)品內(nèi)置一組X.M.P內(nèi)存配置，規(guī)格為DDR3 1866，時序為9-9-9-27，電壓也為標準的1.5V，美光內(nèi)存在DDR2時代的D9顆粒已經(jīng)是如雷貫耳，新的美光DDR3 1866內(nèi)存顆粒也采用了D9前綴命名，寓意超頻傳奇的延續(xù)。
美光DDR3 1866內(nèi)存可以以9-9-9-27的時序穩(wěn)定工作在DDR3 2133，而本次測試高頻部分全部采用了超頻設置來完成。
內(nèi)存測試共涉及DDR3 800、DDR3 1066、DDR3 1333、DDR3 1600、DDR3 1866、DDR3 2133六組頻率，每個頻率下都包含多組的測試時序。
● 說明：接下來的所有測試數(shù)據(jù)都未經(jīng)過手動修正使其符合慣性的測試規(guī)律，甚至一些可以明顯的看出不合理誤差。畢竟對于內(nèi)存這種細微差別的測試（實際測試中，使用了三遍取平均值），每個數(shù)據(jù)沒有幾十次的測試很難獲得可靠度較高的數(shù)據(jù)，由于時間限制無法做出更精確的測試，而本文的要點則是從這些數(shù)據(jù)中找出普遍的規(guī)律。
與其它內(nèi)存不同的是，美光DDR3 1866內(nèi)存板載多顆LED發(fā)光燈，用戶可以自定義發(fā)光模式，而在本次測試中LED發(fā)光燈還有另外一個作用就是監(jiān)控內(nèi)存的負載，LED發(fā)光燈會根據(jù)內(nèi)存負載狀況通過LED的閃動頻率對應表達，最高負載時內(nèi)存LED頻率閃動高到肉眼無法分辨，給人的錯覺就是長亮。
首先還是進行內(nèi)存測試必備的AIDA64內(nèi)存帶寬測試，測試我們選取了讀取帶寬、寫入帶寬和延遲三個類別的數(shù)據(jù)。
首先展示的一組AIDA64內(nèi)存讀取帶寬測試數(shù)據(jù)，基本呈現(xiàn)兩個特征，隨著頻率提升帶寬持續(xù)穩(wěn)定上升，另外同頻率下隨著時序的周期數(shù)增加，讀取帶寬會出現(xiàn)下降趨勢。
其中最低的DDR3 800 8-8-8和最高的DDR3 2133 8-8-8帶寬差了一倍還要多一些。另外總體說來內(nèi)存頻率比內(nèi)存時序?qū)δ軆?nèi)存實際傳輸帶寬的影響更大一些。
接下來的AIDA64內(nèi)存寫入帶寬測試數(shù)據(jù)，也基本呈現(xiàn)了上述的兩個特征，不過在DDR3 1866頻率全部時序下，寫入帶寬出現(xiàn)了詭異的情況，竟然比DDR3 1600要低出不少，即使后來的DDR3 2133也比DDR3 1600稍遜一籌，目前對這一現(xiàn)象我們也無法給出確切的解釋（猜測可能是其它內(nèi)存參數(shù)Auto導致）。
最后的延遲數(shù)據(jù)則很好的體現(xiàn)了時序?qū)ρ舆t的影響，當然頻率依然占據(jù)了主要作用。
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從實際拍攝的照片和視頻來看（注意AIDA64內(nèi)存測試部分僅為開始一段，后面的測試為CPU 一、二、三級緩存的測試），AIDA64內(nèi)存測試時LED燈非常明亮，基本可以判定內(nèi)存為滿負載運行，也就是說內(nèi)存頻率或者時序仍然還強烈的影響著內(nèi)存性能的發(fā)揮。
接下來的測試Super PI測試看似和內(nèi)存性能沒有多大關系，但是只要和CPU計算相關的測試都和內(nèi)存有密不可分的關系，測試中選擇了傳統(tǒng)的1M位模式，單位為s。
我們知道Super PI是單核心參與的運算，理論上對內(nèi)存帶寬要求并不高，而實際測試中1M測試成績基本和內(nèi)存頻率和內(nèi)存時序并沒有什么具體聯(lián)系。
如果說有些數(shù)據(jù)需要放大了看才能顯現(xiàn)出比例關系，那么接下來我們就一起來看看圖表放大3倍、起始值為7s的圖表表現(xiàn)（后文中所有測試表格數(shù)據(jù)差異不明顯的全部添加一張放大3倍的圖），進一步放大后，我們看到的數(shù)據(jù)依然和前面沒有什么區(qū)別，相近的測試成績并沒有任何的上升趨勢。
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再來看看運行Super PI 1M時的內(nèi)存負載和實時錄像吧，從圖片和視頻可以看出運行Super PI 1M時內(nèi)存的負載并不高，至少可以說明內(nèi)存的傳輸帶寬沒有對其計算性能發(fā)揮構(gòu)成瓶頸。
如果說單核計算不能充分利用內(nèi)存的帶寬，那么接下來選取的測試CineBenchmark 11.5則可以充分調(diào)動Core i7 3770K四核八線程的威力，挖掘出內(nèi)存的傳輸帶寬。
從上圖的實際測試對照表中我們似乎也沒有發(fā)現(xiàn)從DDR3 800到DDR3 2133頻率變化帶來的CineBenchmark 11.5得分提升，而內(nèi)存時序變化的影響也被淹沒在里面。整個測試成績都在7.37--7.57pts狹小范圍內(nèi)波動。
接下來還是照例拿出三倍比例放大圖，如圖我們似乎看到CineBenchmark 11.5得分隨著內(nèi)存頻率和時序的變化呈現(xiàn)階段性的增長，只是這種增長非常緩慢。
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最后我們來看看內(nèi)存負載照片和視頻的表現(xiàn)，內(nèi)存LED燈較Spuer PI負載時閃動頻率低了一些，不過亮度卻比Spuer PI高了不少，而這說明CineBenchmark 11.5相對來說需要更高的內(nèi)存帶寬，但是對傳輸延遲要求更低一些。
除了常規(guī)的Benchmark性能測試，接下來進行的是WinRAR解壓縮測試，當然為了保證測試的最小誤差，測試依然使用了WinRAR自帶的測試工具。
從上述表格可以看出隨著頻率和時序的變化，WinRAR解壓縮性能得到了顯著的提升，這充分說明WinRAR對內(nèi)存頻率和時序有著強烈的依賴，測試成績最低的DDR3 800 8-8-8成績?yōu)?310KB/s，而成績最高的DDR3 21338-8-8達到了9235KB/s，性能提升接近一倍了。鑒于巨大的差異，這部分就不再放上3倍放大圖表。
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接下來繼續(xù)查看內(nèi)存的負載情況，從圖片和視頻中可以看出LED燈閃動的頻率已經(jīng)非常之高了，并且LED的亮度也達到了空前的高度。
接下來一項3DMark 11測試，這是本次測試中誤差率最低的工具，這也充分說明了權(quán)威的3DMark 11確實有著過人的Benchmark本領。值得注意的是為了更加明顯反應內(nèi)存性能的影響僅選擇了物理測試這一項，不過在最后一項完整版測試里面我們還是加入了為數(shù)不多的典型內(nèi)存頻率、典型內(nèi)存時序的測試成績。
3DMark 11 Physics測試也完全不需要使用3倍放大圖來做進一步的解釋了，測試成績也很明顯，隨著頻率和時序的變化，3DMark 11 Physics得分出現(xiàn)了嚴格的階梯遞增關系，最高得分為DDR3 2133 8-8-8創(chuàng)造的10124，而最低得分依然為DDR3 800 8-8-8創(chuàng)造的7287。
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最后還是來看下實拍圖片和視頻吧，3DMark 11 Physics測試同樣讓我們驚訝，整個測試過程LED幾乎一直保持最高亮度，并且基本沒有閃爍?？磥?DMark 11 Physics也是充分挖掘出了測試內(nèi)存的性能。
測試完了基準Benchmark和實際應用，接下來是游戲測試，游戲測試也只能選擇帶Benchmark的，測試游戲包括《Lost Planet 2》和《Metro 2033》。首先進行的游戲是《Lost Planet 2》，測試分辨率設置為1920x1080，畫質(zhì)設置為最高，并開啟4xAA抗鋸齒。
《Lost Planet 2》測試中又回到了CPU應用程序的測試情形，整個測試成績隨著內(nèi)存頻率和時序的變化并沒有明顯的波動。
于是我們開始調(diào)動3倍放大圖標來查看測試成績，經(jīng)過一番放大，可以看到隨著頻率的提升，《Lost Planet 2》的平均幀率有非常小的持續(xù)提升，另外內(nèi)存時序?qū)τ螒虺煽兊挠绊懸材軌蚋Q見一斑。值得注意的是由于測試的數(shù)據(jù)量較小，整個測試成績誤差波動較大，影響了性能的正常表現(xiàn)。
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最后還是照例放上實拍圖片和視頻，從視頻中可以看出《Lost Planet 2》測試時內(nèi)存一直都沒有滿載，LED燈閃動的頻率以及亮度都遠不及3DMark 11 Physics測試時，畢竟大多數(shù)游戲CPU負載并不是非常高，更何況內(nèi)存的負載了。
《Metro 2033》使用了和《Lost Planet 2》相同的設置，所不同的是《Metro 2033》基本是顯卡的殺手，連4GB超頻版GeForce GTX 680顯卡也不很流暢。
首先看到的游戲幀率圖表幾乎清一色的29.xxfps，只有極少數(shù)的30.xxfps，而這個幀率圖表也和《Lost Planet 2》表現(xiàn)一樣，很難直接看懂，所以我們還是請出了3倍放大對比。
放大后的圖標似乎有了些許的變化，整個游戲平均幀率和內(nèi)存頻率、內(nèi)存時序呈現(xiàn)微弱的階段性增長關系，不過并不明顯，當然你也可以認為這或許是誤差造成的。
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最后還是來看看實時照片和視頻，通過視頻我們可以看到在運行游戲Benchmark時，內(nèi)存等閃爍較明顯，基本和前面的《Lost Planet 2》表現(xiàn)相似，當然LED燈閃動的頻率、亮度同樣都遠不及3DMark 11 Physics測試時。
鑒于3DMark 11 Physics的驚人表現(xiàn)，我們將一些典型的頻率和時序配置進行了完整3DMark 11 Performance測試，測試方法依然是三遍取平均值。
雖然3DMark 11 Performance更注重測試圖形性能的表現(xiàn)，測試成績更能代表3D游戲圖形的性能，不過3DMark 11和游戲測試還是不盡相同，因為3DMark 11還包含了純CPU（Physics）的測試，這是和游戲截然不同的負載，雖然比重并不是很大，但還是有一定的影響，讀者就以參考的方式將其應用到實際游戲表現(xiàn)。
3DMark 11 Performance測試僅僅包含了6組成績，剛好每個頻率一個，其配對的時序都是時下典型的內(nèi)存配置，而引入DDR3 1066 8-8-8和DDR3 800 7-7-7則純粹是為了對比，當然還有更重要的作用，這些會在總結(jié)中得到詳細說明。
從測試成績可以看出，從主流的DDR3 1333到DDR3 2133，整個3DMark 11得分提升并不明顯，還不及DDR3 1066 8-8-8或DDR3 800 7-7-7一檔提升的多。
好了到了結(jié)論的時間，在結(jié)論之前還是做一些簡要的說明，這些將有助于讀者對后面的分析的理解。
● 關于測試平臺
Intel Core i7 3770K + GTX 680的組合并不能代表大多數(shù)用戶的實際情況，所以測試可能有失偏頗，但是為了更加詳細的對比、以及更加充分挖掘內(nèi)存的性能表現(xiàn)，高端平臺測試成績來的更加顯而易見。
正如我們在前文說明的那樣，內(nèi)存的性能表現(xiàn)不僅僅與自己的規(guī)格參數(shù)相關，還與平臺CPU以及主板有關，CPU在這里我們就不用說了，而主板也確實會因為實際的參數(shù)并不100%到位，導致同一內(nèi)存在不同的主板上有不同的表現(xiàn)。另外就是由于測試時間的限制我們無法收集更多的測試平臺（不同CPU、顯卡等）數(shù)據(jù)，還請讀者諒解，而本次測試也僅代表Core i7 3770K + GTX 680這一類平臺表現(xiàn)。
● 關于內(nèi)存
大家或許會問整個測試就只使用了一對內(nèi)存是怎么做到的各種頻率各種時序的配置，當然這個是通過BIOS設置來獲得不同的頻率，而這個時候問題就來了，各種主板對內(nèi)存的各種頻率、時序的發(fā)揮都有不同的表現(xiàn)，甚至是穩(wěn)定性。
回歸到這一點，所以測試使用了相同的主板和內(nèi)存，另外為保證測試內(nèi)存的數(shù)據(jù)可靠，測試的內(nèi)存基本都通過了簡單的穩(wěn)定性驗證，在文章撰寫之前我還打算加入DDR3 2400頻率的對比，不過在DDR3 2400的三組不同時序都出現(xiàn)不同程度的穩(wěn)定性問題，所以從測試成績里面剔除了，另外目前來說DDR3 2400內(nèi)存使用的概率也是非常低。
在內(nèi)存時序方面，由于每個頻率可以穩(wěn)定的時序組合非常之多，最多的可以到幾十組，而測試很難完成這么多項目的測試，所以測試時序全部使用了統(tǒng)一的x-y-z（x=y=z)的配對組，另外內(nèi)存的行有效至預充電的最短周期也統(tǒng)一設置為保守的30。
另外關于內(nèi)存要說明的一點就是影響內(nèi)存性能的除了內(nèi)存頻率、內(nèi)存時序，還有另外一些tRC、tRFC、tRRD、tWR等參數(shù)，而在這次測試中這些數(shù)據(jù)全部使用了Auto設置，可能會對內(nèi)存的性能造成不同程度的影響，進而干擾測試結(jié)果。
在介紹內(nèi)存性能之前，還是讓我們先明白一個概念，我們在前面已經(jīng)提到了影響內(nèi)存性能的因素包括內(nèi)存頻率、內(nèi)存時序以及另外一些時序參數(shù)。內(nèi)存頻率我們很好理解，就是內(nèi)存工作的頻率，而頻率的直接結(jié)果就是理論內(nèi)存?zhèn)鬏攷?，那么?nèi)存時序就是內(nèi)存延遲嗎？答案是否定的。
內(nèi)存時序是內(nèi)存延遲的重要因素，另外內(nèi)存頻率也會影響到內(nèi)存的延遲，內(nèi)存頻率和內(nèi)存延遲成反比，例如相同時序下DDR3 800的延遲基本是DDR3 1600的兩倍，當然這只是理論數(shù)值，實際延遲有所不同。
無論是延遲還是傳輸帶寬都會影響應用程序的性能發(fā)揮，簡而言之就是內(nèi)存的性能。在AIDA64內(nèi)存帶寬和延遲測試中，選取的三部分數(shù)據(jù)：內(nèi)存讀取帶寬、內(nèi)存寫入帶寬和內(nèi)存延遲，算得上是內(nèi)存實際傳輸性能的原始寫照。
首先看下讀取性能和寫入性能，內(nèi)存頻率的影響我們就不再贅述了，而內(nèi)存時序的影響實際也是一筆非?？捎^的數(shù)字，例如低時序的DDR3 1600 6-6-6幾乎和DDR3 1866 11-11-11相媲美，而接下來的DDR3 1866 7-7-7已經(jīng)超越了部分DDR3 2133的內(nèi)存時序成績，表現(xiàn)非常搶眼。寫入方面由于數(shù)據(jù)比較離奇就無法為大家解釋了。
接下來的延遲測試部分，可以看到盡管隨著頻率的提升，整體內(nèi)存時序都出現(xiàn)了上升，但是依靠較高的頻率，高頻率內(nèi)存依然獲得了最低的延遲。我們?nèi)我獬槿?nèi)存時序相同的兩組數(shù)據(jù)--DDR3 2133 9-9-9和DDR3 1066 9-9-9，它們的頻率剛好相差一倍，最終它們的實際延遲分別為35.4ns和56.3ns，延遲降低了近60%。
內(nèi)存性能直接和CPU計算相掛鉤，應用成績的內(nèi)存性能表現(xiàn)也基本是通過CPU來體現(xiàn)的，例如3DMark 11 Physics物理測試中內(nèi)存頻率的提升、內(nèi)存延遲的降低對于物理得分起到了至關重要的作用，而與之情況相類似的CineBenchmark則更多的強調(diào)計算，并且對于內(nèi)存帶寬的苛求并沒有使內(nèi)存滿負載運行，所以測試成績影響不怎么大。至于單核計算的Super PI性能在頻率和時序發(fā)生驚天動地的變化情況下，也依然無動于衷。
再來看看游戲性能的表現(xiàn)和3DMark 11 Performance基準性能的表現(xiàn)，可以說除了3DMark 11 Performance，內(nèi)存性能對游戲性能表現(xiàn)并不理想，直觀的提升內(nèi)存頻率和時序?qū)τ螒蜃饔貌⒉淮?，從這一方面來看發(fā)燒DIY玩家追求上千元甚至價格更高的內(nèi)存還不如用去升級CPU或顯卡，要知道CPU提升0.1GHz或是顯卡提升0.1GHz也比內(nèi)存從DDR3 1600提升到DDR3 2133來的更加實在。
而即使是3DMark 11 Performance的表現(xiàn)也不盡如人意，雖然前面的3DMark 11 Physics似乎埋下了不錯的伏筆，但完整版測試并沒有延續(xù)這一輝煌，這是因為3DMark其余的5個測試項目4個為GPU測試、1個為聯(lián)合測試都與CPU的關系拉遠了，另外CPU總得比分權(quán)重也只有25%，遠遠落后于GPU得權(quán)重，而這樣稀釋之后整個性能提升就微乎其微了。
簡單來說：內(nèi)存對應用程序的性能影響也就是內(nèi)存帶寬和延遲是否對應用程序造成瓶頸。
每代新的CPU發(fā)布時，無論是Intel還是AMD都會公布新CPU或主板（早期主板通過北橋支持不同的內(nèi)存頻率）支持的標準內(nèi)存頻率，例如大部分Sandy Bridge官方指定為DDR3 1333，而到我們測試的Ivy Bridge則提升為DDR3 1600，而AMD那邊無論是FX打樁機/推土機還是Llano/Trinity APU標準的內(nèi)存頻率支持均達到了DDR3 1866，無論是Intel還是AMD將內(nèi)存頻率定義的過低，與市面上DDR3 2133已經(jīng)泛濫的內(nèi)存是不是格格不入，而制約了CPU的性能發(fā)揮呢？
而本次測試的為Ivy Bridge處理器，這里就以此為例來闡述，對于CPU的性能發(fā)揮，那么AIDA64內(nèi)存帶寬性能與CPU性能沒有直接的關系所以直接拋棄掉。
接下來就一一來分析其余的測試項目，Super PI自始至終紋絲不動的表現(xiàn)，基本測試的任意內(nèi)存頻率都沒有制約CPU性能的發(fā)揮，接下來的四核八線程CineBenchmark 11.5測試，如果取標準的DDR3 1600 9-9-9成績?yōu)?.54pts，與性能最高的7.57pts差距甚微，整體比例在0.4%左右。
WinRAR應用性能測試，DDR3 1600 9-9-9的成績?yōu)?818，相比最高的9235差了1000多分，差距達到了18.1%，確實已經(jīng)制約了CPU的性能發(fā)揮。
3DMark 11 Physics測試中DDR3 1600 9-9-9成績?yōu)?538，對應的最高成績?yōu)?0124，差距為6.1%，同樣制約了CPU性能的發(fā)揮。
接下來的亮相游戲測試DDR3 1600成績已經(jīng)是基本盤，雖然稍有不足，但差距完全在2%以內(nèi)，對性能影響甚小。但是測試的亮點不是DDR3 1600，而是DDR3 800頻率下的成績表現(xiàn)，在《Lost Planet 2》的表現(xiàn)中，DDR3 800頹勢非常明顯，很顯然DDR3 1066是一個分界線，我們有理由相信內(nèi)存頻率繼續(xù)降低瓶頸將再次顯著拉大，至于《Metro 2033》雖然表現(xiàn)一般，但也是處于墊底的水平，不過暫未發(fā)現(xiàn)瓶頸。
最后一項3DMark 11 Performance的表現(xiàn)再次和《Lost Planet 2》相似，在DDR3 800頻率下，得分狂跌至9255，相比最高的9947，損失了將近7.5%，而在DDR3 1600頻率下得分就恢復到正常的9866，與最高的得分差距猛然縮減到0.8%，另外DDR3 1066性能損失也較大，對于這個平臺來說，DDR3 1333是基本盤，低于這個值就會造成性能瓶頸，嚴重制約CPU性能的發(fā)揮，進而影響整個平臺的性能表現(xiàn)。
綜合上述的一一闡述，內(nèi)存對CPU性能的發(fā)揮，對于IVB（至少這套平臺）來說DDR3 1333就基本能夠發(fā)揮出絕大部分的性能，如果低于這個值性能就會受到較大影響，而高于這個值對于整個平臺并沒有顯著的性能提升，這也是我們在之前闡述的觀點，高頻率內(nèi)存帶來的性能提升遠比CPU和顯卡來的小，當然前提是不能成為平臺的瓶頸，而DDR3 1333和DDR3 1600基本相似的價位（實際市售的DDR3 1333內(nèi)存基本都可以直接超頻至DDR3 1600頻率來工作），相對來說DDR3 1600更加適合主流IVB用戶的需求，從這也可以看出Intel將IVB標準內(nèi)存定義在DDR3 1600是完全合情合理的。
當然如果你對諸如文件解壓縮或者說有極高的跑分需求，那么高頻內(nèi)存還是有一定的實際意義。■<
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