BH5顆粒又如何?勤茂套裝內(nèi)存超頻測試
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測試內(nèi)存是一項要求你耐心和細心的工作，和我們超頻CPU時在外頻與倍頻中尋求最好的搭配組合一樣，超頻內(nèi)存則需要你在內(nèi)存頻率及內(nèi)存參數(shù)中反復測試來發(fā)掘它的非常好的性能。
測試平臺 在測試平臺方面，我們選擇了目前如日中天的nForce4芯片組。特別是DFI這款nForce4-DAGF主板不但內(nèi)存調(diào)節(jié)參數(shù)繁多，而且最高還支持內(nèi)存電壓到3.2V。主板能提供高電壓對于測試一款采用華邦BH5顆粒的內(nèi)存是十分重要的。
測試時，我們將采用大家所公認性能較好的雙通道，同時開“1T”內(nèi)存模式來考驗內(nèi)存的性能。而且在超頻及優(yōu)化內(nèi)存參數(shù)時一定要通過MemTest 300%才算通過，否則將不考核其測試成績。
CPU-Z 1.29截圖 CPU-Z 1.29截圖 以上是CPU-Z 1.29的內(nèi)存信息截圖，我們可以看到勤茂1G雙通道套裝內(nèi)存的SPD信息非常完整，兩條內(nèi)存的生產(chǎn)日期均為2005年第9周的產(chǎn)品。默認內(nèi)存參數(shù)為200MHz 2.5-3-3-8,還算是比較保守的。
眾所周知，華邦BH5顆粒在將CL值設置成3時是不能開機的，于是我們首先測試了一下這個最簡單的項目。呵呵，測試結(jié)果果然如此。
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