BH5顆粒又如何?勤茂套裝內(nèi)存超頻測(cè)試
分享
DDR400既是作為目前主流的內(nèi)存規(guī)范，同時(shí)又符合標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)前端總線頻率，因此一款DDR400內(nèi)存在其標(biāo)準(zhǔn)頻率下能達(dá)到的最優(yōu)化參數(shù)是大家都十分關(guān)注的。
我們?cè)谥靼錌IOS中嘗試將主要影響內(nèi)存性能的：CL、TRCD、TRP和TRAS這4個(gè)延時(shí)參數(shù)調(diào)整為2-2-2-5，這也是DFI nForce4-DAGF主板能達(dá)到的非常好的內(nèi)存參數(shù)了。
默認(rèn)電壓2.6V時(shí)測(cè)試MemTest發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定，加電壓到2.7V時(shí)仍然不能通過測(cè)試，2.8V可以通過MemTest 300%，測(cè)試軟件分?jǐn)?shù)如下：
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內(nèi)存帶寬測(cè)試（分?jǐn)?shù)越高越好） PCMark04內(nèi)存單項(xiàng)測(cè)試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測(cè)試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測(cè)試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測(cè)試（分?jǐn)?shù)越低越好） 盡管需要加到2.8V才能實(shí)現(xiàn)DDR400 2-2-2-5，而且實(shí)際所的分?jǐn)?shù)也并不比默認(rèn)參數(shù)下高出多少，但是不可否認(rèn)的是這仍然是華邦BH5顆粒的主要賣點(diǎn)之一。畢竟在DDR400下CL=2能穩(wěn)定通過測(cè)試的內(nèi)存可以說寥寥無幾。
0人已贊
第1頁(yè)：BH5顆粒又如何?勤茂套裝內(nèi)存超頻測(cè)試第2頁(yè)：勤茂BH5內(nèi)存再戰(zhàn)江湖第3頁(yè)：測(cè)試平臺(tái)及測(cè)試說明第4頁(yè)：200MHz 2.5-3-3-8 2.6V第5頁(yè)：200MHz 2.0-2-2-5 2.8V第6頁(yè)：210MHz 2.5-3-3-8 2.7V第7頁(yè)：220MHz 2.5-3-3-8 2.9V第8頁(yè)：230MHz 2.5-3-3-8 3.1V第9頁(yè)：235MHz 2.0-2-2-5 3.2V第10頁(yè)：圖表數(shù)據(jù)對(duì)比及產(chǎn)品總結(jié)
關(guān)注我們
