BH5顆粒又如何?勤茂套裝內(nèi)存超頻測(cè)試
分享
測(cè)試好內(nèi)存默認(rèn)頻率下的最優(yōu)化參數(shù)后,我們開始嘗試內(nèi)存的主要超頻能力,也就是通過提高它的頻率來達(dá)到和系統(tǒng)前端總線一至,以便得到更好的系統(tǒng)整體性能。
我們首先在主板BIOS中將CPU的外頻提高到210MHz,由于CPU與內(nèi)存之間頻率比鎖定到了1:1,這樣以來內(nèi)存的實(shí)際頻率隨之也提高到210MHz。
默認(rèn)電壓2.6V時(shí)進(jìn)系統(tǒng)死機(jī),重新啟動(dòng)依舊如此。我們將內(nèi)存電壓提升到2.7V后,再次開機(jī)則一切正常并且通過MemTest 300%測(cè)試。軟件測(cè)試成績(jī)?nèi)缦拢?/FONT>






在內(nèi)存運(yùn)行在210MHz 2.5-3-3-8時(shí),我們可以看到整體成績(jī)均在200MHz 2.0-2-2-5之上。只有在EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測(cè)試時(shí),更低的內(nèi)存延時(shí)才略顯出優(yōu)勢(shì)。要內(nèi)存頻率還是要內(nèi)存參數(shù),現(xiàn)在大家心里已經(jīng)有數(shù)了吧。
0人已贊
關(guān)注我們
