BH5顆粒又如何?勤茂套裝內(nèi)存超頻測試
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繼續(xù)按照上面的方法，我們繼續(xù)將CPU外頻提高到220MHz，內(nèi)存頻率也提升到220MHz。
默認(rèn)電壓2.6V不能開機(jī)，內(nèi)存電壓提升到2.7V時進(jìn)系統(tǒng)藍(lán)屏，2.8V電壓時測試MemTest報錯，繼續(xù)加電壓到2.9V時則可以通過MemTest 300%。軟件測試成績?nèi)缦拢?/FONT>
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分?jǐn)?shù)越高越好） PCMark04內(nèi)存單項測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存潛伏時間測試（分?jǐn)?shù)越低越好） 整體分?jǐn)?shù)又比220MHz時有所提升，不過需要2.9V電壓才能達(dá)到220MHz穩(wěn)定，我們感覺這款內(nèi)存在上高外頻方面并不比我們常見的DDR400內(nèi)存出色。
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