BH5顆粒又如何?勤茂套裝內(nèi)存超頻測試
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將內(nèi)存頻率提升到230MHz，沿用剛才的2.9V電壓進(jìn)系統(tǒng)發(fā)生死機(jī)，3.0V電壓時可以進(jìn)系統(tǒng)但是不能通過MemTest測試，內(nèi)存電壓加到3.1V時才能順利通過MemTest 300%測試，至此我們已經(jīng)預(yù)感到這款內(nèi)存已經(jīng)沒有提升頻率的空間了。以下是該內(nèi)存在3.1V電壓，230MHz頻率時的軟件測試成績：
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分?jǐn)?shù)越高越好） PCMark04內(nèi)存單項(xiàng)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存潛伏時間測試（分?jǐn)?shù)越低越好） 按這個超頻情況看，其規(guī)律大概是每提升0.2V電壓，內(nèi)存頻率也可以再上升10MHz。不過目前市面上的主板能提供3V以上DIMM電壓的可真是為數(shù)不多哦！
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