BH5顆粒又如何?勤茂套裝內(nèi)存超頻測試
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今年初開始，在國內(nèi)很少受到人們關(guān)注的勤茂（TwinMOS）內(nèi)存一下子在市場中走俏起來，而這其中有一個并不算公開的秘密，那就是據(jù)傳聞今年新出廠的勤茂內(nèi)存有部分采用了華邦顆粒。
或許你要問，華邦顆粒是什么意思？它有現(xiàn)代顆粒和三星顆粒好嗎？在這里我可以很嚴(yán)肅的告訴你，華邦（Winbond）顆粒曾經(jīng)是非常優(yōu)秀的內(nèi)存超頻顆粒，其中尤其以BH5最為出名，它最大的特點(diǎn)就是：在極高的內(nèi)存電壓下可以達(dá)到2-2-2-X的內(nèi)存參數(shù)值。過去在Corsair XMS-PC3200LL系列、OCZ PC3500 Platinum Edition系列以及Kingston HyperX系列等等這些高端內(nèi)存中都曾經(jīng)采用過華邦BH5顆粒，很可惜的是它現(xiàn)在已經(jīng)停產(chǎn)了……
1G雙通道套裝 經(jīng)過我們與勤茂內(nèi)存北京總代理方面的咨詢，我們得知今年新上市的這批勤茂內(nèi)存所采用華邦顆粒的消息屬實(shí)，而且這批內(nèi)存中還包含有特意為廣大超頻愛好者們準(zhǔn)備的——采用華邦BH5顆粒的1G雙通道內(nèi)存套裝。今天小編就將針對此內(nèi)存做一個性能測試，看看這款平價(jià)內(nèi)存超頻王的實(shí)力究竟如何。
看上去很普通的樣子 打開包裝后，我們可以看到這款內(nèi)存采用反正面各8顆的芯片排列方式，這也是512MB內(nèi)存最普遍的形式。內(nèi)存顆粒表面并沒有像其它品牌高端內(nèi)存一樣附帶散熱片，盡管如此，我們卻可以看到內(nèi)存PCB表面的各個元件都很整齊，焊點(diǎn)部分處理得光亮飽滿。
激光防偽貼紙 內(nèi)存顆粒表面有勤茂內(nèi)存一貫所采用的激光防偽帖紙，“SPEED PREMIUM”標(biāo)識象征著勤茂高端內(nèi)存的含義。
內(nèi)存編號貼紙 在這張內(nèi)存內(nèi)存編號貼紙上，我們除了可以看到內(nèi)存的一些出廠編號外，還可以了解到其規(guī)格為PC 3200（DDR 400），默認(rèn)CL值為2.5，單條容量為512MB。
顆粒編號 從內(nèi)存顆粒的外觀來看，兩個向下凹的圓圈和兩條貫穿顆粒的金屬線
的確符合華邦顆粒的明顯特征。而且編號中間一行我們也可以看到有BH5字樣，當(dāng)然這也不能證明什么，具體的內(nèi)存性能我們要通過進(jìn)一步測試才能驗(yàn)證。
測試內(nèi)存是一項(xiàng)要求你耐心和細(xì)心的工作，和我們超頻CPU時(shí)在外頻與倍頻中尋求最好的搭配組合一樣，超頻內(nèi)存則需要你在內(nèi)存頻率及內(nèi)存參數(shù)中反復(fù)測試來發(fā)掘它的非常好的性能。
測試平臺 在測試平臺方面，我們選擇了目前如日中天的nForce4芯片組。特別是DFI這款nForce4-DAGF主板不但內(nèi)存調(diào)節(jié)參數(shù)繁多，而且最高還支持內(nèi)存電壓到3.2V。主板能提供高電壓對于測試一款采用華邦BH5顆粒的內(nèi)存是十分重要的。
測試時(shí)，我們將采用大家所公認(rèn)性能較好的雙通道，同時(shí)開“1T”內(nèi)存模式來考驗(yàn)內(nèi)存的性能。而且在超頻及優(yōu)化內(nèi)存參數(shù)時(shí)一定要通過MemTest 300%才算通過，否則將不考核其測試成績。
CPU-Z 1.29截圖 CPU-Z 1.29截圖 以上是CPU-Z 1.29的內(nèi)存信息截圖，我們可以看到勤茂1G雙通道套裝內(nèi)存的SPD信息非常完整，兩條內(nèi)存的生產(chǎn)日期均為2005年第9周的產(chǎn)品。默認(rèn)內(nèi)存參數(shù)為200MHz 2.5-3-3-8,還算是比較保守的。
眾所周知，華邦BH5顆粒在將CL值設(shè)置成3時(shí)是不能開機(jī)的，于是我們首先測試了一下這個最簡單的項(xiàng)目。呵呵，測試結(jié)果果然如此。
接下來我們先來測試一下該內(nèi)存在默認(rèn)頻率、默認(rèn)參數(shù)下的性能。內(nèi)存的默認(rèn)電壓為2.6V，200MHz 2.5-3-3-8測試成績?nèi)缦拢?/FONT>
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分?jǐn)?shù)越高越好） PCMark04內(nèi)存單項(xiàng)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測試（分?jǐn)?shù)越低越好） 得分很正常，和我們常見的DDR400內(nèi)存分?jǐn)?shù)持平，這也是由于其默認(rèn)內(nèi)存參數(shù)比較保守的原因。
DDR400既是作為目前主流的內(nèi)存規(guī)范，同時(shí)又符合標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)前端總線頻率，因此一款DDR400內(nèi)存在其標(biāo)準(zhǔn)頻率下能達(dá)到的最優(yōu)化參數(shù)是大家都十分關(guān)注的。
我們在主板BIOS中嘗試將主要影響內(nèi)存性能的：CL、TRCD、TRP和TRAS這4個延時(shí)參數(shù)調(diào)整為2-2-2-5，這也是DFI nForce4-DAGF主板能達(dá)到的非常好的內(nèi)存參數(shù)了。
默認(rèn)電壓2.6V時(shí)測試MemTest發(fā)現(xiàn)不穩(wěn)定，加電壓到2.7V時(shí)仍然不能通過測試，2.8V可以通過MemTest 300%，測試軟件分?jǐn)?shù)如下：
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分?jǐn)?shù)越高越好） PCMark04內(nèi)存單項(xiàng)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測試（分?jǐn)?shù)越低越好） 盡管需要加到2.8V才能實(shí)現(xiàn)DDR400 2-2-2-5，而且實(shí)際所的分?jǐn)?shù)也并不比默認(rèn)參數(shù)下高出多少，但是不可否認(rèn)的是這仍然是華邦BH5顆粒的主要賣點(diǎn)之一。畢竟在DDR400下CL=2能穩(wěn)定通過測試的內(nèi)存可以說寥寥無幾。
測試好內(nèi)存默認(rèn)頻率下的最優(yōu)化參數(shù)后，我們開始嘗試內(nèi)存的主要超頻能力，也就是通過提高它的頻率來達(dá)到和系統(tǒng)前端總線一至，以便得到更好的系統(tǒng)整體性能。
我們首先在主板BIOS中將CPU的外頻提高到210MHz，由于CPU與內(nèi)存之間頻率比鎖定到了1：1，這樣以來內(nèi)存的實(shí)際頻率隨之也提高到210MHz。
默認(rèn)電壓2.6V時(shí)進(jìn)系統(tǒng)死機(jī)，重新啟動依舊如此。我們將內(nèi)存電壓提升到2.7V后，再次開機(jī)則一切正常并且通過MemTest 300%測試。軟件測試成績?nèi)缦拢?/FONT>
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分?jǐn)?shù)越高越好） PCMark04內(nèi)存單項(xiàng)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測試（分?jǐn)?shù)越低越好） 在內(nèi)存運(yùn)行在210MHz 2.5-3-3-8時(shí)，我們可以看到整體成績均在200MHz 2.0-2-2-5之上。只有在EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測試時(shí)，更低的內(nèi)存延時(shí)才略顯出優(yōu)勢。要內(nèi)存頻率還是要內(nèi)存參數(shù)，現(xiàn)在大家心里已經(jīng)有數(shù)了吧。
繼續(xù)按照上面的方法，我們繼續(xù)將CPU外頻提高到220MHz，內(nèi)存頻率也提升到220MHz。
默認(rèn)電壓2.6V不能開機(jī)，內(nèi)存電壓提升到2.7V時(shí)進(jìn)系統(tǒng)藍(lán)屏，2.8V電壓時(shí)測試MemTest報(bào)錯，繼續(xù)加電壓到2.9V時(shí)則可以通過MemTest 300%。軟件測試成績?nèi)缦拢?/FONT>
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分?jǐn)?shù)越高越好） PCMark04內(nèi)存單項(xiàng)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測試（分?jǐn)?shù)越低越好） 整體分?jǐn)?shù)又比220MHz時(shí)有所提升，不過需要2.9V電壓才能達(dá)到220MHz穩(wěn)定，我們感覺這款內(nèi)存在上高外頻方面并不比我們常見的DDR400內(nèi)存出色。
將內(nèi)存頻率提升到230MHz，沿用剛才的2.9V電壓進(jìn)系統(tǒng)發(fā)生死機(jī)，3.0V電壓時(shí)可以進(jìn)系統(tǒng)但是不能通過MemTest測試，內(nèi)存電壓加到3.1V時(shí)才能順利通過MemTest 300%測試，至此我們已經(jīng)預(yù)感到這款內(nèi)存已經(jīng)沒有提升頻率的空間了。以下是該內(nèi)存在3.1V電壓，230MHz頻率時(shí)的軟件測試成績：
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分?jǐn)?shù)越高越好） PCMark04內(nèi)存單項(xiàng)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測試（分?jǐn)?shù)越低越好） 按這個超頻情況看，其規(guī)律大概是每提升0.2V電壓，內(nèi)存頻率也可以再上升10MHz。不過目前市面上的主板能提供3V以上DIMM電壓的可真是為數(shù)不多哦！
果不其然，在我們將這款內(nèi)存沖擊240MHz時(shí)遇到了困難，即便我們將內(nèi)存電壓加到了DFI nForce4-DAGF主板的極限3.2V，也仍然不能通過MemTest 300%的測試。于是我們開始尋求這款內(nèi)存的極限頻率&參數(shù)。
經(jīng)過反復(fù)調(diào)試，這款內(nèi)存最終可以在3.2V電壓下，頻率235MHz，參數(shù)2-2-2-5通過MemTest 300%測試，這也是這款內(nèi)存的極限頻率&參數(shù)了。軟件測試成績?nèi)缦拢?/FONT>
CPU-Z 1.29截圖 SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分?jǐn)?shù)越高越好） PCMark04內(nèi)存單項(xiàng)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測試（分?jǐn)?shù)越低越好） 在內(nèi)存頻率達(dá)到235MHz，延時(shí)參數(shù)為2.0-2-2-5時(shí)，這款內(nèi)存的終極性能終于爆發(fā)了。其中SiSoftware內(nèi)存帶寬的分?jǐn)?shù)已經(jīng)逼近了6000分大觀，EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試方面的排名也非?？壳?，得分甚至超過了Pentium EE840+Intel 955X+DDR2 667的超強(qiáng)組合。
為了方便大家更直觀的對比內(nèi)存在每個頻率范圍，受到電壓以及延時(shí)參數(shù)對性能所造成的細(xì)微影響，我們將測試結(jié)果做出圖表以方便大家查看。
SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分?jǐn)?shù)越高越好） SiSoftware內(nèi)存帶寬測試（分?jǐn)?shù)越高越好） PCMark04內(nèi)存單項(xiàng)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)測試（分?jǐn)?shù)越高越好） EVEREST內(nèi)存潛伏時(shí)間測試（分?jǐn)?shù)越低越好）最后總結(jié)：
根據(jù)我們收到的勤茂1G雙通道內(nèi)存套裝的測試結(jié)果來看，其整體性能基本另我們滿意。不過這款內(nèi)存最大的弊病是上高外頻的能力略顯不足，235MHz已經(jīng)是它的極限頻率，這點(diǎn)值得大家注意。同時(shí)在測試中也反映出這款內(nèi)存對內(nèi)存電壓方面非常敏感，這點(diǎn)非常符合華邦內(nèi)存顆粒的特點(diǎn)。通過上面列出的數(shù)據(jù)表，我們可以推斷基本每提升0.2V電壓就可以提升10MHz的頻率，而且能在235MHz頻率下將延時(shí)參數(shù)調(diào)整為2-2-2-5穩(wěn)定運(yùn)行真是非常強(qiáng)悍。
最后我們要強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)，在挑選內(nèi)存的時(shí)候就和挑選CPU一樣，其中還是包含一些運(yùn)氣程度的。就算是同一品牌同一型號甚至是同一顆粒的內(nèi)存，在實(shí)際使用中超頻的幅度也往往不一樣，這也是Corsair、OCZ這類廠商將超頻優(yōu)秀的內(nèi)存顆粒再次進(jìn)行篩選，將那些優(yōu)品顆粒加工成成品賣高價(jià)的重要原因。
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