20nm工藝成熟 三星新內(nèi)存顆粒將量產(chǎn)
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道3月12日 三星電子今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始批量生產(chǎn)全世界非常先進(jìn)的DDR3內(nèi)存顆粒，采用了新的20nm工藝。
在內(nèi)存、閃存工藝上，半導(dǎo)體廠商一般都不公布非常確切的數(shù)字，往往只說(shuō)20nm級(jí)別之類(lèi)的，并以2x、2y、2z等不同標(biāo)識(shí)代表先進(jìn)等級(jí)。三星這次明確地描述為“20 nanometer process technology”，也就是真正的20nm。
三星表示，DRAM內(nèi)存顆粒的每個(gè)單元都包含一個(gè)電容、一個(gè)晶體管，用于連接其他單元，不像NAND閃存單元那樣只需一個(gè)晶體管，所以工藝進(jìn)步更加困難。為此，三星重新調(diào)整了設(shè)計(jì)和制造技術(shù)，用上了改進(jìn)的雙重曝光、原子層沉積(ALD)，同時(shí)結(jié)合了已有的沉浸式ArF光刻等先進(jìn)技術(shù)。
三星稱(chēng)，這一突破為今后向1xnm邁進(jìn)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)，或許也可以用來(lái)更好地制造DDR4。
三星20nm DDR3內(nèi)存顆粒的容量為4Gb(512MB)，生產(chǎn)效率比25nm DDR3高出超過(guò)30％，更是3xnm DDR3的兩倍多，同時(shí)同等容量的功耗也要比25nm DDR3節(jié)省最多25％。Gartner的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2013年全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)總價(jià)值約356億美元，2014年將增至379億美元?！?/P>
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