美光宣布量產(chǎn)DDR4內(nèi)存：速率2133MT/s
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月4日 美光公司日前宣布他們已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，首批生產(chǎn)的DDR4速率2133MT/s，主要面向服務(wù)器市場(chǎng)，將支持Intel Haswell-EP架構(gòu)的至強(qiáng)E3-2600 v3處理器。
標(biāo)準(zhǔn)制定兩年多之后，DDR4內(nèi)存今年總算迎來了一點(diǎn)曙光，Intel定于三季度推出的Haswell-E/EP架構(gòu)將正式支持四通道DDR4內(nèi)存。美光公司日前宣布他們已經(jīng)開始大規(guī)模量產(chǎn)DDR4內(nèi)存，首批生產(chǎn)的DDR4速率2133MT/s，主要面向服務(wù)器市場(chǎng)，將支持Intel Haswell-EP架構(gòu)的至強(qiáng)E3-2600 v3處理器。
實(shí)際上美光的DDR4-2133內(nèi)存此前已經(jīng)在其官網(wǎng)商城開賣，8GB*2套裝報(bào)價(jià)大約是2777元人民幣，比主流的DDR3內(nèi)存貴了不止一倍，不過這是服務(wù)器用的ECC內(nèi)存，高價(jià)也免不了的。美光目前生產(chǎn)的DDR4所用的核心是4Gb容量的，速率也只有2133MT/s，將支持Intel下半年發(fā)布的Haswell-EP架構(gòu)，也就是未來的至強(qiáng)E3-2600 v3系列處理器。
更高速的DDR4內(nèi)存也在進(jìn)行當(dāng)中，美光已經(jīng)開始出樣DDR4-2400內(nèi)存，預(yù)計(jì)在2015年量產(chǎn)。
此外，美光的DDR4內(nèi)存完全支持JEDEC組織的各種標(biāo)準(zhǔn)，包括RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM以及SODIMM（還包括ECC和非ECC型），今年Q3季度還會(huì)推出NVDIMM樣品?！?/P>
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