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????隨著GPU性能的提升，對(duì)顯存的要求也越來(lái)越高，高帶寬、低延遲顯存成為研發(fā)的熱點(diǎn)。在這方面，除了革命性的HBM顯存之外，現(xiàn)有GDDR顯存還會(huì)繼續(xù)升級(jí)，美光主導(dǎo)的GDDR5X顯存只是過(guò)渡版，下一代顯存標(biāo)準(zhǔn)將是GDDR6，預(yù)計(jì)2018年隨著DDR5標(biāo)準(zhǔn)問(wèn)世，速率可達(dá)14-16Gbps。????現(xiàn)在的GDDR5顯存已經(jīng)發(fā)展到了8Gb顆粒、8Gbps速率，AMD、NVIDIA新一代顯卡都已經(jīng)在用，N

　　在手機(jī)內(nèi)存的拓展這個(gè)問(wèn)題上，很多手機(jī)生產(chǎn)廠商是積極的，但是對(duì)于三星來(lái)說(shuō)，它對(duì)內(nèi)存的態(tài)度卻一直在變化。在Galaxy S6問(wèn)世的時(shí)候，三星放棄對(duì)擴(kuò)展的支持因此也遭受了不少的批評(píng)，在Galaxy S7/S7 edge以及即將到來(lái)的Galaxy Note 6/7上擴(kuò)展功能得以回歸。然而MicroSD卡的傳輸速度短板依然沒(méi)有消除，那么如何在智能手機(jī)和擴(kuò)展上找到突破口呢?三星推出了首批符合UFS可拆卸卡

????雖然DIY市場(chǎng)每況愈下，但是發(fā)燒友們還是在用實(shí)際行動(dòng)支持著一水的硬件廠商。????作為高端內(nèi)存的代言人，海盜船一直被那些追求極限的DIYer所稱贊，而他們最近也不負(fù)眾望，為DIYer們帶來(lái)了最新的DDR4新燈條。????海盜船表示，該系列的新內(nèi)存將采用10層PCB進(jìn)行制造，而傳輸速度則從2600 MT/s到4333MT/s不等。????據(jù)悉，2600 MT/s版本的預(yù)設(shè)電壓為1.2V，但是

????雖然DIY市場(chǎng)每況愈下，但是發(fā)燒友們還是在用實(shí)際行動(dòng)支持著一水的硬件廠商。????作為高端內(nèi)存的代言人，海盜船一直被那些追求極限的DIYer所稱贊，而他們最近也不負(fù)眾望，為DIYer們帶來(lái)了最新的DDR4新燈條。????海盜船表示，該系列的新內(nèi)存將采用10層PCB進(jìn)行制造，而傳輸速度則從2600 MT/s到4333MT/s不等。????據(jù)悉，2600 MT/s版本的預(yù)設(shè)電壓為1.2V，但是

????在DDR4內(nèi)存頻率上一路狂飆的芝奇宣布，臺(tái)北電腦展期間芝奇內(nèi)存突破了12項(xiàng)超頻世界紀(jì)錄，涉及8款不同測(cè)試軟件，特別是DDR4頻率沖擊到了驚人的5189MHz。????其實(shí)就在不到半個(gè)月前，芝奇Trident Z DDR4系列內(nèi)存剛剛創(chuàng)造了5002.4MHz的頻率記錄，首次突破5GHz大關(guān)。????這次創(chuàng)造紀(jì)錄的是華擎旗下的美國(guó)極限超頻好手Allen "Splave" Golibersuch

????Computex上有不少內(nèi)存新品，最瘋狂的還是芝奇，頻率和容量都相當(dāng)猛。????首先是Trident Z DDR4-4500，迄今為止最快的8GB DDR4內(nèi)存條，時(shí)序依然控制在16-16-16-36，但是電壓未公布。????然后是一套128GB的八條四通道套裝，單條容量16GB，頻率DDR4-3466，也是迄今頻率最高的16GB內(nèi)存之一，而時(shí)序也保持在16-16-16-36。????估計(jì)

????說(shuō)到海盜船的旗艦內(nèi)存產(chǎn)品，當(dāng)然是鉑金統(tǒng)治者系列，這系列的內(nèi)存有著較高的頻率和較低的時(shí)序，帥氣的Dominator Airflow Platinum散熱器可讓內(nèi)存運(yùn)行在高頻也可穩(wěn)定運(yùn)行，之前海盜船曾經(jīng)和技嘉合作推出過(guò)橙色的鉑金統(tǒng)治者內(nèi)存，現(xiàn)在又和華碩合作推出ROG版的鉑金統(tǒng)治者DDR4內(nèi)存套裝。????這套R(shí)OG版的鉑金統(tǒng)治者DDR4內(nèi)存套裝外觀上把頂部散熱片顏色換成了ROG經(jīng)典的紅色，并且

????芝奇在內(nèi)存市場(chǎng)上相當(dāng)活躍，不斷推出強(qiáng)力新品，9號(hào)其Trident Z DDR4系列又迎來(lái)了一款高頻低延遲的極品內(nèi)存，頻率高達(dá)3600MHz，而延遲僅有CL15-15-15-35。????要知道，之前的DDR4-3400內(nèi)存延遲也有16-16-16-36甚至是16-18-18-36。內(nèi)存延遲越低，對(duì)性能發(fā)揮越有益，測(cè)試、游戲、專業(yè)繪圖等應(yīng)用的表現(xiàn)都會(huì)更好。????芝奇的新內(nèi)存單條容量為8GB

????三星電子今天宣布，已經(jīng)在全球范圍內(nèi)第一家實(shí)現(xiàn)了10nm級(jí)別工藝DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒的量產(chǎn)，也是繼2014年首個(gè)量產(chǎn)20nm DDR3內(nèi)存顆粒后的又一壯舉。????三星沒(méi)有披露新工藝的具體數(shù)字，只是模糊地稱之為10nm級(jí)別或者1xnm，而根據(jù)韓國(guó)媒體此前報(bào)道，三星用的是18nm，繼續(xù)領(lǐng)先SK海力士、美光等對(duì)手。????三星表示，新工藝克服了DRAM行業(yè)中的大量技術(shù)挑戰(zhàn)，包括獨(dú)有的單元設(shè)

????全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)壟斷在了三星、SK Hynix及美光三家廠商中，在這其中三星是第一梯隊(duì)的，不論工藝還是產(chǎn)能、占有率都遙遙領(lǐng)先其他兩家，SK Hynix第二，美光的工藝和產(chǎn)能最次。2014年率先量產(chǎn)20nm工藝的DRAM內(nèi)存之后，三星如今再一次領(lǐng)跑，現(xiàn)在正式量產(chǎn)了18nm工藝內(nèi)存芯片。只不過(guò)內(nèi)存市場(chǎng)今年普遍看淡，隨著廠商產(chǎn)能的提高，內(nèi)存價(jià)格降幅甚至高達(dá)40%%。????跟處理器芯片一樣，制

????如今內(nèi)存條容量越做越大，而且不止是桌面，筆記本也正在迎頭趕上。金士頓今天就推出了新的HyperX Impact DDR4 SO-DIMM系列內(nèi)存，可以給你帶來(lái)64GB的夢(mèng)幻體驗(yàn)。????新內(nèi)存單條容量16GB，比舊款翻了一番，提供單條16GB、雙條32GB、四條64GB三種套裝格式。????運(yùn)行頻率有2133MHz、2400MHz兩種，時(shí)序方面有多種規(guī)格：16/32GB 2133MHz C

????芝奇日前推出了一套豪華的128GB DDR4-3000，而海盜船昨天不甘示弱地拿出了一套同樣的頂級(jí)內(nèi)存。 ????海盜船的Vengeance LPX系列這次增加了8×16GB、4×16GB、4×8GB三種套裝，額定頻率依次為3000MHz、3333MHz、3600MHz。 ????其中，頂級(jí)的8×16GB DDR4-3000是專

????芝奇日前推出了一套豪華的128GB DDR4-3000，而海盜船今天不甘示弱地拿出了一套同樣的頂級(jí)內(nèi)存。????海盜船的Vengeance LPX系列這次增加了8×16GB、4×16GB、4×8GB三種套裝，額定頻率依次為3000MHz、3333MHz、3600MHz。????其中，頂級(jí)的8×16GB DDR4-3000是專門為Intel X99發(fā)燒平臺(tái)準(zhǔn)備的，完全支持XMP 2.0，工作

? ? ? ?芝奇今天又推出了一套頂級(jí)的DDR4內(nèi)存，專為Intel X99高端平臺(tái)設(shè)計(jì)，容量高達(dá)128GB，而頻率達(dá)到了3000MHz。? ? ? ?該套裝隸屬于芝奇的Ripjaws V系列，時(shí)序CL14-14-14-34，電壓1.35V，支持XMP 2.0，由八條16GB組成，正好填滿X99平臺(tái)的雙四通道，而且不但現(xiàn)在的Haswell-E可以用，下一代的Broadwell-E同樣可以用，因?yàn)樗?/p>

????Intel去年最重大的科技成果不是推出14nm工藝的Skylake處理器，而是3D XPoint存儲(chǔ)芯片，性能是當(dāng)前水平的1000倍，但它可不是NAND非易失性閃存這么簡(jiǎn)單，實(shí)際上能帶來(lái)一次電腦革命，因?yàn)樗€可以作為DIMM插槽的內(nèi)存使用。Intel準(zhǔn)備在2016年開始推出基于3D XPoint技術(shù)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，現(xiàn)在曝光的就是容量高達(dá)6TB的DIMM插槽產(chǎn)品，很快電腦內(nèi)存就能跑步進(jìn)入TB時(shí)代

????Intel去年最重大的科技成果不是推出14nm工藝的Skylake處理器，而是3D XPoint存儲(chǔ)芯片，性能是當(dāng)前水平的1000倍，但它可不是NAND非易失性閃存這么簡(jiǎn)單，實(shí)際上能帶來(lái)一次電腦革命，因?yàn)樗€可以作為DIMM插槽的內(nèi)存使用。Intel準(zhǔn)備在2016年開始推出基于3D XPoint技術(shù)的存儲(chǔ)產(chǎn)品，現(xiàn)在曝光的就是容量高達(dá)6TB的DIMM插槽產(chǎn)品，很快電腦內(nèi)存就能跑步進(jìn)入TB時(shí)代

? ? ? ?前兩天，快科技曾報(bào)道，華人科學(xué)家胡正明教授剛剛被美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬授予2015年全美最高技術(shù)獎(jiǎng)。? ? ? ?作為半導(dǎo)體業(yè)界的翹楚，他在采訪中談到，在25nm看到盡頭時(shí)美國(guó)政府曾向業(yè)界征集方案，胡教授之后提出了FinFET和UTB-SOI（FD-SOI），前者我們很熟悉，后者的中文名稱是“全耗盡絕緣硅”。? ? ? ?從技術(shù)上比較簡(jiǎn)單的區(qū)分就是，F(xiàn)inFET是立體型晶體管，而FD-SOI

???? 2014年8月底，三星電子宣布量產(chǎn)全球第一款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達(dá)64GB。???? 一年多后，三星將這一容量翻了一番，開始量產(chǎn)128GB TSV DDR4內(nèi)存條。???? 新內(nèi)存依然是面向企業(yè)級(jí)服務(wù)器市場(chǎng)的RDIMM類型條子，使用了多達(dá)144顆DDR4內(nèi)芯片，每一顆容量8Gb(1GB)，然后每四顆芯片利用TSV技術(shù)緊密封裝在一起，總計(jì)36個(gè)

????2014年8月底，三星電子宣布量產(chǎn)全球第一款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達(dá)64GB。????一年多后，三星將這一容量翻了一番，開始量產(chǎn)128GB TSV DDR4內(nèi)存條。????新內(nèi)存依然是面向企業(yè)級(jí)服務(wù)器市場(chǎng)的RDIMM類型條子，使用了多達(dá)144顆DDR4內(nèi)芯片，每一顆容量8Gb(1GB)，然后每四顆芯片利用TSV技術(shù)緊密封裝在一起，總計(jì)36個(gè)組，分

???? DDR4內(nèi)存去年登場(chǎng)的時(shí)候，清一色都是起步頻率2133MHz，對(duì)比當(dāng)時(shí)的高端DDR3并沒(méi)有多大優(yōu)勢(shì)，玩家的升級(jí)熱情也不高，沒(méi)想到接下來(lái)內(nèi)存廠商就瘋了，以前所未有的速度提升頻率，如今已經(jīng)做到了4266MHz，整整翻了一番！???? 不過(guò)除了頻率，容量、時(shí)序參數(shù)同樣很重要，比如芝奇的Trident Z系列，4266MHz高頻率的只有4GB×2，四通道才16GB，對(duì)發(fā)燒友來(lái)說(shuō)顯然太少了。???