火星撞地球 優(yōu)異雙核FX60對(duì)決PEE 955
65nm工藝將把泄漏降低四倍，同時(shí)與90nm晶體管相比性能卻不會(huì)降低。其秘密在于英特爾的“應(yīng)變硅”技術(shù)。當(dāng)然，它在90nm工藝中也使用了應(yīng)變硅，但在65nm節(jié)點(diǎn)中使用的卻是第二代產(chǎn)品，它能夠在使晶體管性能提高10%-15%的同時(shí)卻不會(huì)增加泄漏。 65nm工藝還采用了Low K介電質(zhì)，這種材料能夠進(jìn)一步限制泄漏。該工藝采用的是8層排列的銅線互連。
Intel的65nm SRAM芯片采用了Intel的第二代應(yīng)變硅技術(shù)，銅互連以及低K值電介質(zhì)。4Mbit的芯片單元大小僅有0.54平方微米，每個(gè)單元由6個(gè)晶體管組成。Intel介紹1000萬個(gè)這樣的芯片和圓珠筆尖相當(dāng)。
65納米技術(shù)SRAM芯片
300毫米晶圓
英特爾首席執(zhí)行官保羅·奧特里尼（Paul S. Otellini）在本年IDF大會(huì)的演講中表示，到2006年第3季度，多內(nèi)核微處理器在微處理器總供貨量中所占的比例預(yù)計(jì)將超過50％。2007年，在臺(tái)式電腦和筆記本電腦領(lǐng)域預(yù)計(jì)都將達(dá)到90％，在服務(wù)器領(lǐng)域?qū)⒔咏?00％。在該公司于2005年3月召開的IDF會(huì)議上，曾預(yù)測(cè)2006年將達(dá)到70％以上。
Intel基于65nm制程生產(chǎn)的處理器已知會(huì)在年底量產(chǎn)并在明年初開始陸續(xù)推出上市（其好處除能節(jié)省生產(chǎn)成本以外還可降低現(xiàn)有90nm制程P4/D/Celeron的功耗，而未來則也可幫助Intel提高處理器性能生產(chǎn)新一代架構(gòu)的處理器），那么AMD的65nm制程開發(fā)現(xiàn)在的進(jìn)展又如何呢？AMD方面在今年十月中正式啟用其首座65nm制程300mm晶圓廠Fab36，而相關(guān)的生產(chǎn)設(shè)備目前也已開始安裝。
65nm工藝技術(shù)細(xì)節(jié)
高級(jí)晶體管：英特爾新的65納米制程將采用門長(zhǎng)度僅35納米的晶體管，這是當(dāng)前開始量產(chǎn)的尺寸最小、性能最高的CMOS晶體管。相比之下，今天非常先進(jìn)的晶體管（用于英特爾®奔騰®4處理器）其門長(zhǎng)度仍有50納米長(zhǎng)。更小更快的晶體管是制造速度更快的處理器不可或缺的構(gòu)建模塊。
應(yīng)變硅（Strained silicon）：英特爾在新制程中采用了其第二代高性能應(yīng)變硅。應(yīng)變硅可提供更高的驅(qū)動(dòng)電流與更快的晶體管的速度，但制造成本卻只會(huì)有2％的提升。
采用新型低-K電介質(zhì)材料的銅互連 (Copper Interconnects with new low-k dielectric)：新制程集成了八個(gè)銅互連層，使用低-K電介質(zhì)材料來提高芯片中的信號(hào)速度和減少芯片功耗。
工藝真的如此重要？后面的測(cè)試會(huì)告訴我們的眾多猜想是否正確。
