剪不斷理還亂!DDR1-3和GDDR1-5全解析
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● SDR+DDR1/2/3和GDDR1/2/3/4/5全系列規(guī)格參數(shù)匯總：
● 顯存引領(lǐng)DRAM發(fā)展，未來內(nèi)存將以顯存為藍(lán)本開發(fā)
縱觀近年來內(nèi)存與顯存的發(fā)展，就會(huì)發(fā)現(xiàn)顯存的發(fā)展速度已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了內(nèi)存，顯存帶寬幾乎達(dá)到了內(nèi)存帶寬的10倍之多，而且這個(gè)差距還在不斷的加大。目前三通道DDR3已經(jīng)足夠桌面CPU用好一陣子了，而GPU對(duì)顯存帶寬的渴求似乎是個(gè)永遠(yuǎn)都填不滿的無底洞。
正因?yàn)槿绱?，顯存逐漸脫離了內(nèi)存的發(fā)展軌跡，在經(jīng)過幾次并不成功的嘗試之后，從內(nèi)存的配角/附屬品，開始走向了反客為主的道路。GDDR2提前DDR2近兩年、GDDR4提前DDR3一年多，雖然都以失敗而告終，但卻為GDDR5的成功打下了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。
在內(nèi)存領(lǐng)域，如今DDR3才剛剛站穩(wěn)腳跟，至少將統(tǒng)治PC兩至三年，但DDR4的標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)在積極制定當(dāng)中，而其技術(shù)規(guī)格將會(huì)以GDDR5為藍(lán)本——也就是說保持DDR3 8bit預(yù)取技術(shù)不變，改進(jìn)I/O控制器，個(gè)中原因相信認(rèn)真閱讀了本文的朋友們應(yīng)該知道吧?！?/p><
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第1頁：DDR3&GDDR5時(shí)代來臨,內(nèi)存顯存有何區(qū)別第2頁：內(nèi)存的存取原理及難以逾越的頻障第3頁：內(nèi)存擁有三種頻率：“核心/IO/等效”第4頁：DDR1/2/3：數(shù)據(jù)預(yù)取技術(shù)的革命第5頁：關(guān)于內(nèi)存的相關(guān)技術(shù)和名詞解釋第6頁：SDRAM時(shí)代，顯存顆粒和內(nèi)存顆粒通用第7頁：GDDR1：顯存自立門戶，一統(tǒng)江湖第8頁：GDDR2第一版：短命的早產(chǎn)兒 高壓高發(fā)熱第9頁：gDDR2第二版：統(tǒng)一低端顯卡 永遠(yuǎn)的配角第10頁：GDDR3：一代王者GDDR3竟源于DDR2技術(shù)第11頁：GDDR3：新工藝讓GDDR3頻率一路飆升第12頁：GDDR4：半成品，未能解決頻率提升瓶頸第13頁：GDDR5：恐怖的頻率是如何達(dá)成的第14頁：GDDR5：集眾多先進(jìn)技術(shù)于一身第15頁：gDDR3：接過gDDR2的槍，把內(nèi)存改裝成顯存第16頁：關(guān)于顯存的相關(guān)技術(shù)和名詞解釋第17頁：總結(jié)與展望：顯存引領(lǐng)內(nèi)存發(fā)展趨勢(shì)
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