AMD絕地逢生!八款HD4800顯卡解析測試
RV770核心不僅僅是把核心各個模塊的數(shù)量翻倍這么簡單，實際上在微架構(gòu)方面還做了不小的優(yōu)化，這方面相信很多朋友還不容易理解，下面就做一個簡單的說明。
● 壓縮晶體管密度，每平方毫米晶體管性能提升40%
在GPU最關(guān)鍵的流處理器部分，RV770與RV670的結(jié)構(gòu)是完全相同的，RV670擁有4組SIMD（每組SIMD包括16個Shader，每個Shader有5個流處理器），RV770是10組SIMD，可以說在流處理器部分只是單純的擴充了規(guī)模。不過，這次ATI通過另外一種“投機取巧”的方式提高了RV770核心的“效能”——壓縮晶體管，或者說是提高硅片的利用率。
同為55nm工藝，RV670和RV770的SIMD陣列所占體積不同
通過上圖就可以看出，從RV670到RV770，每組SIMD陣列所占用的芯片面積縮小了40%，如此一來每平方毫米晶體管所能提供的性能就提高40%。在架構(gòu)和結(jié)構(gòu)不變的情況下，能獲得如此巨大的性能提升，看來ATI對于55nm工藝的運用已經(jīng)達到了爐火純青的地步！
RV770核心各部分模塊示意圖
現(xiàn)在我們就可以理解，同為55nm工藝，為什么7.54億晶體管的G92核心面積高達276平方毫米，而9.56億晶體管的RV770核心面積只有260平方毫米！因為RV770的晶體管密度更大，G92b作為NVIDIA首顆55nm的GPU，看來晶體管密度還不夠高，沒有充分利用硅片面積。
RV770核心晶元切割示意圖
減少芯片面積的優(yōu)勢是不言而喻的，意味著一塊晶元上能切割出更多的GPU核心，這樣制造成本就會下降。當然與成本息息相關(guān)的還有芯片良品率的問題，RV770的晶體管密度如此之高，可能會影響良率，而且發(fā)熱過于集中的問題會比較棘手。
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