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    說到Phenom II，就不得不提一提AMD全新的45nm工藝。這顆基于45nm工藝制作的處理器依舊采用了改良型的Stars架構(gòu)，不過由于制程和緩存的提升，無論在功耗還是性能上都有不俗的表現(xiàn)，究竟這顆號稱性能最高提升35%，功耗最高降低35%的AMD產(chǎn)品有何特別之處呢？讓筆者為大家一一解答。

    采用45nm SOI沉浸式光刻制造技術(shù)

　　AMD的45納米制程工藝是聯(lián)合IBM一同研發(fā)的。有趣的是，與英特爾的高-K金屬柵極不同，AMD和IBM的技術(shù)是超低K電介質(zhì)互聯(lián)。而另兩項相關(guān)技術(shù)分別是：多重增強晶體管應變技術(shù)和沉浸式平板印刷術(shù)。

　　簡單來說，多空、超低K電介質(zhì)可以降低串聯(lián)電容、降低寫入延遲和能量消耗，從而明顯提升性能功耗比；而沉浸式平板印刷術(shù)，實際上就是在激光蝕刻頭的中間加入一種特殊的液體來修正光的折射，從而讓其在晶圓上更好的刻錄晶體管。用這種工藝設計生產(chǎn)的SRAM芯片可獲得大約15％的性能提升。真正解決AMD在 45納米技術(shù)難題的是多重增強晶體管應變技術(shù)，AMD和IBM稱，與非應變技術(shù)相比，這一新技術(shù)能將P溝道晶體管的驅(qū)動電流提高80％，將N溝道晶體管的驅(qū)動電流提高24％。

    從實際Phenom II產(chǎn)品來看，AMD本次的45nm SOI沉浸式光刻制造技術(shù)非常成熟，產(chǎn)品的起跳主頻比較高，輕松的突破了3GHz大關(guān)。通過之前不少第三方泄露的超頻成績來看，基本此技術(shù)的Phenom II可以通過液氮成功超頻至6G大關(guān)，并順利的運行各種游戲。相比較之下，Core i7 965處理器雖然被超頻到5.7G，但是無法運行程序，除去架構(gòu)原因外，AMD處理器在這次的主頻之爭中和英特爾會上演一場好戲，不會再讓Intel在超頻中唱獨角戲。