摩爾定律仍硬朗!英特爾CPU工藝發(fā)展史
● 再鑄輝煌—45nm處理器即將誕生
目前Intel兩年一跟換工藝，在2007年推出其首款45nm Penryn處理器。全新45nm Penryn家族共有7名成員，包括雙核心桌面處理器Wolfdate、四核心桌面處理器Yorkfield、雙核心行動(dòng)處理器 Penryn、雙核心Xeon DP處理器 Wolfdate DP、四核心 Xeon DP處理器Harpertown、雙核心 Xeon MP處理器Dunnington DC及四核心Xeon MP處理器Dunnington QC。
Intel首款45nm Penryn處理器QX9650
Penryn雙核心版本內(nèi)建 4.1 億個(gè)晶體管，四核心則有8.2億個(gè)晶體管，微架構(gòu)經(jīng)強(qiáng)化后，在相同頻率下較上代Core產(chǎn)品擁有更高性能，同時(shí)L 2 Cache容量亦提升50%，明顯提高數(shù)據(jù)讀取執(zhí)行的命中率。此外，亦加入47條全新Intel SSE4指令，提高媒體性能和實(shí)現(xiàn)高性能運(yùn)算應(yīng)用。
另外，由于深知漏電問(wèn)題將會(huì)阻礙芯片和個(gè)人計(jì)算機(jī)的設(shè)計(jì)、大小、耗電量、噪聲與成本開(kāi)發(fā)，因此，新一代Penryn處理器家族將采用全新材料制作的45nm晶體管絕緣層(insulating wall)和開(kāi)關(guān)閘極 (switching gate)，減低晶體管漏電(electrical leakage)情況。
為能達(dá)到大幅降低漏電情形且可同時(shí)提升效能目標(biāo)，Intel采用被稱(chēng)為High-k的新材料制作晶體管閘極電介質(zhì)(transistor gate dielectric)，而晶體管閘極的電極 (transistor gate electrode)也將搭配采用全新金屬材料組合，增加驅(qū)動(dòng)電流20%以上，不僅提升晶體管效能，同時(shí)源極 - 汲極 (source-drain) 漏電也可減少逾5倍，明顯改善晶體管耗電量。這樣，在目前來(lái)說(shuō)還是很的控制了漏電問(wèn)題。
直達(dá)2008年底，Intel在45nm技術(shù)帶來(lái)了又一次的改變后，這一次45nm制成CPU變大了、內(nèi)存變成了三通道了，近十年的老朋友FSB也變成了QPI，超線(xiàn)程技術(shù)又一次回歸了。在融合的時(shí)代，Intel賦予了CPU更多的使命，雖然我們已經(jīng)做好了CPU整合更多功能的準(zhǔn)備，但是這次突如其來(lái)的改變，還是讓所有的人大吃一驚。
Nehalem的推出，將4nm處理器帶入了一個(gè)全新時(shí)代，肩負(fù)著改變行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的使命，QPI、DDR3、超線(xiàn)程、PCI-E 2.0、內(nèi)存控制器、Turbo Mode等一系列新技術(shù)接踵而至。不得不感慨，酷睿i7的推出，給業(yè)界帶來(lái)了太多的震撼，但這僅僅是個(gè)開(kāi)始，轉(zhuǎn)眼時(shí)間已經(jīng)過(guò)渡到2009年Intel的“工藝年”。
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