Intel/AMD終言和！09年CPU十大關(guān)鍵詞
● 09年CPU十大關(guān)鍵詞："32nm"
制造工藝永遠(yuǎn)是高性能芯片的參照標(biāo)準(zhǔn)之一，在更高的制造工藝下，在相同的單位面積下可以容納下更多的晶體管，而晶體管數(shù)量的增多直接體現(xiàn)在了性能的提升方面。同時(shí)由于單位體積的減小，以及新材料的大量應(yīng)用。更為先進(jìn)的工藝制程下制造的芯片產(chǎn)品耗電量以及發(fā)電量也會(huì)得到很好的控制，這也是為什么新一代工藝制程的產(chǎn)品會(huì)比前一代產(chǎn)品在功耗上有很好表現(xiàn)的原因之一。
32nm工藝采用高k+金屬架構(gòu)柵極的45nm制程技術(shù)取得巨大成功之后，英特爾再接再厲推出了采用第二代高k+金屬柵極的32納米制程技術(shù)，目前已全面量產(chǎn)。這種新制程技術(shù)將用來(lái)制造英特爾Nehalem微體系架構(gòu)的32nm版本-Westmere。
據(jù)Intel英特爾高級(jí)院士Mark Bohr透露，32nm制程技術(shù)的基礎(chǔ)是第二代高k+金屬柵極晶體管。英特爾對(duì)第一代高k+金屬柵極晶體管進(jìn)行了眾多改進(jìn)。 在45納米制程中，高k電介質(zhì)的等效氧化層厚度為1.0nm。而在32nm制程中，此氧化層的厚度僅為0.9nm，而柵極長(zhǎng)度則縮短為30nm。
晶體管的柵極間距每?jī)赡昕s小0.7倍——32nm制程采用了業(yè)內(nèi)最緊湊的柵極間距。32nm制程采用了與英特爾45納米制程一樣的置換金屬柵極工藝流程，這樣有利于英特爾充分利用現(xiàn)有的成功工藝。這些改進(jìn)對(duì)于縮小集成電路（IC）尺寸、提高晶體管的性能至關(guān)重要。采用高k+金屬柵極晶體管的32nm制程技術(shù)可以幫助設(shè)計(jì)人員同時(shí)優(yōu)化電路的尺寸和性能。
Intel 32nm產(chǎn)品已經(jīng)全面上市，新的制程下處理器的能耗表現(xiàn)更為出色，同時(shí)在同一芯片上可以集成更多芯片。
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