六翼天使的逆襲!羿龍II X6處理器測試
● 45nm牽一發(fā)動全身：Phenom II技術解析！
這顆基于45nm工藝制作的處理器依舊延續(xù)之前的“巴塞羅那”架構(gòu)，不過由于制程和緩存的提升，無論在功耗還是性能上都有不俗的表現(xiàn)，究竟這顆號稱性能最高提升35%，功耗最高降低35%的AMD產(chǎn)品有何特別之處呢？
▲ 1.采用45nm SOI沉浸式光刻制造技術
AMD的45納米制程工藝是聯(lián)合IBM一同研發(fā)的。有趣的是，與英特爾的高-K金屬柵極不同，AMD和IBM的技術是超低K電介質(zhì)互聯(lián)。而另兩項相關技術分別是：多重增強晶體管應變技術和沉浸式平板印刷術。
簡單來說，多空、超低K電介質(zhì)可以降低串聯(lián)電容、降低寫入延遲和能量消耗，從而明顯提升性能功耗比；而沉浸式平板印刷術，實際上就是在激光蝕刻頭的中間加入一種特殊的液體來修正光的折射，從而讓其在晶圓上更好的刻錄晶體管。用這種工藝設計生產(chǎn)的SRAM芯片可獲得大約15％的性能提升。真正解決AMD在 45納米技術難題的是多重增強晶體管應變技術，AMD和IBM稱，與非應變技術相比，這一新技術能將P溝道晶體管的驅(qū)動電流提高80％，將N溝道晶體管的驅(qū)動電流提高24％。
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