低電壓優(yōu)劣分析 1.35V DDR3-1600測試
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月26日 現(xiàn)在新上市的主板基本都已經(jīng)帶有DDR3內(nèi)存插槽，更有不少是只具備DDR3插槽，已經(jīng)可以看到主板廠商對推進(jìn)DDR3為主流產(chǎn)品所做出的努力，再加上所有新CPU對DDR2的支持，使得DDR3性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于DDR2，也證明了是必然要代替DDR2。眾所周知DDR3最大的特點是有效頻率在DDR2的基礎(chǔ)上再次翻倍，但DDR3并非是片面提升頻率從而得到高帶寬，實際上DDR3除了高頻率之外，還有很多不為人知的優(yōu)點。
● 工作電壓從1.8V降至1.5V，頻率翻倍的同時功耗下降20-30%
眾所周知，半導(dǎo)體芯片的功耗與晶體管數(shù)成正比，與工作電壓的平方成正比，所以電壓對其功耗與發(fā)熱的影響最大。和CPU/GPU的發(fā)展類似，DRAM在提高頻率和容量的同時，電壓也在不斷的降低。DDR1的標(biāo)準(zhǔn)電壓為2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3則進(jìn)一步壓縮至1.5V。
理論上來說，同頻率下DDR3會比DDR2省電達(dá)30%之多，這里需要強(qiáng)調(diào)的是，DDR3-1600的核心頻率與DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO頻率雖然翻了一倍但對功耗發(fā)熱的貢獻(xiàn)不大，此消彼長之后DDR3-1600比DDR2-800省電23%！
但是，在DDR3發(fā)展初期，很多內(nèi)存廠商為了片面追求高頻率，推出過不少高壓高頻內(nèi)存條，默認(rèn)1.8V-2V甚至2.2V的內(nèi)存都有，這些內(nèi)存的功耗與發(fā)熱顯然不會比DDR2低，這也就導(dǎo)致大家對DDR3產(chǎn)生不好的印象。
● 使用更先進(jìn)的工藝制造，容量翻倍的同時功耗再降
時代在發(fā)展工藝在進(jìn)步，DDR3作為最新產(chǎn)品自然會使用非常先進(jìn)的工藝制程，與早期6Xnm工藝的顆粒相比，新投產(chǎn)的5Xnm可以將DRAM顆粒的功耗再降33%，還不到DDR2的一半！
現(xiàn)在眾多筆記本品牌都開始標(biāo)配DDR3內(nèi)存，筆記本領(lǐng)先臺式機(jī)開始普及DDR3，雖然筆記本CPU尚無法利用到DDR3內(nèi)存的巨大帶寬，但超低的功耗是非常誘人的，一些專為筆記本設(shè)計的內(nèi)存將電壓進(jìn)一步降至1.35V，功耗僅為DDR2的37%，確實不可思議。
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